(19)
(11) EP 3 475 471 A1

(12)

(43) Date de publication:
01.05.2019  Bulletin  2019/18

(21) Numéro de dépôt: 17742490.0

(22) Date de dépôt:  26.06.2017
(51) Int. Cl.: 
C30B 23/02(2006.01)
C30B 29/60(2006.01)
C30B 25/18(2006.01)
C30B 23/04(2006.01)
C30B 25/04(2006.01)
H01L 21/02(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2017/051692
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2018/002497 (04.01.2018 Gazette  2018/01)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME
Etats de validation désignés:
MA MD

(30) Priorité: 28.06.2016 FR 1656008

(71) Demandeurs:
  • Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
    75015 Paris (FR)
  • Aledia
    38040 Grenoble (FR)

(72) Inventeurs:
  • AMSTATT, Benoit
    38000 Grenoble (FR)
  • DUPONT, Florian
    38000 Grenoble (FR)
  • HENAFF, Ewen
    38600 Fontaine (FR)
  • HYOT, Bérangère
    38320 Eybens (FR)

(74) Mandataire: GIE Innovation Competence Group 
310, avenue Berthelot
69372 Lyon Cedex 08
69372 Lyon Cedex 08 (FR)

   


(54) STRUCTURE DE NUCLEATION ADAPTEE A LA CROISSANCE EPITAXIALE D'ELEMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS