(57) Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Oszillatorvorrichtung mit einer auf einer
Leiterplatte vorgesehenen, einen Bipolartransistor (18) sowie keramische Resonatormittel
(12) aufweisenden Resonatorstrecke (10), die für einen Oszillatorbetrieb der Oszillatorvorrichtung
auf einer Festfrequenz eingerichtet ist, wobei die ein erstes Ende der Resonatorstrecke
ausbildenden Resonatormittel auf der Leiterplatte über eine als erste Mikrostreifenleitung
(14) realisierte Anpassleitung mit der Basis (B) des Bipolartransistors verbunden
sind, und der Bipolartransistor so beschaltet ist, dass im Oszillatorbetrieb an der
Basis ein Wellenmaximum einer sich überlagernden hin- (24) und rücklaufenden (26)
stehenden Welle entlang der Resonatorstrecke vorliegt.
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