(19)
(11) EP 3 775 329 A1

(12)

(43) Date de publication:
17.02.2021  Bulletin  2021/07

(21) Numéro de dépôt: 19721378.8

(22) Date de dépôt:  26.03.2019
(51) Int. Cl.: 
C30B 23/02(2006.01)
C30B 29/02(2006.01)
H01L 21/762(2006.01)
 C30B 25/18(2006.01)
C30B 29/04(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/IB2019/000196
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2019/186262 (03.10.2019 Gazette  2019/40)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME
Etats de validation désignés:
KH MA MD TN

(30) Priorité: 28.03.2018 FR 1800255

(71) Demandeur: SOITEC
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeur:
  • GHYSELEN, Bruno
    38170 Seyssinet (FR)

(74) Mandataire: Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB 
Leopoldstraße 4
80802 München
80802 München (DE)

   


(54) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DE MATÉRIAU DIAMANT OU IRIDIUM ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE PAR ÉPITAXIE D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DE MATÉRIAU DIAMANT OU IRIDIUM