(19)
(11) EP 3 810 834 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
28.04.2021  Patentblatt  2021/17

(21) Anmeldenummer: 19728955.6

(22) Anmeldetag:  04.06.2019
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
C30B 13/20(2006.01)
C30B 30/04(2006.01)
 C30B 13/26(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2019/064554
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2020/001940 (02.01.2020 Gazette  2020/01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME
Benannte Validierungsstaaten:
KH MA MD TN

(30) Priorität: 25.06.2018 DE 102018210317

(71) Anmelder: Siltronic AG
81677 München (DE)

(72) Erfinder:
  • ALTMANNSHOFER, Ludwig
    83661 Lenggries (DE)
  • MEISTERERNST, Götz
    84562 Mettenheim (DE)
  • RATNIEKS, Gundars
    84489 Burghausen (DE)
  • ZITZELSBERGER, Simon
    84524 Neuötting / Alzgern (DE)

(74) Vertreter: Staudacher, Wolfgang 
Siltronic AG Intellectual Property -LP 244 Johannes-Hess-Str. 24
84489 Burghausen
84489 Burghausen (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALLS AUS HALBLEITERMATERIAL GEMÄSS DER FZ-METHODE; VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS UND HALBLEITERSCHEIBE AUS SILIZIUM