(19)
(11) EP 3 942 619 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
26.01.2022  Patentblatt  2022/04

(21) Anmeldenummer: 20724475.7

(22) Anmeldetag:  06.05.2020
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 31/113(2006.01)
H01L 31/115(2006.01)
(52) Gemeinsame Patentklassifikation (CPC) :
H01L 31/1136; H01L 31/115
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2020/062504
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2020/225275 (12.11.2020 Gazette  2020/46)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME
Benannte Validierungsstaaten:
KH MA MD TN

(30) Priorität: 06.05.2019 DE 102019206494

(71) Anmelder: Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
80539 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BÄHR, Alexander
    82194 Gröbenzell (DE)
  • LECHNER, Peter
    83607 Holzkirchen (DE)
  • NINKOVIC, Jelena
    80999 München (DE)
  • RICHTER, Rainer
    81243 München (DE)
  • SCHOPPER, Florian
    80802 München (DE)
  • TREIS, Johannes
    81669 München (DE)

(74) Vertreter: Prüfer & Partner mbB Patentanwälte · Rechtsanwälte 
Sohnckestraße 12
81479 München
81479 München (DE)

   


(54) DEPFET-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DEPFET-TRANSISTORS