ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSKBAHRIS..MTNORSMESMMAKHTNMD..........*XBDM Ver 2.0.15 (20th of December) - 1100000/03987588A120220427EP20733629.82020062220211223frfrfr190682220190624FR2022042720221720220427202217H01L 51/42 20060101AFI20210114BHEP H01L 51/46 20060101ALI20210114BHEP H01L 51/4253 20130101 LA20200420BHEP H01L 51/0007 20130101 FI20200420BHEP H01L 51/0036 20130101 LI20200420BHEP H01L 51/0047 20130101 LI20200420BHEP Y02E 10/549 20130101 LA20210227BGEP Y02P 70/50 20151101 LA20210630BGEP deFORMULIERUNG AUS EINEM ORGANISCHEN HALBLEITERMATERIAL VOM TYP P UND EINEM HALBLEITERMATERIAL VOM TYP NenFORMULATION COMPRISING A P-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND AN N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALfrFORMULATION COMPRENANT UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE DE TYPE P ET UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR DE TYPE NISORG101878262B18843 PCT EP17 rue Soyouz87068 Limoges Cedex 3FRLHEUREUX, Alexc/o ISORG 60 Rue des Berges Parc Polytec, Immeuble Tramontane38000 GRENOBLEFRSARACCO, Emelinec/o ISORG 60 Rue des Berges Parc Polytec, Immeuble Tramontane38000 GRENOBLEFRBOUTHINON, Benjaminc/o ISORG 60 Rue des Berges Parc Polytec, Immeuble Tramontane38000 GRENOBLEFRThibon, Laurent101926247Cabinet Beaumont S.A.S. 4, place Robert Schuman B.P. 152938025 Grenoble Cedex 1FRALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTRBAMEKHMAMDTNEP202006738120200622frWO202026021420201230202053