(19)
(11) EP 4 101 011 A1

(12)

(43) Date de publication:
14.12.2022  Bulletin  2022/50

(21) Numéro de dépôt: 21702682.2

(22) Date de dépôt:  04.02.2021
(51) Int. Cl.: 
H01L 39/04(2006.01)
H01L 39/24(2006.01)
(52) Classification Coopérative des Brevets (CPC) :
H01L 39/045; H01L 39/2467; H01L 39/2493; H01L 39/2419; Y02E 40/60
(86) Numéro de dépôt:
PCT/EP2021/052684
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2021/156378 (12.08.2021 Gazette  2021/32)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME
Etats de validation désignés:
KH MA MD TN

(30) Priorité: 05.02.2020 FR 2001126

(71) Demandeurs:
  • THALES
    92400 Courbevoie (FR)
  • Centre national de la recherche scientifique
    75016 Paris (FR)
  • Université Paris-Saclay
    91190 Gif-sur-Yvette (FR)

(72) Inventeurs:
  • BRIATICO, Javier
    91767 PALAISEAU (FR)
  • MARTINS, José-Paolo
    91767 PALAISEAU (FR)
  • TRASTOY, Juan
    91767 PALAISEAU (FR)
  • ULYSSE, Christian
    91120 PALAISEAU (FR)

(74) Mandataire: Lavoix 
2, place d'Estienne d'Orves
75441 Paris Cedex 09
75441 Paris Cedex 09 (FR)

   


(54) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT AU MOINS UNE ZONE SUPRACONDUCTRICE ET DISPOSITIF ASSOCIÉ