(19)
(11) EP 4 147 353 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
15.03.2023  Patentblatt  2023/11

(21) Anmeldenummer: 21739937.7

(22) Anmeldetag:  07.05.2021
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H03K 17/06(2006.01)
H03K 17/12(2006.01)
H03K 17/10(2006.01)
H03K 17/0812(2006.01)
(52) Gemeinsame Patentklassifikation (CPC) :
H03K 17/063; H03K 2017/066; H03K 17/122; H03K 17/08122
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2021/100417
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2021/223816 (11.11.2021 Gazette  2021/45)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME
Benannte Validierungsstaaten:
KH MA MD TN

(30) Priorität: 08.05.2020 DE 102020205797

(71) Anmelder: Robert Bosch GmbH
70469 Stuttgart (DE)

(72) Erfinder:
  • WINKLER, Jonathan
    72820 Sonnenbuehl (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER SILIZIUMKARBID, SIC, - MOSFET-ANORDNUNG SOWIE VORRICHTUNG