(19)
(11) EP 4 154 307 A1

(12)

(43) Date de publication:
29.03.2023  Bulletin  2023/13

(21) Numéro de dépôt: 21732484.7

(22) Date de dépôt:  18.05.2021
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/762(2006.01)
(52) Classification Coopérative des Brevets (CPC) :
H01L 21/76254
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2021/050874
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2021/234280 (25.11.2021 Gazette  2021/47)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME
Etats de validation désignés:
KH MA MD TN

(30) Priorité: 18.05.2020 FR 2004970

(71) Demandeur: SOITEC
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • BERTRAND, Isabelle
    38190 BERNIN (FR)
  • SCHWARZENBACH, Walter
    38190 BERNIN (FR)
  • ALLIBERT, Frédéric
    38190 BERNIN (FR)

(74) Mandataire: Regimbeau 
20, rue de Chazelles
75847 Paris Cedex 17
75847 Paris Cedex 17 (FR)

   


(54) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES