Domaine technique
[0001] La présente invention concerne de manière générale de domaine des radiofréquences
(RF), et en particulier un dispositif de contrôle des faisceaux électromagnétiques
RF selon leur bande de fréquences, notamment pour contrôler la réflexion et/ou la
transmission des faisceaux électromagnétiques, ainsi qu'un procédé de fabrication
d'un tel dispositif. Un exemple de dispositif de contrôle est décrit dans le brevet
FR 3095303 B1.
[0002] Les dispositifs de contrôle de la réflexion et/ou de la transmission de faisceaux
provenant de sources de signaux électromagnétiques RF, selon leur bande de fréquences,
encore appelés « écrans dichroïques RF », peuvent être constitués de surfaces sélectives
en fréquence ou FSS (acronyme pour « Frequency Selective Surfaces », selon l'expression
anglo-saxonne correspondantes). De telles surfaces sont formées d'un empilement de
deux ou plusieurs surfaces périodiques, ellesmêmes conçues à partir de motifs métalliques
régulièrement distribués selon un vecteur de périodicité, gravés ou imprimés sur un
substrat diélectrique.
[0003] Les motifs métalliques usuellement choisis sont des motifs de types annulaires pour
constituer des éléments résonnants dont l'interaction avec des signaux électromagnétiques
RF est modélisée selon un circuit comprenant une bobine (définie par une inductance
L) et un condensateur (définie par une capacité C), avec une partie capacitive prédominante.
Ces surfaces périodiques sont dites 'capacitives'. Un écran dichroïque RF conçu à
partir de telles surfaces capacitives réfléchit dans une bande de fréquences hautes
et transmet dans une bande de fréquences plus basses de sorte qu'il est classiquement
utilisé en tant que filtre passe-bas (ou coupe-bande).
[0004] Cependant, lors de l'émission de signaux électromagnétiques RF par une source, les
puissances RF des faisceaux émis sont usuellement moins élevées dans une bande fréquentielle
haute que dans une bande fréquentielle plus basse. Le phénomène de réflexion induit
moins de pertes en puissance par rapport au phénomène de transmission. Aussi, pour
minimiser la puissance dissipée à l'intérieur de la structure, il est souhaitable
qu'un écran dichroïque RF réfléchisse un signal RF ayant une bande fréquentielle basse.
Le signal RF pénètre alors peu dans l'écran dichroïque RF, et est moins susceptible
d'être affectée par des pertes ohmiques (i.e. pertes en puissance). Pour cela, il
est connu d'utiliser un écran dichroïque RF se comportant comme une plaque métallique
fortement réfléchissante pour la bande de fréquences basses.
[0005] Par ailleurs, un état de surface dégradé d'un écran dichroïque RF produit plus de
perturbations sur le front d'onde d'un faisceau RF réfléchi que sur le front d'onde
d'un faisceau RF transmis. Cependant, la production de ces perturbations est d'autant
plus importante pour une bande de fréquences hautes que pour une bande de fréquences
plus basses. Ainsi, il est également désirable que l'écran dichroïque RF se comporte
comme un filtre passe-haut, fonctionnant donc en transparence dans une bande de fréquences
hautes.
[0006] Les substrats diélectriques constitutifs de ces surfaces périodiques induisent en
outre des pertes ohmiques sur faisceau RF transmis qui peuvent être minimisées, mais
ne peuvent pas être annulées.
[0007] D'autre part, l'accroissement du nombre de surfaces périodiques capacitives constitutives
d'un tel écran dichroïque RF utilisé en tant que filtre coupe-bande, peut permettre
un élargissement de la bande de fréquences passante du faisceau RF transmis. Cependant,
en considérant qu'un faisceau RF à transmettre ait un angle d'incidence non nul par
rapport à la normal de l'écran dichroïque RF, plus la structure de l'écran dichroïque
RF est épaisse (i.e., le nombre de surfaces périodiques est important), plus cette
structure devient sensible à cet angle d'incidence. L'épaisseur de la structure et
des espacements entre les surfaces périodiques évolue de manière inversement proportionnelle
au cosinus de l'angle d'incidence du faisceau RF à transmettre, comme décrit dans
l'article "
A Low-Profile Third-Order Bandpass Frequency Selective Surface" de N. Behdad et al.
Antennas and Propagation, IEEE Transactions on , 2009 , pages. 460- 466.
[0008] Il est également connu d'utiliser des écrans dichroïques RF formés de plaques perforées.
De tels écrans dichroïques RF sont fréquemment utilisés comme filtres passe-bande.
Ces plaques perforées sont constituées de feuilles métalliques perforées selon une
périodicité donnée, avec des trous rectangulaires ou circulaires, comme décrit dans
l'article "Transmission and reflection of metallic mesh in the far infrared" de
P. Vogel et al. Infrared Physics, 1964, vol. 4, pp. 257-262.
[0009] Les perforations agissent comme des guides d'ondes pour les faisceaux électromagnétiques
RF de longueur d'onde
λ, pour lesquelles l'écran dichroïque RF doit être transparent. Ces perforations doivent
être assez larges pour qu'un mode électromagnétique puisse s'y établir. La périodicité
associé à ces perforations est typiquement de l'ordre de 0,75
λ. Or, des lobes de réseaux peuvent y être excités pour des faisceaux d'angle d'ouverture
important et/ou ayant un angle d'incidence non nul par rapport à la normal de l'écran
dichroïque RF. La périodicité de ces perforations constitue ainsi une première contrainte,
du fait qu'elle limite l'angle d'incidence pour lequel l'écran dichroïque RF peut
être utilisé et/ou l'angle d'ouverture du faisceau RF (puisqu'il en résulte des pertes
significatives pour un secteur angulaire trop important, par exemple supérieures à
40°).
[0010] Une seconde contrainte correspond aux effets des réflexions partielles dans les plans
de discontinuités, pour des faisceaux en transmission dans ces guides d'ondes. Ces
réflexions partielles dépendent de la quantité de métal constituant les plaques perforées
et sont d'autant plus importantes que les parois métalliques sont épaisses. Les réflexions
partielles en entrée et en sortie des guides d'ondes peuvent se compenser à une fréquence
donnée, en ajustant la longueur des sections guidées. Cependant, autour de cette fréquence
donnée et sur un secteur angulaire, la recombinaison des réflexions partielles produit
une ondulation dans la bande de fréquences, qui peut atteindre plusieurs dixièmes
de dB.
[0011] Enfin, en considérant que les sources RF produisent des ondes électromagnétiques
RF en mode TEM (en anglais « Transversal Electro-Magnetic »), une troisième contrainte
liée à ces perforations est liée au fait que les coefficients de réflexion et de transmission
de tel écrans dichroïques RF dépendent de la polarisation TE ou TM de l'onde incidente.
[0012] Une solution classique pour adresser les contraintes associées à ces perforations
consiste à réduire la périodicité en considérant la propagation dans des médias diélectriques.
Il en résulte toutefois des pertes diélectriques significatives et une complexité
accrue du processus de fabrication.
[0014] Il est en outre connu d'améliorer certaines propriétés des écrans dichroïques RF
en utilisant des guides d'ondes électromagnétiques RF ayant une structure dite « sous
coupure », c'est-à-dire ne permettant pas une propagation d'un mode guidé qu'au-delà
de la fréquence de coupure qui est supérieure à la fréquence d'opération souhaitée.
[0017] Cependant, la structure de ces guides d'ondes est très résonante, et donc limite
la largeur de bande du faisceau RF transmis. Pour élargir la bande passante, il est
alors nécessaire d'ajouter des résonateurs sur les parois. Il en résulte une structure
ayant une épaisseur importante par rapport à la longueur d'onde des bandes fréquentielles.
Cette épaisseur confère une sensibilité trop importante par rapport au secteur angulaire,
c'est-à-dire l'angle d'ouverture des faisceaux RF et/ou l'angle d'incidence des faisceaux
par rapport à la normal de l'écran dichroïque RF.
[0018] De tels écrans dichroïques RF sont néanmoins entièrement métalliques et donc adaptés
aux applications avec des faisceaux de forte puissance. Cependant, comme décrit précédemment,
les écrans dichroïques RF métalliques connus de l'homme du métier ont des réponses
dépendant de la polarisation des faisceaux, non stables sur une large bande passante
et sur un large secteur angulaire en incidence (notamment limité à un faisceau d'angle
d'ouverture ±5° autour d'un angle d'incidence de 30° par exemple).
[0019] Il existe ainsi un besoin pour un dispositif amélioré permettant de contrôler des
faisceaux d'ondes électromagnétiques RF en mode TEM (« Transversal Electro-Magnetic
») selon leur bande de fréquences.
Résumé de l'invention
[0020] La présente invention vient améliorer la situation en proposant un dispositif de
contrôle de faisceaux radiofréquences comprenant un ensemble d'au moins une cellule,
la cellule comprenant un cadre de support et au moins une interconnexion interne au
cadre de support, les faisceaux radiofréquences étant des ondes électromagnétiques
TEM ayant une polarisation donnée. Avantageusement, le cadre de support est inscrit
dans un prisme, ayant un axe Z' donné, le prisme comprenant

faces

reliées entre elles par

arêtes

orientées selon l'axe du prisme Z', le cadre de support comprenant

éléments de coin, chaque élément de coin ayant un bord coïncidant avec une des arêtes
du prisme, les éléments de coins étant agencés de sorte que le cadre de support présente,
sur chaque face du prisme, une fente s'étendant selon l'axe du prisme Z'. Chaque interconnexion
interne comprend

tiges inductives comprenant chacune deux extrémités, les tiges inductives ayant chacune
une première extrémité reliée à un des bords du cadre de support, les deuxièmes extrémités
des tiges inductives étant reliées entre elles au niveau d'un point de connexion de
tiges, le point de connexion de tiges étant positionné sensiblement au centre du cadre
de support dans un plan orthogonal à l'axe du prisme Z'. Chaque cellule est configurée
pour réaliser une transmission et/ou une réflexion de faisceaux radiofréquences invariante
en polarisation des ondes électromagnétiques TEM.
[0021] Dans un mode de réalisation particulier, une cellule peut comprendre au moins deux
interconnexions internes et en outre au moins un plateau capacitif interne au cadre
de support s'étendant dans un plan orthogonal à l'axe du prisme Z', le au moins un
plateau capacitif étant agencé entre les deux interconnexions internes.
[0022] Selon des modes de réalisation, une cellule peut comprendre au moins deux interconnexions
internes et en outre au moins un pilier central s'étendant selon l'axe du prisme Z'
et étant agencé sensiblement au centre du cadre de support, le pilier central comprenant
une extrémité supérieure reliée au point de connexion de tiges d'une des interconnexions
internes, et une extrémité inférieure reliée au point de connexion de tiges d'une
autre interconnexion interne.
[0023] Avantageusement, le au moins un plateau capacitif peut être relié au cadre de support
par au moins un pilier central s'étendant selon l'axe du prisme Z' et comprenant une
extrémité supérieure et une extrémité inférieure, le plateau capacitif étant agencé
sensiblement au milieu du pilier central.
[0024] Le au moins un plateau capacitif peut être maintenu à l'intérieur du cadre de support
au moyen d'un support diélectrique.
[0025] Le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences peut être constitué d'un unique
matériau électriquement conducteur.
[0026] En particulier le nombre

peut être égal à 4 tandis que le cadre de support a une forme de parallélépipède
carré, ou le nombre

peut être égal à 6 tandis que le cadre de support ayant une forme de prisme hexagonal.
[0027] Le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences peut être défini dans un repère
(X,Y,Z) et s'étendre généralement dans un plan (X,Y), et l'axe du prisme Z' peut être
parallèle à l'axe Z, le cadre de support ayant une forme de prisme droit.
[0028] Alternativement, le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences peut être
défini dans un repère (X,Y,Z) et s'étendre généralement dans un plan (X,Y), et l'axe
du prisme Z' peut présenter une inclinaison β par rapport à l'axe Z, le cadre de support
ayant une forme de prisme oblique.
[0029] Dans certains modes de réalisation, les tiges inductives et les bords du cadre de
support peuvent former un angle γ compris entre 45° et 90°, et/ou compris entre 90°
et 135°.
[0030] Le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences peut être défini dans un repère
(X,Y,Z), s'étendre généralement dans un plan (X,Y), et comprendre un ensemble de plusieurs
cellules ayant des formes géométriques et des dimensions variables dans le plan (X,Y).
[0031] L'invention fournit également un système optique comprenant au moins une première
source de signaux radiofréquences configurée pour émettre un faisceau radiofréquences
de bande de fréquence
λ1 selon une direction de propagation donnée et un dispositif de contrôle de faisceaux
RF, le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences étant configuré pour réfléchir
et/ou transmettre le faisceau radiofréquences selon la direction de propagation donnée
et la bande de fréquence Al.
[0032] Dans certains modes de réalisation, le système optique peut comprendre au moins deux
sources de signaux radiofréquences, les sources comprenant une deuxième source configurée
pour émettre un faisceau radiofréquences de bande de fréquence
λ2 selon une direction de propagation donnée, le dispositif de contrôle de faisceaux
radiofréquences étant défini dans un repère (X,Y,Z) et s'étendant généralement dans
un plan (X,Y), le dispositif de contrôle étant configuré pour réfléchir les signaux
radiofréquences de bande de fréquence
λ1 et transmettre les signaux radiofréquences de bande de fréquence
λ2, le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences étant positionné entre les
sources, l'axe Z présentant un angle d'incidence α
i par rapport aux sources, par exemple α
i = 30°.
[0033] Le faisceau radiofréquences émis par la première source peut être une onde électromagnétique
TEM ayant une phase donnée, et le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences
peut être défini dans un repère (X,Y,Z) et s'étendre généralement dans un plan (X,Y),
le dispositif de contrôle comprenant un ensemble de plusieurs cellules, le dispositif
de contrôle de faisceaux radiofréquences étant configuré pour modifier la phase dans
le plan (X,Y).
[0034] Par ailleurs, l'invention fournit un procédé de fabrication du dispositif de contrôle
de faisceaux radiofréquences, le dispositif étant entièrement métallique, et le procédé
de fabrication utilisant au moins une technique d'impression 3D.
[0035] Le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences comprenant deux faces définies
dans le plan (X,Y), le procédé peut comprendre une première étape de dépose de couches
de métal empilées selon la direction de ladite inclinaison β, puis une seconde étape
de découpe d'au moins une des deux faces du dispositif.
[0036] Les modes de réalisation de l'invention fournissent ainsi un dispositif de contrôle
des faisceaux d'ondes électromagnétiques RF en mode TEM, capable d'être invariant
par rapport à la polarisation, adapté à des signaux RF de forte puissance, et se comportant
comme un écran dichroïque de type filtre passe-haut, c'est-à-dire fonctionnant en
réflexion dans une bande de fréquences basse et en transparence dans une bande de
fréquences plus haute, selon des pertes d'insertion très faibles, pour des secteurs
angulaires importants des faisceaux RF incidents.
[0037] Le dispositif selon les modes de réalisation de l'invention permet de contrôler des
faisceaux d'ondes électromagnétiques RF en mode TEM, selon leur bande de fréquences
de façon invariante par rapport à la polarisation. Un tel dispositif peut être par
exemple réalisé sous la forme d'un écran dichroïque de type filtre passe-haut, fonctionnant
en réflexion dans une bande de fréquences basses (par exemple bande X) et en transparence
dans une bande de fréquences plus haute (par exemple bande Ka), selon des pertes d'insertion
très faibles.
[0038] Un tel dispositif est particulièrement adapté aux nouveaux procédés de fabrication
additive qui améliorent les performances de réflexion et de transmission de larges
bandes, selon un secteur angulaire important des faisceaux des signaux électromagnétiques
RF en incidence, et de forte puissance.
Description des figures
[0039] D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la
lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple.
[Fig.1] La figure 1 est un schéma représentant un système optique comprenant un dispositif
de contrôle de faisceaux radiofréquences, selon des modes de réalisation de l'invention.
[Fig.2] La figure 2 est un schéma représentant le cadre de support d'une cellule du
dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences selon des modes de l'invention.
[Fig.3] La figure 3 est une vue en perspective d'une cellule du dispositif de contrôle
de faisceaux radiofréquences montrant le cadre de support et une interconnexion interne
de la cellule, selon des modes de l'invention.
[Fig.4] La figure 4 est une vue en perspective d'une cellule du dispositif de contrôle
de faisceaux radiofréquences montrant le cadre de support et deux interconnexions
internes à la cellule, selon des modes de l'invention.
[Fig.5] La figure 5 représente un circuit équivalent modélisé à partir de cellules
du dispositif de contrôle de faisceaux RF, selon deux schémas (a) et (b), dans des
modes de l'invention.
[Fig.6] La figure 6 est une vue en perspective d'une cellule du dispositif de contrôle
de faisceaux RF montrant le cadre de support, deux interconnexions internes et un
plateau interne à la cellule, selon des modes de l'invention.
[Fig.7] La figure 7 est un tableau illustrant la construction de successions de charges
interne à une cellule du dispositif de contrôle de faisceaux RF, selon des modes de
l'invention.
[Fig.8] La figure 8 est une vue en perspective d'une cellule du dispositif de contrôle
de faisceaux radiofréquences montrant le cadre de support, deux interconnexions internes
et un pilier central à la cellule, selon des modes de l'invention.
[Fig.9] La figure 9 est une vue en perspective d'un ensemble de cellules du dispositif
de contrôle de faisceaux RF, selon des modes de l'invention.
[Fig.10] La figure 10 est une vue en coupe (X, Z) d'un ensemble de cellules du dispositif
de contrôle de faisceaux RF représenté par les schémas (a) et (b), et d'un système
optique représenté par le schéma (c), selon des exemples d'application de l'invention.
[Fig.11] La figure 11 représente des étapes du procédé de fabrication du dispositif
de contrôle de faisceaux RF, selon des modes de réalisation de l'invention.
[Fig.12] La figure 12 est un graphique illustrant les performances radioélectriques
atteintes par un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300, selon des exemples de
réalisation de l'invention.
[0040] Des références identiques sont utilisées dans les figures pour désigner des éléments
identiques ou analogues. Pour des raisons de clarté, les éléments représentés ne sont
pas à l'échelle.
Description détaillée
[0041] La figure 1 représente un système optique 10 comprenant un dispositif de contrôle
de faisceaux radiofréquences (RF) 300, selon des modes de réalisation de l'invention.
[0042] Le dispositif de contrôle de faisceaux radiofréquences 300 peut être par exemple
utilisé comme écran dichroïque dans un système optique 10 mis en oeuvre dans un système
antennaire (non représenté) comprenant un réflecteur de grande dimension associé à
plusieurs sources de signaux électromagnétiques radiofréquences (RF) qui peuvent avoir
une très forte puissance (par exemple de l'ordre de plusieurs dizaines de kilowatts).
[0043] Par exemple et sans limitation, un tel système antennaire peut être implémenté sous
la forme d'une antenne montée à bord d'un satellite ou d'une antenne de station de
contrôle au sol, pour des missions spatiales et/ou scientifiques.
[0044] Tel qu'utilisé ici, le terme « contrôle de faisceaux radiofréquences » (encore appelé
'manipulation de faisceaux radiofréquences') fait référence à divers phénomènes liés
aux ondes électromagnétiques qui peuvent se produire lorsqu'un faisceau RF interagit
avec la matière d'un objet donné, tel que le dispositif 300. Ces phénomènes comprennent
notamment la transmission, la réflexion, l'absorption, la diffusion, la réfraction
et/ou la diffraction de l'onde électromagnétique.
[0045] Par ailleurs, dans une utilisation du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300
en tant qu'écran dichroïque, écran de transmission et/ou écran de réflexion, dans
un système antennaire, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être utilisé
pour transmettre et/ou réfléchir des faisceaux provenant de sources de signaux RF
distinctes ayant chacune une bande de fréquences distincte.
[0046] Un système antennaire peut comprendre différents systèmes optiques formant un ou
plusieurs « chemin optique » et permettant de contrôler (notamment manipuler et/ou
diriger) les signaux RF produits par les sources positionnées à différents endroits
du système antennaire (selon l'encombrement), vers le réflecteur.
[0047] Classiquement, ces systèmes optiques limitent la conception du système antennaire
car ils peuvent induire de fortes pertes de puissance des signaux RF, et contraindre
l'architecture du système antennaire en limitant par exemple la largeur des faisceaux
(ou ouverture angulaire) produits par les sources RF.
[0048] Dans l'exemple de réalisation représenté sur la figure 1, le système optique 10 fait
partie d'un système antennaire (non représenté) et comprend une première source RF
100, une deuxième source RF 200 et un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300.
[0049] Les deux sources RF 100, 200 sont configurées pour émettre des faisceaux d'ondes
électromagnétiques en mode TEM (acronyme pour l'expression anglo-saxonne « Transversal
Electro-Magnetic » associé aux ondes transverses électromagnétiques) dans deux bandes
de fréquences RF distinctes, respectivement notée
λ1 et
λ2, et selon deux axes de propagation donnés, notés respectivement 102 et 104. Une onde
électromagnétique d'un faisceau RF émis est en outre caractérisée par une phase donnée
(et un front d'onde associé). Par exemple, les sources RF 100, 200, peuvent être configurées
pour émettre dans des bandes fréquentielles spécifiques de sorte que
λ1 correspond à la bande dite « bande X », de basse fréquences, comprise typiquement
entre 7
GHz et 8,5
GHz, et
λ2 correspond à la bande dite « bande Ka », de haute fréquences, comprise typiquement
entre 22,5
GHz et 27
GHz.
[0050] Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 est donc défini dans un repère (X,Y,Z).
Selon les modes de réalisation de l'invention, le dispositif de contrôle de faisceaux
RF 300 comprend au moins deux faces notées 310 et 320. Les deux faces 310 et 320 sont
distantes l'une de l'autre d'une distance
d représentant l''épaisseur' du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. Par exemple,
et sans limitation, l'épaisseur
d peut être supérieure ou égale à une valeur sensiblement égale à
λ2/2 . Par exemple et sans limitation l'épaisseur
d peut être égale à 5,5
mm. Cette valeur d'épaisseur
d étant très petite par rapport à la taille globale du système optique 10, le dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300 peut avoir une structure sensiblement plane, définie
dans le plan (X,Y) associé repère (X,Y,Z) et orthogonal à l'axe Z. Ainsi, le dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300 s'étend généralement dans le plan (X,Y).
[0051] Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être utilisé en tant qu'écran
dichroïque pour superposer les faisceaux des sources RF 100, 200 sur un même chemin
optique du système antennaire. L'écran dichroïque 300 permet, d'une part, de réfléchir
le faisceau de la source RF 100 de basse fréquence et, d'autre part, de transmettre
le faisceau de la source RF 200 de haute fréquence. Ainsi, dans exemple de la figure
1, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être positionné entre les deux
sources RF 100, 200, tel que :
- la source RF 100 émet le faisceau RF selon l'axe de propagation 102 se dirigeant vers
la face 310 sur laquelle le faisceau est réfléchi, et
- la source RF 200 émet le faisceau RF selon l'axe de propagation 202 se dirigeant vers
la face 320. Le faisceau RF de la source RF 100 traverse alors le dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300 et donc les deux faces 310 et 320.
[0052] Comme montré sur la figure 1, dans certains modes d'application, les sources RF 100,
200 peuvent être de type cornet et peuvent être associées respectivement à des faisceaux
de champ de rayonnement 104, 204, défini chacun selon un angle d'ouverture noté respectivement
θ1 et
θ2. Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut en outre être configuré pour
modifier ou non l'angle d'ouverture (i.e. la phase et le front d'onde associés) des
champs de rayonnement transmis et/ou réfléchis noté respectivement
θ1t et
θ2t. Par exemple, et de façon non limitative, les deux sources RF 100, 200 peuvent avoir
un champ de rayonnement 104, 204 ayant le même angle d'ouverture noté
θ, avant et après interaction avec le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. L'angle
θ peut être par exemple de l'ordre de 30°. Il est à noter que les sources RF 100, 200
peuvent être en outre associées à un front d'onde sphérique qui sera transformé en
un front d'onde plan par un autre système optique par exemple.
[0053] Dans des modes de réalisation de l'invention, le dispositif de contrôle de faisceaux
RF 300 peut être incliné par rapport à la direction d'incidence moyenne (i.e. direction
de propagation 102 et 202) du faisceau au front d'onde sphérique de deux sources RF
100 et 200, par exemple de manière à former un agencement des sources qui ne génère
pas de masquage. La direction d'incidence moyenne des faisceaux avec l'axe normal
Z du dispositif 300 forme alors un angle d'incidence noté
αi, par exemple sensiblement égale à 30°.
[0054] Il en résulte que, la projection des champs de rayonnement 104 et 204 des sources
RF sur l'écran dichroïque peut varier selon un secteur angulaire très large dépendant
de l'angle d'ouverture
θ et de l'angle d'incidence
αi des sources RF 100 et 200. L'écran dichroïque est alors configuré pour fonctionner
pour des incidences fortement obliques, par exemple pour des secteurs angulaires compris
entre 15° et 45°.
[0055] Dans d'autres exemples de réalisation, le système optique 10 peut comprendre le dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300 et une ou plusieurs sources RF 200 ou 100 positionnées
respectivement en transmission ou en réflexion par rapport au dispositif 300, selon
un angle d'incidence nul, tel que
αi = 0°. Dans ces modes de réalisation, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300
peut être configuré pour transmettre et/ou réfléchir un faisceau RF, et modifier la
phase (et le front d'onde associé) de l'onde électromagnétique du faisceau RF. Une
telle configuration est applicable pour des dispositifs de contrôle de faisceaux RF
300 utilisés en tant qu'écran de transmission (ou « transmitarray » en langue anglo-saxonne)
et/ou écran de réflexion (ou « reflectarray » en langue anglo-saxonne) pour corriger
les aberrations de systèmes optiques multifaisceaux. En particulier, le dispositif
de contrôle de faisceaux radiofréquences 300 s'étendant généralement dans un plan
(X,Y), peut avoir des formes géométriques et des dimensions variables dans le plan
(X,Y) permettant de modifier la phase de l'onde électromagnétique dans le plan (X,Y).
[0056] Par exemple et de façon non limitative, les sources RF 100, 200 peuvent être en outre
associées à un front d'onde sphérique, plan et/ou comportant des déformations telles
que des aberrations générées par des déphasages. Ainsi, le dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300 peut être configuré pour transformer un front d'onde donné (par
exemple sphérique) et un autre front d'onde (par exemple plan) et/ou pour corriger
des aberrations de front d'onde en modifiant localement dans le plan (X,Y) la phase
du faisceau RF. Par ailleurs, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être
configuré pour modifier de façon différente le front d'onde d'une onde destinée à
être réfléchie (provenant de la source 100) par rapport au front d'onde d'une onde
destinée à être transmise (provenant de la source 200). Le système optique 10 résultant
peut comprendre des sources RF positionnées de manière plus proche du dispositif 300
ou agencée de manière plus adaptée à l'application visée.
[0057] Dans un mode de réalisation, les deux faces 310 et 320 peuvent être parallèles entre
elles. Dans un tel mode de réalisation, les deux faces 310 et 320 peuvent être des
surfaces définies selon deux dimensions dans le plan (X,Y) orthogonal à l'axe normal
Z. En variante, les deux faces 310 et 320 peuvent être des surfaces définies selon
trois dimensions dans le repère (X,Y,Z). Dans ces modes de réalisation, l'épaisseur
d entre les deux faces 310 et 320 parallèles est homogène le long du dispositif de
contrôle de faisceaux RF 300.
[0058] Alternativement, l'épaisseur
d entre les deux faces 310 et 320 est inhomogène le long du dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300, telle que l'épaisseur
d peut varier selon l'axe X et/ou selon l'axe Y. Dans ce mode de réalisation avec épaisseur
variable, au moins une des deux faces 310 et 320 peut être définie comme une surface
définie selon trois dimensions dans le repère (X,Y,Z). Par exemple et de façon non
limitative, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut comprendre un centre
O (non représenté sur les figures) positionné dans le plan (X,Y) tel que l'épaisseur
d varie de façon croissante ou décroissante à partir de ce centre O, selon l'axe X,
pour former un élément quasi-optique, pouvant être un élément concave ou convexe respectivement.
[0059] Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 selon les modes de réalisation de l'invention
comprend un ensemble de cellules 400 agencées dans le plan (X,Y), comme représenté
sur les figures 2 à 4, 6 et 8 à 10.
[0060] Chaque cellule 400 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend un cadre
de support de cellule 420 externe et une ou plusieurs interconnexions internes 460.
[0061] La figure 2 ne montre que le cadre de support externe 420 d'une cellule 400, pour
faciliter la compréhension de l'invention.
[0062] Le cadre de support 420 d'une cellule 400 (encore appelé « cadre de support de cellule
») est inscrit dans une forme générale de prisme (ou cylindre à facettes) ayant un
axe principal s'étendant selon un axe Z'. L'axe Z' correspond à une droite génératrice
du prisme et est encore appelé « axe de prisme Z' ». Le cadre de support de cellule
420 est de longueur
d selon l'axe Z'. Dans l'exemple de réalisation sur la figure 2 (et également sur les
figures 3, 4, 6, 8 et 9), l'axe Z' est équivalent à l'axe Z. Un tel prisme est un
polyèdre ayant des faces formées par des parallélogrammes, encore appelées « faces
prismatiques » et deux bases polygonales parallèles. La forme de prisme peut être,
par exemple et sans limitation, un parallélépipède carré dit cuboïde ou un prisme
hexagonal.
[0063] Ainsi, le cadre de support de cellule 420 est inscrit dans une forme générale de
prisme qui s'appuie sur une base polygonale à

côtés de largeur ℓ, définie dans le plan (X,Y) et s'étend selon l'axe du prisme Z'.
Les

faces prismatiques

sont reliées entre elles par

arêtes latérales

parallèles entre elles et parallèles à l'axe du prisme Z'.
[0064] n est un indice associé aux différentes faces du prisme dans lequel est inscrit le
cadre de support de cellule 420, avec n

. Par exemple, si

est égal à 4, les faces prismatiques comprennent les faces

et

et les arêtes latérales comprennent les arêtes

et

[0065] Comme représenté sur la figure 2, le cadre de support de cellule 420 comprend, au
niveau de chaque arête latérale du prisme, un élément de coin 4200-
n agencé dans le coin du prisme correspondant à l'arête latérale

Un élément de coin 4200-
n est constitué de deux plaques rectangulaires 4200A-
n et 4200B-
n raccordées au niveau d'un bord 430-
n coïncidant avec l'arête latérale

associée au coin du prisme, chaque plaque ayant une longueur égale à la longueur
d du prisme selon l'axe
d (équivalente à l'axe Z sur les figures 2 à 4, 6, 8 et 9). Chacune des deux plaques
4200A-
n et 4200B-
n d'un élément de coin 4200-
n s'étend partiellement sur une des deux faces prismatiques

et

adjacentes reliées par le bord 430-
n correspondant à l'arête

associée au coin du prisme. La largeur d'une plaque rectangulaire 4200A-
n ou 4200B-
n dans le plan (X, Y) de l'élément de coin est inférieure à la largeur ℓ d'une face
prismatique.
[0066] Ainsi, le cadre de support de cellule 420 est inscrit dans le prisme et comprend

« murs » 420-
n coïncidant avec l'une des

faces prismatiques

du prisme du cadre de support de cellule 420, chaque mur 420-
n comprenant une discontinuité définie par une fente 440-
n, s'étendant selon l'axe du prisme Z' (équivalente à l'axe Z sur les figures 2 à 4,
6, 8 et 9). Un mur 420-
n comprend ainsi deux plaques rectangulaires, séparée l'une de l'autre par la fente
440-
n, chacune des deux plaques appartenant à deux éléments de coin adjacents 4200-
n et 4200-(
n + 1) par exemple. Un mur 420-
n du cadre de support de cellule 420 comprend ainsi les deux plaques rectangulaires
adjacentes 4200A-
n et 4200B-
n qui s'étendent sur une même face prismatique

et sont séparées de la fente 440-
n.
[0067] Les

« murs » 420-
n du cadre de support de cellule 420 ont une épaisseur de mur notée m. Il est à noter
que, dans un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprenant deux ou plusieurs
cellules 400, l'épaisseur de murs entre deux cellules 400 peut être définie comme
étant égale à une valeur 2 ×
m. En outre, chacune des

fentes de mur 440-
n a une largeur

correspondant à la distance entre les deux plaques rectangulaires 4200A-
n et 4200B-
n du mur qui appartiennent aux deux éléments de coin adjacents. Les

fentes 440-
n continues peuvent être médianes par rapport aux murs 420-
n, c'est-à-dire positionnées sensiblement au milieu du mur correspondant 420-
n.
[0068] L'angle entre les deux plaques 4200A-
n et 4200B-
n d'un élément de coin 4200-
n dépend de la forme du prisme et notamment du nombre

de côtés de la base polygonale.
[0069] Dans l'exemple de la figure 2, l'axe du prisme Z' est parallèle à l'axe Z est telle
que le cadre de support de cellule 420 a une forme de prisme droit. Ainsi l'angle
des bords 430-
n correspondant aux arêtes

avec le plan (X,Y) du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 est droit.
[0070] Alternativement, l'axe du prisme Z' peut présenter une inclinaison β par rapport
à l'axe Z telle que le cadre 420 a une forme de prisme oblique.
[0071] Par ailleurs, le cadre de support de cellule 420 peut être entièrement ou partiellement
métallique de sorte à former

murs 420-
n électriquement conducteurs. Le cadre de support de cellule 420, selon les modes de
réalisation de l'invention, interrompu par les

fentes sur chacune de ces faces agit comme un guide d'onde à murs parallèles 420-
n permettant la propagation du faisceau à transmettre par le dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300, provenant de la seconde source RF 200.
[0072] De tels cadres de support de cellule 420 interrompus par des fentes (ou fendus) peuvent
ainsi fonctionner comme écran de transmission dans toutes les bandes de fréquences
des signaux RF, et peuvent être en particulier utilisés pour des bandes L, S, C, Ku
et Ka.
[0073] L'ensemble de cellules 400 forme un agencement périodique de guides d'ondes dont
le dimensionnement est petit par rapport à la longueur d'onde notée
λ2 associée à la bande de fréquence du faisceau provenant de la source RF à transmettre.
En particulier, la largeur ℓ du cadre de support de cellule 420 peut être déterminée
telle que

. Il est à noter que la valeur maximale
ℓmax de la largeur ℓ peut être déterminée telle que

.
[0074] Dans des modes de réalisation, l'épaisseur
m des

murs 420-
n peut être faible et être en outre ajustée, par exemple minimisée, de manière à atténuer
les pertes de transmission du faisceau de la source RF 200 aux interfaces entre l'air
et le guide d'onde (en entrée, face 310 et/ou en sortie, face 320), ainsi que les
pertes de transmission sur une bande de fréquence et un secteur angulaire donnés qui
sont proportionnelles au rapport
m/ℓ. En effet, la réduction de la bande passante et la réduction du secteur angulaire
peuvent être corrélées à la quantité de matière métallique formant le cadre de support
de cellule 420. La minimisation l'épaisseur
m peut de surcroît entraîner une minimisation de la masse totale du dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300, tout en garantissant sa rigidité. Avantageusement, l'épaisseur
m des murs 420-
n est inférieure à la longueur d'onde
λ2, ce qui permet de conférer une stabilité de transmission du faisceau de la source
RF 200 par rapport à la variation de l'angle d'ouverture
θ en incidence sur le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. En particulier, l'épaisseur
m des

murs 420-
n selon les modes de l'invention peut être comprise entre 250µm et 500µm. L'épaisseur
m des

murs 420-
n peut être en outre définie en fonction des avantages et contraintes associées au
processus de fabrication du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. Par exemple
et de façon non limitative, lorsque le dispositif est fabriqué en utilisant un processus
de fabrication additive (ou technique d'impression 3D), l'épaisseur de murs entre
deux cellules 400 d'un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être égale
à une valeur 2 ×
m = 500µ
m. Lorsque le dispositif est fabriqué en utilisant un processus de fabrication traditionnelle,
l'épaisseur de murs entre deux cellules 400 d'un dispositif de contrôle de faisceaux
RF 300 peut être égale à une valeur 2 ×
m = 1
mm.
[0075] L'ouverture des cadres de support de cellule 420 au niveau des

fentes 440-n traversant les murs 420-
n permet en outre de simuler un matériau diélectrique et d'élargir significativement
de la bande de transmission du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300.
[0076] Notamment, la largeur

des fentes 440-n peut être comprise entre une valeur minimale notée

et une valeur maximale notée

Par exemple et sans limitation, la valeur minimale

et la valeur maximale

de largeur des fentes 440-n peuvent être définies en fonction de la largeur ℓ du cadre
de support de cellule 420 et/ou de l'épaisseur
m des murs 420-
n, selon les équations (1) et (2) suivantes :

[0077] Les largeurs

des fentes d'une même cellule 400 et/ou des fentes de l'ensemble des cellules 400
du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peuvent être identiques ou variables
en fonction des modes d'application de l'invention. Par exemple, et de façon non limitative,
un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 utilisé pour transmettre et/ou dévier
et/ou réfléchir un faisceau RF peut comprendre des largeurs de fentes

qui varient (de quelques micromètres par exemple) par rapport au centre O du dispositif
300 afin de moduler spatialement la phase du faisceau incident. Ainsi, le dispositif
de contrôle de faisceaux radiofréquences 300 s'étendant généralement dans un plan
(X,Y), peut comprendre un ensemble de plusieurs cellules 400 ayant des formes géométriques
et des dimensions variables (par exemple la largeur

) dans le plan (X,Y) permettant de modifier de façon très fine (à l'échelle de la
cellule) la phase (et le front d'onde associé) de l'onde électromagnétique dans le
plan (X,Y).
[0078] Dans certains modes de réalisation, une fente 440-
n peut être échancrée (c'est-à-dire avoir un profil variable selon l'axe du prisme
Z') en entrée (face 310) et/ou en sortie (face 320) et/ou le long de la section du
guide d'onde. Ces échancrures (non représentées sur les figures) et leurs dimensions,
c'est-à-dire leur longueur, leur profondeur et leur position, peuvent différer selon
la fente 440-
n considérée dans la cellule 400 et/ou dans le plan (X,Y).
[0079] L'utilisation du cadre de support de cellule 420 comme guide d'onde en transmission
permet de ne pas introduire de dispersion fréquentielle dans les sections du guide
d'onde et d'obtenir des réponses très large bande pour une transmission totale d'un
faisceau RF incident.
[0080] Chaque cellule 400 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend une ou
plusieurs interconnexions internes 460 ayant des caractéristiques choisies pour permettre
par exemple un paramétrage de l'élargissement de la bande de fréquence du faisceau
provenant de la première source RF 100 à réfléchir et/ou du faisceau provenant de
la seconde source RF 200 à transmettre.
[0081] Comme représenté sur la figure 3, une interconnexion interne 460 d'une cellule 400
comprend

tiges 462-
n.
[0082] Les

tiges 462-
n de l'interconnexion interne 460 ont une forme sensiblement cylindrique, la longueur
ℓ
t et de diamètre
et. Par exemple et sans limitation les diamètres
et des tiges peuvent être compris entre 400µm et 540µm. Les

tiges 462-n comprennent en outre deux extrémités notées 462-
n1 et 462-
n2 sur la figure 3. Pour chacune des

tiges 462-
n, l'une des extrémités 462-
n1 de la tige 462-
n est reliée à un bord 430-
n correspondant à une arête latérale

selon un « point d'attache », tandis que l'autre extrémité 462-
n2 de la tige 462-
n est reliée à un « point de connexion » des autres des tiges 462-
n. En particulier, le point de connexion peut être positionné sensiblement au centre
du cadre de support de cellule 420, dans le plan (X,Y), de sorte que l'ensemble des
extrémités 462-n2 des tiges 462-
n soient connectées entre elles. Les

tiges 462-
n peuvent alors avoir la même longueur ℓ
t.
[0083] Par ailleurs, les tiges 462-
k peuvent être entièrement ou partiellement métalliques de manière à former une interconnexion
interne 460 électriquement conductrice qui interconnecte les

murs 420-
n pour les rendre entièrement solidaires entre elles. L'interconnexion interne 460
forme alors une discontinuité électrique élémentaire qui peut interagir avec les champs
électriques incidents des ondes électromagnétiques TEM produites par les sources RF
100 et/ou 200 se propageant dans le cadre de support 420. Cette interaction avec les
champs électriques induit la formation de courants électriques dans les tiges 462-
k.
[0084] Le mode de réalisation de l'interconnexion 460 dans lequel les points d'attache sont
situés au niveau des bords 430-
n correspondant aux arêtes latérales

(comme illustré sur la figure 3) est une interconnexion symétrique par rapport au
cadre 420. Une cellule 400 comprenant une interconnexion 460 symétrique par rapport
au cadre 420, est configuré pour réaliser une transmission et/ou une réflexion des
ondes électromagnétiques TEM (produites par les sources RF 100 et 200) qui est invariante
en polarisation. C'est-à-dire que la réponse fréquentielle de la cellule 400 permet
à la polarisation des champs électriques des ondes électromagnétiques TEM incidents
sur un ensemble de cellule 400, de ne pas varier après avoir été transmise ou réfléchie.
[0085] Dans les modes de réalisation où le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend
une interconnexion interne 460, comme illustré par la figure 3, l'interconnexion interne
460 forme une unique discontinuité électrique élémentaire. Le dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300 est alors qualifié de « dispositif d'ordre 1 ».
[0086] En outre dans des modes de réalisation où

est égal à 4, comme illustré par exemple sur la figure 3, une interconnexion interne
460 comprend 4 tiges pouvant être connectées au cadre de support de cellule 420 en
4 points d'attache ayant (ou non) une même distance d
1 de l'entrée de la cellule 400 (correspondant par exemple à la face 320). En particulier,
la distance
d1 peut être définie à partir de la longueur
d du cadre de support de cellule 420 (par exemple
d =
d1 × 2).
[0087] Une tige 462-
n et un bord 430-
n d'un élément de coin forment entre eux un angle
γ au niveau de l'extrémité 462-
n1 de la tige 462-
n (ou point d'attache). Par exemple, dans certains modes de réalisation, les tiges
462-
n peuvent être définies dans un plan perpendiculaire à l'axe du prisme Z'. Avantageusement,
l'angle
γ est alors égal à 90° (
γ = 90°) et la position du point de connexion est égale à la position
d1 des points d'attache. Dans d'autres modes de réalisation, chacune des

tiges 462-
n forme un angle
γ < 90° ou
γ > 90° avec le bord 430-
n d'élément de coin associé à leur point d'attache, tel que la position du point de
connexion est supérieure ou inférieure à la position
d1 des points d'attache dans le plan perpendiculaire à l'axe du prisme Z'.
[0088] Les différentes cellules 400 du dispositif 300 sont adjacentes et connectées entre
elles par les murs de cellule communs 420-
n. Par ailleurs, l'interconnexion interne 460 de chaque cellule 400 est connectée au
cadre de support de la cellule 420 par les différents points d'attache. Un tel agencement
des cellules 400 est effectué de sorte que les cellules 400 du dispositif 300 soient
solidaires entre elles, malgré la présence des fentes 440-
n.
[0089] Comme représenté sur la figure 4, une cellule 400 peut comprendre par exemple et
sans limitation, deux interconnexions internes 460, tel que décrit en relation avec
le mode de réalisation de la figure 3. Chacune de ces deux interconnexions internes
460 comprend

tiges 462-
n. Dans les modes de réalisation où le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend
deux interconnexions internes 460, formant deux discontinuités électriques élémentaires,
le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 est qualifié de « dispositif d'ordre
2 ».
[0090] Une première interconnexion interne 460 peut être connectée au cadre de support de
cellule 420 en

points d'attache situés à une même distance
d1 par rapport à l'entrée de la cellule 400 (correspondant par exemple à la face 320),
tandis qu'une deuxième interconnexion interne 460 peut être connectée au cadre de
support de cellule 420 en

points d'attache situés à une même distance
d3 par rapport la sortie de la cellule 400 (correspondant par exemple à la face 310).
La distance
d2 entre les
n points d'attache respectifs des deux interconnexions internes 460 est définie à partir
de la longueur
d du cadre de support de cellule 420 (par exemple
d =
d1 +
d2 +
d3).
[0091] Avantageusement, le choix des positions d'accroche des tiges 462-
n détermine les dimensions
d1 et
d3 de cellules et permet d'influer sur l'élargissement de la bande de fréquences du
faisceau (notamment en transmission). En outre, les différentes dimensions
d1 et
d3 de l'ensemble des cellules 400 du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peuvent
être identiques ou variables en fonction de l'application de l'invention. Par exemple,
et de façon non limitative, un dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 utilisé
pour transmettre et/ou dévier et/ou réfléchir un faisceau RF peut comprendre des dimensions
d1 et
d3 variables par rapport au centre O du dispositif afin de moduler spatialement la phase
du faisceau incident.
[0092] Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 selon l'invention peut être fabriqué
à partir d'une modélisation des cellules 400 en circuit électrique équivalent (phase
de conception). Une telle modélisation permet avantageusement d'optimiser les propriétés
de contrôle quasi-optique des faisceaux RF désirées pour le dispositif 300 en fonction
de l'application de l'invention. En particulier, les caractéristiques du cadre de
support de cellule 420 constitué de

éléments de coin 4200-
n, formant

murs 420-
n interrompus chacun par une des

fentes 440-
n, permettent de modéliser une impédance caractéristique

d'une cellule 400. Avantageusement, l'impédance caractéristique

d'une cellule 400 est déterminée en fonction des paramètres
d et

de la cellule 400. Par exemple, une largeur de fentes

plus faible peut induire une impédance caractéristique

plus forte. Dans ce cas, la variation de profil des fentes (par des échancrures)
peut être mise en oeuvre dans la phase de conception pour optimiser l'impédance caractéristique

.
[0093] Une interconnexion interne 460 d'une cellule (l'interconnexion 460 comprenant

tiges 462-
n), électriquement conductrice, forme une discontinuité électrique dans la cellule
400. En outre, deux interconnexions internes 460 forment un nombre de 2 discontinuités
électriques successives dans la cellule 400, correspondant aux deux ensembles de

tiges 462-
n. Ainsi, dans les modes de réalisation de cellule 400 représentés sur les figures
3 et 4, les tiges électriquement conductrices 462-
n, encore appelées « tiges inductives », forment une succession de charges inductives
notées « L » et exprimées en nH (nanoHenry), et positionnées en parallèle dans le
circuit équivalent de la cellule 400.
[0094] Le schéma (a) de la figure 5 représente un tel circuit équivalent modélisé à partir
de cellules du dispositif de contrôle de faisceaux RF.
[0095] Les paramètres relatifs à la représentation électrique de la cellule 400 en circuit
équivalent dépendent de la position des points d'accroche 462-
n1 des tiges 462-
n selon les dimensions
d1 et
d3.
[0096] Ainsi, en référence à l'exemple de la figure 4 et au circuit modélisé sur le schéma
(a) de la figure 5, la première charge inductive et la deuxième charge inductive sont
branchées respectivement en entrée et en sortie de la portion de ligne d'impédance
caractéristique

de longueur respectivement
d1 et
d3 (avec par exemple
d3 =
d1).
[0097] Avantageusement, la configuration des interconnexions internes 460 de manière symétrique
par rapport au cadre de support de cellule 420, selon des points d'attache au niveau
des bords 430-
n, permet de modéliser des circuits électromagnétiques équivalents de la cellule 400
identiques (ou invariants) par rapport à la caractérisation selon chaque polarisation
TE et TM des champs électriques incidents des ondes TEM produites par les sources
RF 100 et 200.
[0098] Les inductances L des charges inductives successives modélisées par le circuit équivalent
peuvent en outre dépendre du ou des diamètres
et des

tiges 462-
n des interconnexions internes 460. En particulier, l'augmentation du diamètre
et peut induire une diminution de l'inductance. Dans des modes de réalisation de l'invention,
une augmentation du diamètre
et par trois peut entraîner une diminution de l'inductance L d'un facteur trois. À titre
d'exemple non limitatif, un diamètre
et trop grand peut dégrader de façon significative la largeur de la bande de transmission
pour les fréquences élevées (de la source 200). Dans ce cas, une étape d'optimisation
du ou des diamètres e
t peut être mis en oeuvre dans la phase de conception du dispositif 300 pour optimiser
en parallèle la ou les valeurs d'inductances L. Par exemple, il est possible d'obtenir
des inductances L jusqu'à une valeur limite L
limit déterminée à partir d'une valeur minimale du diamètre
et des tiges.
[0099] Les inductances L peuvent également dépendre de l'angle d'inclinaison
γ des

tiges 462-
n. En particulier, une forte variation de cet angle d'inclinaison
γ par rapport à une valeur de 90° peut induire une augmentation de l'inductance d'une
part tandis que la distribution des positions de cette inductance est dissymétrique
sur le circuit équivalent. Il peut en résulter des effets sur les propriétés de réflexion
et de transmission du dispositif 300. Par exemple, la variation de l'angle
γ peut être liée à l'élargissement de la bande de fonctionnement du dispositif 300,
avec une dégradation simultanée du niveau de réflexion.
[0100] La figure 6 représente une vue en perspective d'une cellule 400 comprenant deux interconnexions
internes 460 et un plateau 470 interne au cadre de support de cellule 420, selon des
modes de l'invention où le nombre

est égal à 4.
[0101] Le plateau 470 interne au cadre de support de cellule 420 peut s'étendre dans un
plan orthogonal à l'axe du prisme Z' et être agencé (ou positionné) sensiblement au
milieu des deux interconnexions internes 460.
[0102] Un plateau interne 470 peut être une structure métallique ayant une épaisseur
ec et une forme adaptée à la forme de la base polygonale de

côtés du cadre de support 420. Par exemple et sans limitation, la base polygonale
du cadre de support de cellule 420 peut avoir une forme carrée (

) de côté de longueur ℓ et le plateau interne 470 peut avoir une forme carrée de côté
de longueur ℓ
c, tel que

[0103] En particulier, le plateau interne 470 peut être conçu pour se rapprocher du cadre
de support de cellule 420, selon un espacement (ou longueur)
ε ≠ 0, mais ne pas être connecté métalliquement par les côtés du plateau interne 470
au cadre de support de cellule 420. Dans certains modes de réalisation, le plateau
interne 470 peut être maintenu à l'intérieur du cadre de support de cellule 420 par
un moyen de support diélectrique. Alternativement, le plateau interne 470 peut être
maintenu par une connexion diélectrique ou métallique aux deux interconnexions internes
460. Par exemple, cette connexion diélectrique ou métallique aux deux interconnexions
internes peut être un pilier central s'étendant selon l'axe du prisme Z' et comprenant
une extrémité supérieure et une extrémité inférieure connectées aux deux interconnexions
internes 460, le plateau capacitif étant alors agencé sensiblement au milieu du pilier
central entre les des deux interconnexions internes 460.
[0104] Un plateau interne 470 métallique et électriquement conducteur peut induire une charge
capacitive notée « C» exprimée en fF (femtoFarad), formant une discontinuité électrique
élémentaire dans la cellule 400. Un tel plateau 470 interne au cadre de support de
cellule 420 correspondant plus généralement à un plateau appelé « plateau capacitif
».
[0105] Selon les modes de réalisation où le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 comprend
deux interconnexions internes 460 (tiges inductives) et un plateau interne 470 (plateau
capacitif), formant trois discontinuités électriques élémentaires comme décrit en
référence à l'exemple sur la figure 6, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300
est alors qualifié de « dispositif d'ordre 3 ».
[0106] La modélisation en circuit électrique équivalent de la cellule 400 telle que représentée
sur la figure 6 est représentée sur le schéma (b) de la figure 5. Cette modélisation
en circuit électrique équivalent représente une succession de charges : inductive
(L), capacitive (C) et inductive (L). Chacune des charges (capacitive et inductives)
dans le circuit équivalent modélisé sont conçues pour réaliser une réponse fréquentielle
du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 de type filtre passe-haut. Notamment,
une telle structure des cellules 400 permet d'obtenir une augmentation significative
de la réjection de la bande fréquentielle basse. Par exemple, à 8.5 GHz, la réjection
de la bande X peut atteindre 32 dB lorsque la bande passante est la bande Ka.
[0107] La capacité C de la charge capacitive, par exemple modélisée dans le circuit équivalent
en figure 5 (b), peut donc dépendre des différentes dimensions du plateau capacitif.
En particulier, l'augmentation de l'épaisseur
ec peut augmenter la capacité du circuit. Dans des modes de réalisation de l'invention,
une augmentation du diamètre
ec peut impliquer une augmentation de la capacité C. A titre d'exemple, un diamètre
ec trop grand peut dégrader de façon significative la largeur de la bande de transmission
pour les fréquences élevées (de la source 200).
[0108] Le plateau capacitif peut avoir toute forme adaptée par rapport à la forme de la
base polygonale du cadre de support de cellule 420.
[0109] Dans des modes de réalisation, pour atteindre les mêmes performances que pour un
plateau capacitif ayant une forme équivalente à la forme de la base polygonale, la
cellule 400 peut comprendre un cadre de support de cellule 420 ayant une épaisseur
mc de mur 420-
n plus grande localement dans le plan du plateau capacitif, par rapport à l'épaisseur
m de mur 420-
n. Un épaississement local des murs du cadre 420 jusqu'à un espacement
ε de la forme du plateau capacitif permet d'obtenir des performances similaires au
cas précédent, dans lequel il n'y a pas d'épaississement local des murs 420-
n. Avantageusement, cette alternative peut être utilisée si des grandes valeurs de
C sont à mettre en oeuvre.
[0110] Avantageusement, en fonction de l'application envisagée de l'invention, la conception
du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut comprendre une étape de détermination
de l'ordre
x du dispositif afin d'optimiser le paramétrage associé au contrôle de faisceaux RF
(par exemple l'élargissement de la bande de fréquence du faisceau provenant de la
première source RF 100 à réfléchir et/ou du faisceau provenant de la seconde source
RF 200 à transmettre). En particulier, pendant la modélisation des cellules 400 en
circuit équivalent, la détermination de l'ordre
x du dispositif peut comprendre l'évaluation des successions de charges inductives
ou des successions de charges inductives et capacitives, comme représenté dans le
tableau de la figure 7.
[0111] Le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut être fabriqué en utilisant différentes
techniques, telle qu'une technique d'impression 3D, encore appelée fabrication additive.
Avantageusement, l'utilisation d'une technique d'impression 3D permet d'obtenir un
dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 uniforme, ne comportant pas de diélectrique
et entièrement métallique, en utilisant un matériau électriquement conducteur tel
que l'aluminium ou le titane par exemple. Le matériau électriquement conducteur comme
le titane peut ensuite être recouvert d'un autre matériau électriquement conducteur
tel que l'argent par exemple afin de réduire les pertes ohmiques. De plus, la technique
de fabrication 3D induit des Produits d'Intermodulations Passives (ou PIP) générés
de moindre intensité de sorte que le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut
supporter de plus fortes puissances provenant des sources de signaux RF.
[0112] Dans certains modes de l'invention, en fonction de la technique de fabrication utilisée
pour fabriquer le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300, des éléments internes
supplémentaires peuvent être ajoutés au cadre de support de cellule 420, tel qu'un
pilier central par exemple.
[0113] La figure 8 représente une vue en perspective d'une cellule 400 comprenant deux interconnexions
internes 460 et un pilier central 480 agencé au centre du cadre de support de cellule
420, selon un exemple de réalisation de l'invention dans lequel le nombre

est égal à 4.
[0114] Bien que non limitée à de tels modes de réalisation, l'utilisation d'un pilier central
480 est particulièrement avantageuse dans les modes de réalisation où la technique
de fabrication est une technique d'impression 3D.
[0115] Le pilier central 480 peut avoir une forme sensiblement cylindrique, de diamètre
noté
ep et de longueur
dp, et comprendre deux extrémités notées 482-1 et 482-2 et appelées « extrémité supérieure
482-1 » et « extrémité inférieure 482-2 ». Le pilier central 480 s'étend selon l'axe
du prisme Z' (dans le sens de sa longueur) et est ainsi parallèle à l'orientation
générale des

murs 420-
n. En outre, le pilier central 480 est agencé (ou positionné) sensiblement au centre
du cadre de support de cellule 420 (i.e. centre du cadre dans le plan orthogonal à
l'axe du prisme Z'). Au moins l'une des deux extrémités 482-1 et 482-2 peut être positionnée
à l'extérieur de la cellule 400. Dans le cas où les deux extrémités 482-1 et 482-2
sont positionnées à l'extérieur de la cellule 400, la relation
dz ≤
d est vérifiée. Dans le cas où une seule des deux extrémités 482-1 ou 482-2 est positionnée
à l'extérieur de la cellule 400, la relation
dz ≤
d ou
dz >
d peut être vérifiée. Alternativement, les deux extrémités 482-1 et 482-2 de l'interconnexion
480 peuvent être positionnées à l'intérieur de la cellule 400 tel que
dz ≤
d.
[0116] Par ailleurs, comme représenté sur la figure 8, chacune des deux extrémités 482-1
ou 482-2 du pilier central 480 est reliée à un des deux points connexion formés par
les extrémités 462-
n2 des tiges 462-
n de chacune des deux interconnexions internes 460. Par exemple, l'extrémité supérieure
482-1 peut être reliée au point de connexion de tiges d'une desdites interconnexions
internes 460, et l'extrémité inférieure 482-2 peut être reliée au point de connexion
de tiges d'une autre interconnexion interne 460. Les deux interconnexions internes
460 et le pilier central 480 forment ainsi une unique interconnexion du cadre de support
de cellule 420.
[0117] Cette unique interconnexion solidaire permet une grande rigidité mécanique des tiges
462-
n, et plus généralement des cellules 400. Une telle rigidité engendre notamment une
stabilité mécanique du dispositif 300 au cours du temps, et ainsi de ces propriétés
de contrôle quasi-optique de faisceaux RF, dans des applications de l'invention utilisant
des sources de très forte puissance. Par ailleurs, le pilier central 480 facilite
la fabrication des interconnexions internes 460 et donc des cellules 400 à faces fendues,
en particulier lorsque le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 est fabriqué
en utilisant une technique d'impression 3D.
[0118] Selon certains modes de réalisation, la distance
d2 entre les deux ensembles de points d'attache des tiges 462-
n formés par les deux interconnexions internes 460 peut être supérieure, inférieure
ou égale à la longueur
dp du pilier central 480. En particulier, la distance
dp peut dépendre de l'angle
γ. Par exemple, dans certains modes de réalisation, les deux ensembles de tiges 462-
n peuvent être définies dans un plan perpendiculaire à l'axe du prisme Z', comme illustré
par l'exemple d'interconnexions internes 460 de la figure 4. L'angle
γ est alors égal à 90° (
γ = 90°) et la distance
d2 est égale à
dp. Dans d'autres modes de réalisation, chacune des tiges 462-
n forme un angle
γ < 90° ou un angle
γ > 90° avec le bord 430-
n d'élément de coin associé à leur point d'attache (qui coïncide avec une arête latérale

). Par exemple, l'angle
γ peut être égal à un angle de 90°±45° (
γ = 45°
et/
ou 135°), dans les modes de réalisation utilisant une technique d'impression 3D, et
la distance
d2 peut être supérieure à
dp, comme illustré sur la figure 8. L'homme du métier comprendra aisément que ces exemples
d'angle
γ et de distance
d2 sont donnés à titre d'exemples non limitatifs et que l'invention couvre toute combinaison
d'angle
γ et de distance
d2 qui peut être mise en oeuvre en fonction des propriétés désirées pour le dispositif
300, telle que par exemple les propriétés de contrôle quasi-optique des faisceaux
RF, de stabilité et de rigidité, de facilité de fabrication, etc. L'unique interconnexion
460 interconnectant les

murs 420-
n pour les rendre solidaires permet d'obtenir une structure du dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300 ayant des propriétés de solidité très importantes, au moyen notamment
du pilier central 480, des points d'attache au niveau des bords 430-
n, et de l'angle
γ des tiges 462-
n.
[0119] Dans un exemple de réalisation non limitatif, le diamètre
ep du pilier central 480 peut être égal à 400µm. Le pilier central 462 n'a sensiblement
aucun effet sur les propriétés de contrôle quasi-optique de faisceaux RF du dispositif
300. En effet, la propagation est orthogonale au pilier des champs électriques incidents
des ondes électromagnétiques TEM (produites par les sources RF 200 par exemple) qui
se propagent dans le guide d'ondes formé par le cadre de support de cellule 420. Cette
propagation orthogonale n'induit pas de formation de courant électrique dans le pilier
central 480, le diamètre
ep étant négligeable par rapport aux bandes de fréquences RF. De ce fait, l'impact du
pilier central 480 dans la modélisation en circuit équivalent est sensiblement négligeable.
Par exemple, l'unique interconnexion de la figure 8 peut être sensiblement modélisée
par les deux interconnexions internes 460 représentées sur la figure 4, c'est-à-dire
comme une succession de deux charges inductives (L). Le schéma (a) de la figure 5
représente donc le circuit équivalent modélisé à partir de telles cellules du dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300.
[0120] L'impact du pilier central 480 étant négligeable dans la modélisation en circuit
équivalent, l'homme du métier comprendra aisément qu'une telle configuration particulière
d'interconnexion, comprenant un ou plusieurs piliers centraux 480, peut être adaptée
à toutes conceptions de dispositif d'ordre
x, tel que
x ≥ 2 selon la détermination du nombre et de la nature des successions de charges (inductives,
ou inductives et capacitives) représentées en exemple sur la figure 7.
[0121] Avantageusement, en fonction de la technique de fabrication du dispositif de contrôle
de faisceaux RF 300, l'ajout d'un ou plusieurs piliers centraux 480 peut permettre
de faciliter la fabrication d'un ou plusieurs plateaux 470 internes au cadre de support
de cellule 420. En particulier, un plateau capacitif peut être formé par un élargissement
local du diamètre
ep sur une petite portion
ec de la longueur
dp d'un pilier central 480 d'une unique interconnexion. L'élargissement local du diamètre
ep peut en outre avoir une forme équivalente à la forme de la base polygonale selon
une longueur de côté
ℓc.
[0122] La figure 9 représente une vue en perspective de plusieurs cellules 400 du dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300, dans un mode de réalisation où le nombre

est égal à 6.
[0123] Dans un tel mode de réalisation où le nombre

est égal à 6, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 présente des sections
hexagonales de guides d'onde en transmission.
[0124] Avantageusement, si le nombre

augmente, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut présenter de meilleures
propriétés d'invariance en polarisation et de stabilité de transmission par rapport
à la variation de l'angle d'ouverture l'onde électromagnétique injecté en incidence.
Une telle augmentation induit une plus importante solidité de la structure.
[0125] Alternativement, si le nombre

diminue, le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 peut présenter des avantages
de fabrication puisque la structure présente moins de matière.
[0126] Dans les modes de réalisation du cadre de support de cellule 420 représentés sur
les figures 2 à 5, 8 et 9, l'axe du prisme Z' est parallèle à l'axe Z. En outre l'axe
du prisme Z' peut présenter une inclinaison β par rapport à l'axe Z.
[0127] La figure 10 représente des vues dans un plan (X,Z) de plusieurs cellules 400 du
dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 selon deux modes de l'invention représentés
par les schémas (a) et (b), dans lesquels les murs 420-
n, les fentes 440-n (et en outre les piliers centraux 480) du cadre de support de cellule
420 sont orientés selon une inclinaison
β par rapport à l'axe Z.
[0128] Dans des modes de réalisation du système optique 10 sur la figure 1, l'angle d'inclinaison
β des cellules 400 est par exemple compris entre 0° et
αi par rapport à l'axe Z. En effet, l'axe du prisme Z' des cellules 400 du dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300, inclinée par rapport à la direction d'incidence moyenne
du faisceau au front d'onde sphérique de deux sources RF 100, 200, selon un angle
d'incidence noté
αi, peut être composé de cellules 400 d'angle d'inclinaison
β =
αi tel qu'illustré schématiquement sur les schémas (a), (b) et (c) de la figure 10,
pour augmenter la robustesse des propriétés quasi-optique de la structure vis-à-vis
du secteur angulaire, c'est-à-dire de l'angle d'incidence et de l'angle d'ouverture
θ des faisceaux.
[0129] En particulier, un tel concept d'inclinaison des cellules 400 permet le doublement
de ce secteur angulaire (±10° autour de
αi = 30°) par rapport aux solutions de l'état de la technique.
[0130] Il est à noter que cette inclinaison
β des cellules 400 n'a pas d'influence significative sur la modélisation en circuit
électrique équivalent. Cependant, cette inclinaison peut induire une augmentation
de l'épaisseur des murs 420-
n.
[0131] Le schéma (a) de la figure 10 représente une unique interconnexion (comprenant deux
interconnexions internes 460 et un pilier central 480) définissant une succession
de deux charges inductives. Sur ce schéma, la face entrée 310 est dans le plan (X,Y),
tandis que la face de sortie 320 comporte une structuration en biseaux (ou en escalier)
perpendiculaire à l'axe du prisme Z' définissant l'inclinaison des cadres de support
de cellule 420.
[0132] La géométrie des faces d'entrée 310 et de sortie 320 pourrait induire une dissymétrie
pouvant détériorer l'équilibre des phases des faisceaux à contrôler. Un tel déséquilibre
peut être évité ou compensé par des variations de largeur

des fentes 440-
n en induisant un décalage de la largeur de bande d'impédance pour l'incidence des
polarisations TE et TM (la différence de largeur relative ne peut donc pas être importante).
[0133] Avantageusement, les faces d'entrée 310 et de sortie 320 peuvent comporter chacune
une structuration en biseaux (ou en escalier) perpendiculaire à l'axe du prisme Z'
définissant l'inclinaison des cadres de support de cellule 420. Cette configuration
de face peut par exemple apporter de meilleures performances théoriques de transmission
de faisceau RF au dispositif 300.
[0134] Le schéma (b) de la figure 10 correspond à une unique interconnexion (comprenant
deux interconnexions internes 460 et un pilier central 480 élargi au centre afin de
former un plateau interne 470) définissant une succession de charges : inductive,
capacitive et inductive. Dans ce schéma, les faces d'entrée 310 et de sortie 320 sont
parallèles entre elles et au plan (X,Y).
[0135] L'homme du métier comprendra aisément que les faces d'entrée 310 et de sortie 320
des dispositifs 300, représentés sur les schémas (a) et (b) de la figure 10, sont
des exemples non limitatifs et que les faces d'entrée 310 et/ou de sortie 320 des
dispositifs 300 peuvent comporter en variante une structuration en escalier, et/ou
que les faces d'entrée 310 et/ou de sortie 320 des dispositifs 300 peuvent être parallèles
au plan (X,Y). En particulier, la réponse spectrale d'un dispositif 300 comprenant
au moins une face comportant une structuration en escalier peut être optimale par
rapport aux modes de réalisation du système optique 10 de la figure 1. En effet, de
telles structurations en escalier sont adaptées à des ondes incidentes obliques permettant
une propagation sans discontinuité dans les guides d'ondes formés par les cadres de
support de cellule 420.
[0136] Cependant, de telles structurations en escalier peuvent induire des variations d'épaisseur
de mur m, comme illustré sur le schéma (a) de la figure 10. Ainsi une épaisseur minimale
de mur
mmin peut être définie en fonction du processus de fabrication (par exemple
mmin = 250µ
m), ce qui peut permettre de doubler l'épaisseur de mur
m = 500µ
m au sein d'une cellule 400. Cette variation d'épaisseur de mur entre
mmin et
m peut être incrémentale ou progressive. Il est à noter que ce dédoublement d'épaisseur
de mur peut induire des modifications des propriétés quasi-optiques de fonctionnement
du dispositif 300. De telles modifications peuvent être compensées par des variations
(en particulier une augmentation) de la largeur

des fentes 440-
n.
[0137] La modélisation en circuit équivalent des dispositifs, représentée sur les schémas
(a) et (b) de la figure 10, peut prendre en compte l'inclinaison
β dans la variation de l'impédance caractéristique

des guides d'onde. Notamment, l'impédance caractéristique

peut rester sensiblement stable pour des inclinaisons
β faibles, par exemple pour des valeurs de
β inférieures ou égales à 30° (
β ≤ 30°). Inversement, l'impédance caractéristique

peut être modifiée significativement pour des inclinaisons
β fortes, par exemple pour des valeurs de
β strictement supérieures à 30° (
β > 30°).
[0138] Avantageusement, la mise en oeuvre de l'inclinaison
β des cellules 400 ainsi que de la modularité de structurations (en escalier ou parallèle
aux faces) des faces d'entrée 310 et/ou de sortie 320 des dispositifs 300 peut être
facilitée par l'utilisation de techniques d'impression 3D. En particulier, le dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300 réalisée par impression 3D présente un bon état de
surface. Ainsi, l'inclinaison des cellules 400 et l'utilisation de la fabrication
additive permet en outre de diviser par deux des pertes d'insertions des faisceaux
de la source RF 200 à transmettre par rapport au référence de l'état de la technique.
[0139] Il est à noter que le schéma (b) de la figure 10 illustre des cellules 400 comprenant
un plateau interne 470 correspondant à un élargissement local du diamètre
ep, sur une portion
ec de la longueur
dp d'un pilier central 480. Dans ce schéma, les plateaux internes 470 intègrent certaines
contraintes de la fabrication additives. Les plateaux internes 470 et le pilier central
462 forment alors une structure comprenant deux formes pyramidales (selon une pente
de 45° par exemple) qui ne modifient pas les performances de l'interconnexion 460.
[0140] La figure 11 est un organigramme représentant deux étapes d'un procédé de fabrication
selon des modes de réalisation du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 dans
lequel les cellules 400 présentent un angle d'inclinaison
β. La figure 11 représente également une vue en perspective d'un ensemble de cellules
du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300, illustré par les schémas (a) et (b),
au cours des deux étapes du procédé de fabrication.
[0141] A l'étape 1102, un matériau est déposé par fabrication additive prioritairement,
selon l'axe du prisme Z' ayant un angle d'inclinaison
β avec l'axe Z, pour former des couches métalliques empilées.
[0142] A l'étape 1104, la structure formée par les couches métallique empilées est découpée
au niveau de la face 310 d'entrée du dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. Par
exemple, la face 310 peut être défini par un plan parallèle au plan (X,Y) du dispositif
de contrôle de faisceaux RF 300.
[0143] Tel qu'illustré par le schéma (a) de la figure 10, ce procédé peut induire une discontinuité
non symétrique induisant de faibles perturbations dans la réponse fréquentielle du
dispositif de contrôle de faisceaux RF 300. Cependant, ces perturbations peuvent être
compensées par une réduction de l'inclinaison des cellules 400 par rapport à la direction
d'incidence moyenne (typiquement
β = 20° < α
i = 30°).
[0144] La figure 12 est un graphique montrant un exemple de performances radioélectriques
atteintes par le dispositif de contrôle de faisceaux RF 300 utilisé en tant qu'écran
dichroïque.
[0145] Le graphique de la figure 12 montre l'évolution du gain de transmission et des pertes
de retour en réflexion en fonction de la fréquence, selon les deux polarisations TE
et TM. Le graphique met notamment en évidence une large bande de fréquences Ka et
X de l'onde électromagnétique incidente, invariante par rapport à la polarisation.
[0146] L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-avant à titre d'exemple
non limitatif. Elle englobe toutes les variantes de réalisation qui pourront être
envisagées par l'homme du métier. En particulier, l'homme du métier comprendra que
l'invention n'est pas limitée aux géométries de cellules, de cadre et d'interconnexion
décrites à titre d'exemple non limitatif.