DISPOSITIF DE DETERMINATION DE LA RAIDEUR D'UN SPIRAL

Abstract

 L'invention concerne un dispositif de détermination de la raideur d'un spiral ou d'une ébauche de spiral à base de silicium attaché à une plaquette à base de silicium (10), par application d'une excitation vibratoire et par mesure de la réponse vibratoire du spiral ou de l'ébauche, ledit dispositif comprenant :
- un posage (200) destiné à fournir un appui au moins sur une portion de la plaquette entourant le spiral ou l'ébauche de spiral, et comprenant une ouverture pour laisser libre les vibrations du spiral ou de l'ébauche,
- une source d'excitation vibratoire (210) du spiral ou de l'ébauche de spiral, agencée pour exciter le spiral ou l'ébauche de spiral,
- des moyens de mesure de la réponse vibratoire (220) dudit spiral ou de l'ébauche de spiral, pour mesurer la réponse vibratoire du spiral/de l'ébauche.

Description

Domaine technique

[0001] La présente invention se rapporte au domaine du contrôle et de la fabrication de pièces pour l'horlogerie. Elle concerne plus particulièrement un dispositif de détermination de la raideur d'un spiral ou d'une ébauche de spiral à base de silicium attaché à une plaquette à base de silicium, par application d'une excitation vibratoire et par mesure de la réponse vibratoire du spiral ou de l'ébauche.

Etat de la technique

[0002] Les mouvements de montres mécaniques sont régulés au moyen d'un régulateur mécanique comprenant un résonateur, c'est-à-dire un composant déformable élastiquement et dont les oscillations déterminent la marche de la montre. De nombreuses montres comportent par exemple un régulateur comprenant un spiral comme résonateur, monté sur l'axe d'un balancier et mis en oscillation grâce à un échappement. La fréquence propre du couple balancier-spiral permet de réguler la montre et dépend notamment de la raideur du spiral.

[0003] Dans l'horlogerie contemporaine, on a commencé à fabriquer des spiraux, notamment en silicium, pour bénéficier de l'insensibilité aux champs magnétique de ce matériau et pour tirer profit de son usinabilité.

[0004] Ainsi, de manière avantageuse, on peut fabriquer plusieurs centaines de spiraux en silicium sur une seule plaquette (en anglais « wafer ») en utilisant les technologies de micro-fabrication. Il est notamment connu de réaliser une pluralité de résonateurs en silicium avec une très haute précision en utilisant des procédés de photolithographie et d'usinage / gravure dans une plaquette en silicium. Les procédés de réalisation de ces résonateurs mécaniques utilisent généralement des plaquettes de silicium monocristallin, mais des plaquettes en d'autres matériaux sont également utilisables, par exemple en silicium polycristallin ou amorphe, en d'autres matériaux semi-conducteurs, en verre, en céramique, en carbone, en nanotubes de carbone ou en un composite comprenant ces matériaux. Pour sa part, le silicium monocristallin appartient à la classe cristalline cubique m3m dont le coefficient d'expansion thermique (alpha) est isotrope.

[0005] Le silicium présente une valeur du premier coefficient thermoélastique très négative, et par conséquent, la raideur d'un résonateur en silicium, et donc sa fréquence propre, varie fortement selon la température. Afin de compenser au moins partiellement cet inconvénient, les documents EP1422436, EP2215531 et WO2016128694 décrivent un résonateur mécanique de type spiral réalisé à partir d'une âme (ou de deux âmes dans le cas de WO2016128694) en silicium monocristallin et dont les variations en température du module d'Young sont compensées par une couche en oxyde de silicium (SiO₂) amorphe entourant l'âme (ou les âmes), ce dernier étant un des rares matériaux présentant un coefficient thermoélastique positif.

[0006] Lorsque l'on réalise des spiraux en silicium ou en un autre matériau par fabrication collective sur une plaquette, le rendement fonctionnel final sera donné par le nombre de spiraux dont la raideur correspond à l'intervalle d'appairage, divisé par le nombre total de spiraux sur la plaquette.

[0007] La demande de brevet portant le numéro de dépôt PCT/EP2022/050760, explique qu'on constate une dispersion des raideurs entre les spiraux gravés sur une plaquette, et encore plus entre des spiraux de plaquettes gravées à des moments différents suivant des mêmes spécifications de procédé.

[0008] Différentes solutions ont été proposées pour réduire cette dispersion en effectuant des corrections sur les spiraux. Le document EP3181938 propose une telle correction, qui repose sur une mesure de la raideur d'un spiral par mesure de sa fréquence en le couplant à un balancier d'inertie connue. La demande PCT/EP2022/050760 précitée propose une méthode permettant d'établir des caractéristiques de raideur des spiraux ou des ébauches de spiraux d'une plaquette, en se basant sur la réponse vibratoire à une excitation d'au moins un spiral ou d'une ébauche.

[0009] Dans les procédés de micro-fabrication, on peut utiliser des plaquettes de type SOI (Silicon On Insulator) ou des plaquettes simples. Y compris avec un SOI, en fonction du procédé utilisé, la couche de silicium appelée couche handle, qui sert de support mécanique, est dissoute pour libérer la couche dite device, dans laquelle sont gravés les spiraux. L'excitation et la mesure vibratoire peuvent donc être réalisées sur des spiraux ménagés dans une couche de silicium dont l'épaisseur est de l'ordre de 120µm. A une telle épaisseur, la rigidité de la plaquette ou de la couche de silicium est faible, de sorte que les spiraux voisins d'un spiral sur lequel on effectue une mesure, peuvent être excités également et leur propre vibration peut venir perturber la réponse vibratoire du spiral concerné.

[0010] La présente invention a pour but de proposer un dispositif/appareillage permettant de répondre au moins partiellement au problème susmentionné, et d'améliorer les réponses obtenues.

[0011] L'invention concerne également un procédé de contrôle mettant en oeuvre une étape d'utilisation d'un dispositif selon l'invention ou similaire.

Divulguation de l'invention

[0012] De façon plus précise, l'invention concerne un dispositif de détermination de la raideur d'un spiral ou d'une ébauche de spiral à base de silicium attaché à une plaquette à base de silicium, par application d'une excitation vibratoire et par mesure de la réponse vibratoire du spiral ou de l'ébauche, ledit dispositif comprenant :

• un posage destiné à fournir un appui au moins sur une portion de la plaquette entourant le spiral ou l'ébauche de spiral, et comprenant une ouverture pour laisser libre les vibrations du spiral ou de l'ébauche,
• une source d'excitation vibratoire du spiral ou de l'ébauche de spiral, agencée pour exciter le spiral ou l'ébauche de spiral,
• des moyens de mesure de la réponse vibratoire dudit spiral ou de l'ébauche de spiral, pour mesurer la réponse vibratoire du spiral/de l'ébauche.

[0013] Ainsi, le posage permet d'isoler au moins partiellement, au niveau vibratoire, le spiral/l'ébauche de spiral du reste de la plaquette, d'amortir les vibrations parasites venant des spiraux voisins du spiral à mesurer et de limiter les vibrations de l'ensemble de la plaquette en réduisant la déformabilité en flexion notamment de l'ensemble ainsi constitué par la plaquette et le posage. La réponse vibratoire donnée par le spiral est plus propre, c'est-à-dire que le spectre caractérisant la réponse vibratoire n'est alors plus/moins bruité par des vibrations parasites. Par conséquent, les pics observés peuvent être directement et uniquement attribués aux résonnances du spiral mesuré. Les pics du spectre que l'on observe sont mieux définis, permettant une exploitation des résultats de meilleure qualité. Ainsi, par entourer, on doit comprendre entourer le spiral ou l'ébauche de manière individuelle.

[0014] Dans un mode de réalisation préféré, la source d'excitation vibratoire est disposée d'un premier côté de la plaquette, et les moyens de mesure de la réponse vibratoire sont agencés d'un deuxième côté de la plaquette, opposé au premier côté. De la sorte, l'accès au spiral à mesurer est beaucoup plus facile pour chacun des dispositifs, l'excitation peut être mieux centrée et plus proche du spiral. De même, les moyens de mesures peuvent être positionnés de manière optimale.

[0015] De préférence, le posage comprend un réseau d'ouvertures, destinées à être en regard des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer, les ouvertures étant dimensionnées de manière à laisser libre les vibrations des spiraux ou des ébauches de spiraux. Ce réseau d'ouvertures permet d'isoler une pluralité de spiraux ou d'ébauches, qui peuvent être mesurées les uns à la suite des autres de manière aisée.

[0016] De manière avantageuse, on pourra prévoir des moyens de maintien pour presser le posage et la plaquette l'un contre l'autre, afin d'améliorer l'isolation vibratoire du spiral à mesurer.

[0017] De préférence, le posage est associé à une plaque de serrage, la plaquette étant destinée à être prise en sandwich entre le posage et la plaque de serrage.

[0018] Dans ce cas, le posage et la plaque de serrage peuvent comprendre chacun un réseau d'ouvertures, les ouvertures du posage et les ouvertures de la plaque de serrage étant disposées en regard l'une de l'autre et destinées à être en regard des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer, les ouvertures étant dimensionnées de manière à laisser libre les vibrations des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer.

[0019] D'autres caractéristiques sont également données dans les revendications et peuvent être combinées entre elles et /ou aux caractéristiques précitées, dans la mesure où elles sont techniquement compatibles entre elles.

Brève description des dessins

[0020] D'autres détails de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui suit, faite en référence au dessin annexé dans lequel :

• les figures 1A à 1F sont des schémas de certaines étapes d'un procédé de réalisation d'un spiral en silicium,
• la figure 2 est un schéma d'un mode de réalisation préféré d'un dispositif selon l'invention,
• la figure 3 et la figure 4 illustrent des variantes ou alternatives de l'invention.

Mode de réalisation de l'invention

[0021] On a représenté dans la suite des figures 1A à 1F, certaines étapes d'un procédé de réalisation d'un spiral dans une plaquette 10 également appelée wafer, de type SOI (« silicon on insulator »). Ce dernier comprend un substrat ou « handler » 20 portant une couche d'oxyde de silicium (SiO₂) sacrificielle 30 et une couche de silicium monocristallin 40. A titre d'exemple, le substrat 20 peut avoir une épaisseur de 500 µm, la couche sacrificielle 30 peut avoir une épaisseur de 2 µm et la couche en silicium 40 peut avoir une épaisseur de 120 µm. La couche de silicium monocristallin 40 peut avoir une orientation cristalline quelconque.

[0022] Une étape de lithographie est montrée aux figures 1B et 1C. Par « lithographie », on entend l'ensemble des opérations permettant de transférer une image ou motif sur ou au-dessus de la plaquette 10 vers cette dernière. En se référant à la figure 1B, dans ce mode de réalisation exemplaire, la couche 40 est recouverte d'une couche de protection 50, par exemple en une résine polymérisable. Cette couche 50 est structurée, typiquement par une étape de photolithographie utilisant une source de lumière ultraviolette ainsi que, par exemple, un photo-masque (ou un autre type de masque d'exposition) ou un système de stepper et réticule. Cette structuration par lithographie forme les motifs pour la pluralité de résonateurs dans la couche 50, comme illustrée à la figure 1C.

[0023] Par la suite, dans l'étape de la figure 1D, les motifs sont usinés, notamment gravés, pour former la pluralité de résonateurs 100 dans la couche 40. La gravure peut être effectuée par une technique de gravure ionique réactive profonde (également connue sous l'acronyme DRIE pour « Deep Reactive Ion Etching »). Après la gravure, la partie restante de la couche de protection 50 est subséquemment éliminée.

[0024] A la figure 1E, les résonateurs sont libérés du substrat 20 en retirant localement la couche sacrificielle 30 voire en gravant tout ou partie du silicium du substrat ou handler 20. Un lissage (non illustré) des surfaces gravées peut également avoir lieu avant l'étape de libération, par exemple par une étape d'oxydation thermique suivie par une étape de désoxydation, constituée par exemple de la gravure par voie humide à base d'acide fluorhydrique (HF).

[0025] A la dernière étape du procédé de fabrication à la figure 1F, les spires 110 du résonateur 100 en silicium sont recouvertes d'une couche 120 d'oxyde de silicium (SiO2), typiquement par une étape d'oxydation thermique pour produire un résonateur thermo-compensé. La formation de cette couche 120, qui a généralement une épaisseur de 2-5 µm, affecte également la raideur finale du résonateur et donc doit être prise en compte lors des étapes précédentes pour obtenir des caractéristiques vibratoires du spiral conduisant à obtenir une fréquence propre particulière du couple spiral-balancier dans un mécanisme de montre donné.

[0026] Comme indiqué ci-dessus, au stade précédent la réalisation de la couche de thermo-compensation, les différents résonateurs formés dans la plaquette présentent généralement une dispersion géométrique importante entre eux et donc une dispersion importante entre leurs raideurs, nonobstant que les étapes de formation des motifs et de l'usinage/gravure à travers ces motifs sont les mêmes pour tous les résonateurs.

[0027] Par ailleurs, cette dispersion de raideurs est encore plus importante entre les spiraux de deux plaquettes gravées à des moments différents même si les mêmes spécifications de procédé sont utilisées.

[0028] Pour centrer la moyenne de raideurs des résonateurs sur différentes plaquettes par rapport à une valeur de raideur nominale comme illustré à la figure 2, les résonateurs obtenus à l'étape 1E sur la plaquette 10 en question peuvent être délibérément formés avec des dimensions d qui sont différentes aux dimensions nécessaires (par exemple supérieures) pour l'obtention d'une raideur nominale ou cible. Ainsi, il est possible de mettre en place un procédé de contrôle destiné à estimer les caractéristiques vibratoires des résonateurs (fréquence propre et/ou fréquences de résonance) pour en déduire la raideur et/ou les dimensions réelles des résonateurs 100 pour en corriger les dimensions, ce qui conduira à obtenir la fréquence propre du couple résonateur - balancier désirée. La demande PCT/EP2022/050760 mentionnée précédemment, divulgue une telle méthode. On pourra s'y référer pour obtenir des détails sur les étapes qu'elle comporte.

[0029] En résumé, on retiendra pour la compréhension de la présente invention, que cette méthode comprend les étapes de :

a. appliquer au spiral ou à l'ébauche de spiral une excitation vibratoire variable au cours du temps pour couvrir une plage fréquentielle prédéterminée,

b. identifier au moins une caractéristique d'une fréquence de résonance, telle qu'un pic de résonance, du spiral ou de l'ébauche de spiral lors de l'excitation vibratoire sur la plage fréquentielle prédéterminée,

c. soumettre à une machine de prédiction la caractéristique de fréquence de résonance identifiée à l'étape b. pour déterminer une raideur du spiral ou de l'ébauche de spiral et/ou déterminer si une correction dimensionnelle du spiral ou de l'ébauche de spiral est nécessaire pour obtenir la fréquence de résonance prédéterminée.

[0030] En pratique, on constate que lorsqu'on applique au spiral ou à l'ébauche de spiral, une excitation, les spiraux/ébauches de spiraux voisins peuvent également, à des degrés moindres, subir une excitation, soit en recevant de manière indirecte l'excitation sonore, soit par diffusion de vibration au travers de la plaquette. Cela est d'autant plus sensible lorsque la plaquette ne comporte essentiellement plus que la couche device lors de cette étape ou lorsque les spiraux sont réalisés dans un wafer simple, dont l'épaisseur est typiquement d'environ 120µm.

[0031] Pour limiter les influences perturbatrices dans la mesure, l'invention propose de mettre en oeuvre un posage 200 destiné à fournir un appui au moins sur une portion de la plaquette ou de la couche de silicium entourant le spiral ou l'ébauche de spiral à mesurer. Le posage 200 comprend une ouverture 202 laissant libre les vibrations du spiral ou de l'ébauche. En d'autres termes, l'ouverture est au moins légèrement plus grande que la gravure ménagée dans la plaquette pour former le spiral. L'appui procuré par le posage est destiné à isoler au moins partiellement, au niveau vibratoire, le spiral/l'ébauche de spiral du reste de la plaquette.

[0032] Dans une approche simple, on pourrait avoir un posage ne laissant qu'une ouverture pour mesurer un seul spiral ou une seule ébauche de spiral. Mais de manière avantageuse, le posage présente des dimensions voisines de celles de la plaquette et propose un réseau d'ouvertures, destinées à être positionnées en regard des spiraux. Selon l'échantillonnage que l'on veut réaliser, on peut aller jusqu'à avoir une ouverture pour chaque spiral réalisé sur le wafer, mais on pourrait également avoir des ouvertures en regard d'une partie seulement des spiraux, 1 sur 2 ou 1 sur 3 par exemple.

[0033] La plaquette étant légère, son propre poids peut ne pas être suffisant pour générer un appui permettant d'isoler suffisamment le spiral des vibrations perturbatrices. On peut donc prévoir des moyens de maintien pour presser le posage et la plaquette l'un contre l'autre. Ces moyens peuvent être de différentes natures, comme un vissage, un appui d'un poids, ou d'autres variantes qui seront décrites ci-après. De plus, du fait de la souplesse en flexion de la plaquette, il existe un certain recouvrement modal entre les résonnances des spiraux et des plaquettes seules. Ainsi, en plaquant la plaquette contre le posage, on augmente sa rigidité apparente, ce qui modifie sa réponse vibratoire, et évite les interférences avec les réponses des spiraux, qui ne sont pas au contact du posage.

[0034] Dans un mode de réalisation préféré représenté sur la figure 2, le posage 200 est associé à une plaque de serrage 300, la plaquette 10 étant destinée à être prise en sandwich entre le posage 200 et la plaque de serrage 300. Le posage et la plaque de serrage comprennent chacun un réseau d'ouvertures, les ouvertures 202 du posage 200 et les ouvertures 302 de la plaque de serrage 300 étant disposées en regard l'une de l'autre et destinées à être en regard des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer. Comme mentionné précédemment, les ouvertures 202, 302 sont dimensionnées de manière à laisser libre les vibrations des spiraux.

[0035] De préférence, on prévoit un système d'assemblage et/ou de serrage de la plaque de serrage 300 contre le posage 200 et, si besoin, des moyens d'indexation 350 de l'un par rapport à l'autre, afin d'aligner les ouvertures. On peut par exemple proposer des goupilles qui traversent le posage 200, la plaquette 10 et la plaque de serrage 300 en des positions définies. On peut prévoir des systèmes de brides 400, de vissage ou autre, pour rigidifier l'ensemble. Les moyens de serrages peuvent être répartis autour du posage 200 et de la plaque de serrage 300, ou être complétés par des moyens de serrage répartis sur la surface du posage et de la plaque de serrage. On peut prévoir les mêmes moyens d'indexation pour indexer le posage 200, la plaquette 10 et la plaque de serrage 300, par exemple avec des goupilles ou similaires solidaires du posage ou de la plaque de serrage et qui traversent la plaquette pour se positionner, respectivement, dans la plaque de serrage ou dans le posage. On peut aussi prévoir des deuxièmes moyens d'indexation distincts, pour positionner d'une part, le posage 200 et la plaquette 10, et d'autre part, la plaque de serrage 300 et la plaquette 10.

[0036] Les moyens d'indexation peuvent être prévus y-compris s'il n'y a pas de plaque de serrage.

[0037] Dans tous les cas, l'indexation permet de positionner précisément le posage 200 par rapport à la plaquette 10 et aux spiraux, ce qui permet de positionner la source d'excitation 210 et les moyens de mesure 220 de manière répétable, d'une plaquette à une autre. La fiabilité de la mesure est ainsi améliorée.

[0038] De préférence, les surfaces du posage et, le cas échéant, de la plaque de serrage sont plates, voire rectifiées, afin de fournir un appui bien réparti tout autour du spiral et éviter les contraintes sur la plaquette. La plaque de serrage et/ou le posage peuvent être métalliques ou même en silicium.

[0039] On pourrait également prévoir des dispositifs en relief (non illustrés), formant une bague ou une portion de bague autour des ouvertures, sur lesquels peut prendre appui la plaquette. Ces dispositifs en relief peuvent être élastiquement déformables, pour éviter les contraintes mécaniques sur le wafer et participer à l'amortissement des vibrations.

[0040] On peut également prévoir d'autres moyens pour presser le posage et la plaquette l'un contre l'autre. Par exemple, on peut prévoir des moyens d'attraction de la plaquette sur le posage. Dans une variante illustrée sur la figure 3, les moyens d'attraction comportent un circuit d'aspiration 420 débouchant au contact de la plaquette 10, pour aspirer cette dernière. Ce circuit d'aspiration peut être relié à un générateur de vide, par un connecteur 422, pour créer une dépression et aspirer la plaquette 10 contre le posage 200. Le circuit d'aspiration peut être réparti sur le posage 200, par exemple en proposant des canaux disposés de manière radiale autour du centre du posage. Ce dernier est destiné à être aligné avec le centre du wafer, lequel, dans l'exemple, ne comporte pas de spiraux pour permettre l'aspiration de la plaquette.

[0041] En alternative supplémentaire et non représentée, les moyens d'attraction comportent un dispositif électrostatique, de type plaque d'attraction électrostatique (également dénommée chuck électrostatique). On peut prévoir de magnétiser la plaquette ou des éléments situés sur une plaque de serrage, du type de celle décrite plus haut, pour coopérer avec le chuck.

[0042] De manière avantageuse, le posage tel que proposé dans la présente invention, permet de disposer une source d'excitation vibratoire 210 du spiral ou de l'ébauche de spiral, d'un premier côté de la plaquette 10, et de disposer les moyens de mesure 220 de la réponse vibratoire dudit spiral ou de l'ébauche de spiral, typiquement une tête laser, d'un deuxième côté de la plaquette. Ainsi, il est possible de gérer l'angle d'incidence du laser indépendamment de la position de la source d'excitation. Cette dernière peut être positionnée au plus près de la plaquette, sans devoir laisser de place pour la tête laser, en passant ou en émettant l'onde d'excitation à l'intérieur de l'ouverture.

[0043] Le posage 200 peut être disposé sur l'une ou l'autre face de la plaquette. Notamment selon la technique choisie pour libérer les spiraux, s'il reste une épaisseur de la couche handle autour des spiraux, le posage pourra être de préférence disposé du côté device. La source d'excitation vibratoire pourra avantageusement dans ce cas, être disposée du côté de la couche device et les moyens de mesure, disposés du côté de la couche handle. La disposition inverse est évidemment une alternative possible, notamment quand les spiraux ou les ébauches, sont accessibles de manière similaire, par l'une ou l'autre face.

[0044] De manière avantageuse, la source d'excitation vibratoire 210 est une source acoustique, et elle est accouplée à un cône divergent 212 dirigé vers le spiral ou l'ébauche de spiral à exciter, comme représenté sur la figure 4. Les dimensions de l'extrémité du cône sont légèrement plus grandes que les dimensions de gravure du spiral, afin d'exciter l'ensemble du spiral.

[0045] Le posage peut être avantageusement disposé sur une table mobile, dont la position peut être commandée précisément par des actuateurs. On peut prévoir un déplacement selon deux directions orthogonales (dans le plan de la plaquette) ou même trois directions orthogonales (dans le plan de la plaquette et selon une direction normale au plan de la plaquette). Dans le référentiel de la machine de mesure, la table est mobile, tandis que la source d'excitation et les moyens de mesure peuvent être fixes. Le posage peut donc se déplacer en référence à la source d'excitation et aux moyens de mesure, pour permettre un déplacement automatique et indexé entre les différents spiraux à mesurer.

[0046] La présente description a été donnée à titre d'exemple non limitatif, la portée de l'invention étant déterminée par les revendications. On relèvera que le posage sert d'appui à une couche de silicium d'une plaquette SOI ou de ce qu'il reste de la plaquette au moment de la mesure, ou à une plaquette simple, si le procédé de gravure est réalisé sur une plaquette simple.

Revendications

1. Dispositif de détermination de la raideur d'un spiral ou d'une ébauche de spiral à base de silicium attaché à une plaquette à base de silicium (10), par application d'une excitation vibratoire et par mesure de la réponse vibratoire du spiral ou de l'ébauche, ledit dispositif comprenant :

- un posage (200) destiné à fournir un appui au moins sur une portion de la plaquette entourant le spiral ou l'ébauche de spiral, et comprenant une ouverture pour laisser libre les vibrations du spiral ou de l'ébauche,

- une source d'excitation vibratoire (210) du spiral ou de l'ébauche de spiral, agencée pour exciter le spiral ou l'ébauche de spiral,

- des moyens de mesure de la réponse vibratoire (220) dudit spiral ou de l'ébauche de spiral, pour mesurer la réponse vibratoire du spiral ou de l'ébauche de spiral.

2. Dispositif de détermination selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite source d'excitation vibratoire (210) est disposée d'un premier côté de la plaquette, et en ce que lesdits moyens de mesure de la réponse vibratoire (220) sont agencés d'un deuxième côté de la plaquette, opposé au premier côté.

3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le posage (200) comprend un réseau d'ouvertures (202), destinées à être en regard des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer, les ouvertures étant dimensionnées de manière à laisser libre les vibrations des spiraux ou des ébauches de spiraux.

4. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de maintien agencés pour presser le posage et la plaquette l'un contre l'autre.

5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le posage (200) est associé à une plaque de serrage (300), la plaquette étant destinée à être prise en sandwich entre le posage et la plaque de serrage.

6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le posage (200) et la plaque de serrage (300) comprennent chacun un réseau d'ouvertures (202, 302), les ouvertures du posage et les ouvertures de la plaque de serrage étant disposées en regard l'une de l'autre et destinées à être en regard des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer, les ouvertures étant dimensionnées de manière à laisser libre les vibrations des spiraux ou des ébauches de spiraux à mesurer.

7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens d'attraction de la plaquette sur le posage.

8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits moyens d'attraction comportent un circuit d'aspiration (420) débouchant au contact de la plaquette.

9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits moyens d'attraction comportent un dispositif électrostatique.

10. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 9, caractérisé en ce que ladite source d'excitation (210) passe à l'intérieur de l'ouverture (202) du posage.

11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source d'excitation vibratoire est une source acoustique, et en ce que ladite source acoustique est accouplée à un cône divergent (212) dirigé vers le spiral ou l'ébauche de spiral à exciter.

12. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens d'indexation (350) pour positionner respectivement les ouvertures du posage (200) en regard des spiraux/ébauches de spiraux de la plaquette (10).

13. Dispositif selon la revendication 12 et selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdits moyens d'indexation ou des deuxièmes moyens d'indexation sont agencés pour positionner respectivement les ouvertures de la plaque de serrage en regard des spiraux/ébauches de spiraux de la plaquette.

14. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, comprenant une table mobile sur laquelle est disposée la plaquette, pour lui permettre de se déplacer en référence à la source d'excitation et aux moyens de mesure.

Dessins