ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSKBAHRIS..MTNORSMESMMAKHTNMD..........*XBDM Ver 2.0.24 - 1100000/04334492A120240313EP22799207.02022050520231204svenen213012220210505SE2024031320241120240313202411C23C 16/30 20060101AFI20221111BHEP C23C 16/34 20060101ALI20221111BHEP C23C 16/52 20060101ALI20221111BHEP C30B 25/02 20060101ALI20221111BHEP H01L 21/02 20060101ALI20221111BHEP C30B 25/02 20130101 LI20221128BHEP C30B 29/403 20130101 FI20221128BHEP C30B 25/14 20130101 LI20221128BHEP C23C 16/303 20130101 LI20221130BHEP H01L 21/0262 20130101 LI20230102BHEP H01L 21/0254 20130101 LI20230102BHEP H01L 21/02543 20130101 LI20230102BHEP H01L 21/02546 20130101 LI20230102BHEP deVERFAHREN ZUR VERWENDUNG EINES KATALYSATORS BEIM WACHSTUM VON HALBLEITERN MIT N- UND P-ATOMEN UND VORRICHTUNG FÜR DAS VERFAHRENenA METHOD FOR USING CATALYST IN GROWTH OF SEMICONDUCTORS COMPRISING N-AND P- ATOMS AND DEVICE FOR THE METHODfrPROCÉDÉ D'UTILISATION DE CATALYSEUR DANS LA CROISSANCE DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES ATOMES N ET P ET DISPOSITIF ASSOCIÉ AU PROCÉDÉVeeco SIC CVD Systems AB102024236107200EPIdeongatan 3A223 62 LundSEHAMMARLUND, Bo191 40 SollentunaSENILSSON, Roger226 52 LundSESPENGLER, Richard222 40 LundSEBergenstråhle & Partners AB101482812P.O. Box 17704118 93 StockholmSEALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTRBAMEKHMAMDTNSE202205043820220505svWO202223519420221110202245