(19)
(11) EP 4 473 560 A1

(12)

(43) Date de publication:
11.12.2024  Bulletin  2024/50

(21) Numéro de dépôt: 23706412.6

(22) Date de dépôt:  30.01.2023
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/762(2006.01)
H01L 21/306(2006.01)
 H01L 21/302(2006.01)
H01L 21/3065(2006.01)
(52) Classification Coopérative des Brevets (CPC) :
H01L 21/76254; H01L 21/302; H01L 21/3065; H01L 21/30604; H01L 21/30625
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2023/050116
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2023/144496 (03.08.2023 Gazette  2023/31)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC ME MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA
Etats de validation désignés:
KH MA MD TN

(30) Priorité: 31.01.2022 FR 2200849

(71) Demandeur: SOITEC
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • DURET, Carine
    38190 BERNIN (FR)
  • ECARNOT, Ludovic
    38190 BERNIN (FR)
  • PORTA, Charlene
    38190 BERNIN (FR)

(74) Mandataire: Regimbeau 
20, rue de Chazelles
75847 Paris Cedex 17
75847 Paris Cedex 17 (FR)

   


(54) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE DOUBLE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT