ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................J0009013-ENDS014707957DEMANDE DE BREVET EUROPEENA320260513EP25224257.320220523frfrfr2026051320262020260311202611G04B 15/14 20060101AFI20260407BHEP G04B 15/08 20060101ALI20260407BHEP G04D 3/00 20060101ALI20260407BHEP G04B 15/14 20130101 FI20221003BHEP G04B 15/08 20130101 LI20221003BHEP G04D 3/0069 20130101 LI20221007BHEP deVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER UHRENKOMPONENTEenMETHOD FOR MANUFACTURING A TIMEPIECE COMPONENTfrPROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT HORLOGER3f22174885.8428340820220523Sigatec SA101933241P-169780-EP01Chemin Grély 21950 SionCHGlassey, Marc-André1967 BramoisCHBOVARD AG101610145Patent- und Markenanwälte Optingenstrasse 163013 BernCHALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTR2026051320262020260408

La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'au moins un composant horloger, dans lequel, sur un premier côté d'une plaquette de silicium (100) monolithique, on réalise un premier masque de gravure primaire (200) puis on grave la plaquette (100) à travers le premier masque (200) pour former les bords d'un premier niveau du composant ; on réaliser au moins une couche d'arrêt (400) sur le premier côté (101) gravé de la plaquette (100) ; Sur le deuxième côté de la plaquette (102) opposé au premier côté (101),on réalise un deuxième masque de gravure secondaire (300) puis on grave la plaquette (100) à travers ce deuxième masque (300) pour former les bords d'un deuxième niveau du composant, la gravure secondaire atteignant au moins localement la couche d'arrêt.

P-169780-EP01EP25224257.3Sigatec SADH20260413G04BG04DUS2020057412A1FUNAKAWA TAKEO [JP] ET AL20200220X1-3,5-10,13-17Y4,11A12* alinéas [0101], [0102]; figures 14E,14F,14G ** alinéas [0093] - [0109]; figures 12-15 *
TIAN J ET ALSimultaneous through-silicon via and large cavity formation using deep reactive ion etching and aluminum etch-stop layer58TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE - 27-30 MAY 2008 - LAKE BUENA VISTA, FL, USA, IEEE, PISCATAWAY, NJ, USA20080527978-1-4244-2230-217871792XP031276443
Y4,11* Conclusions;page 1792 ** B. Process flow;figure 7 *WEI JIA ET ALA novel semi-SOI fabrication process for integrated 3D micromachiningNANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, 2008. NEMS 2008. 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ONPiscataway, NJ, USA20080101717720https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?tp=&arnumber=4484429&ref=aHR0cHM6Ly9pZWVleHBsb3JlLmllZWUub3JnL2RvY3VtZW50LzQ0ODQ0Mjk=10.1109/NEMS.2008.4484429XP055970099Y4* A. Support layer;pages 718,719; figures 4,5 *Cavallin, AlbertoThe Hague20260323US2020057412A120200220CN110824879A20200221JP7143675B220220929JP7444213B220240306JP2020027064A20200220JP2022168218A20221104US2020057412A120200220