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(11) | EP 0 028 797 A3 |
(12) | EUROPEAN PATENT APPLICATION |
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(54) | Thyristor having improved switching behaviour and process for its operation |
(57) Thyristor mit gategesteuerten, als MIS-Strukturen ausgebildeten Emitter-Kurzschlüssen.
Es sind wenigstens eine Struktur des Anreicherungstyps und eine Struktur des Verarmungstyps
vorgesehen, von denen die einen während des Zündvorgangs abschaltbaren Emitter-Kurzschluß
und die andere einen während des Umschaltens in den blockierten Zustand einschaltbaren
Emitter-Kurzschluß darstellt. |