(57) (57) L'invention a pour but l'obtention de varistances (résistances en matériau céramique
à caractéristique non linéaire du courant en fonction de la tension) à faible tension
de seuil, de l'ordre de 5 à 10 volts.
A cet effet, on utilise le fait que la tension de seuil (point de départ d'une augmentation
exponentielle de la valeur ohmique) dépend des barrières de potentiels intergranulaires
des cristallites situés dans la céramique entre les deux électrodes. On augmente donc
le diamètre des grains en se bornant à une vingtaine de microns, et l'on rapproche
les électrodes jusqu'à 50 microns en réalisant des métallisations interdigitées (11,
12) déposées sur une plaquette (1) en matériau à base de ZnO fritté de à façon présenter
la granulométrie désirée.
Application à la protection de circuits électroniques.
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