(19)
(11) EP 0 036 494 A3

(12) EUROPEAN PATENT APPLICATION

(88) Date of publication A3:
25.11.1981 Bulletin 1981/47

(43) Date of publication A2:
30.09.1981 Bulletin 1981/39

(21) Application number: 81101324

(22) Date of filing: 24.02.1981
(84) Designated Contracting States:
DE FR GB IT

(30) Priority: 11.03.1980 DE 3009303

(71) Applicant: Siemens Aktiengesellschaft
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(72) Inventors:
  • Hoffmann, Kurt, Dr.
     ()
  • Kantz, Dieter, Dipl.-Ing.
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(54) Monolitic integrated digital semiconductor circuit


(57) Bei monolithisch integrierten digitalen Halbleiterschaltungen auf MOS-Basis mit einem Taktgeber und zwei durch je ein extern zugeführtes Betriebspotential beaufschlagten Versorgungsanschlüssen ist es wünschenswert, wenn der Taktgeber erst nach dem Aufbau der Substratvorspannung aktiviert wird. Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, eine hierzu geeignete Schaltung anzugeben.
Die Erfindung betrifft eine integrierte MOS-Schaltung der genannten Art, bei der durch je ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes Betriebspotential beaufschlagte Versorgungsanschlüsse mit wenigstens je einer leitenden Verbindung an die eigentliche digitale Halbleiterschaltung (ES) und an den Taktgeber (TG) gelegt sind, wobei erfindungsgemäß ein Oszillator (O) zur Steuerung eines Substratvorspannungsgenerators (SE) vorgesehen ist. Dieser Substratvorspannungsgenerator hat neben dem Aufbau der Substratvorspannung die Aufgabe, den Betrieb des Taktgebers (TG) so zu steuern, daß die Aktivierung des Taktgebers (TG) erst nach Vollendung des Aufbaus der Substratvorspannung (VBB) erfolgt.






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