| (19) |
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(11) |
EP 0 031 095 A3 |
| (12) |
EUROPEAN PATENT APPLICATION |
| (88) |
Date of publication A3: |
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28.04.1982 Bulletin 1982/17 |
| (43) |
Date of publication A2: |
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01.07.1981 Bulletin 1981/26 |
| (22) |
Date of filing: 11.12.1980 |
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| (84) |
Designated Contracting States: |
|
FR GB IT SE |
| (30) |
Priority: |
20.12.1979 DE 2951482
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| (71) |
Applicant: Heimann GmbH |
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() |
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| (72) |
Inventor: |
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- Heimann, Bernd, Dr., Dipl.-Phys.
()
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| (54) |
Process for producing a double layer with hetero-junction for the memory electrode
of an image registration device |
(57) Eine Doppelschicht mit Hetero-Übergang soll Teil einer Speicherelektrode für eine
optoelektronische Bildaufnahmevorrichtung sein. Sie entsteht durch Aufdampfen von
n-leitendem Cadmiumselenid oder Cadmiumsulfoselenid auf eine- n
+-leitende Signalelektrodenschicht aus Zinnoxid. Das aufzudampfende Material wird unter
geringem Zusatz von Boroxid-Glas im Vakuum gesintert und kann dann spritzerfrei aufgedampft
werden. Der Hetero-Übergang ist nahezu frei von metallischem Cadmium. Anwendung insbesonder
bei einem Vidikon-Target.