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EP 0 011 704 B1 |
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EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT |
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Hinweis auf die Patenterteilung: |
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13.07.1983 Patentblatt 1983/28 |
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Anmeldetag: 18.10.1979 |
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Internationale Patentklassifikation (IPC)3: G05F 3/20 |
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Referenzspannungsquelle, insbesondere für Verstärkerschaltungen
Voltage reference source, in particular for amplifier circuits
Source de tension de référence, en particulier pour circuits amplificateurs
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Benannte Vertragsstaaten: |
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DE FR GB IT |
(30) |
Priorität: |
23.11.1978 DE 2850826
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Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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11.06.1980 Patentblatt 1980/12 |
(71) |
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
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80333 München (DE) |
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Erfinder: |
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- Krämer, Horst, Dipl.-Ing.
D-8000 München 83 (DE)
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Entgegenhaltungen: :
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Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die
Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen
das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich
einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr
entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen). |
[0001] Es sind bereits verschiedene Varianten von Referenzspannungsquellen bekannt. Meistens
wird dabei als Normal der Spannungsabfall an Diodenstrecken ausgenutzt, wofür auch
die Basismitterstrecken von Transistoren infrage kommen (siehe DE-C-17 62 924, DE-B-17
63 016). Anstelle von Dioden werden Transistoren benutzt, deren Basiskollektorstrecke
kurzgeschlossen ist (siehe "Regelungstechnik", Heft 1, 1969, Seite 13; Siemens-Datenbuch
1974/75, Band 2, "Lineare Schaltungen", Seiten 213 bis 215). Alle diese Referenzspannungsquellen
können z.B. zur Stabilisierung der Arbeitspunkte von Verstärkerschaltungen benutzt
werden. Dabei kommen vor allem Verstärkerschaltungen infrage, welche mit Hilfe von
Differenzverstärken aufgebaut sind. Wieterhin ist eine Referenzspannungsquelle gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt (US-A-4 085 359), bei der der Kollektorstrom
des einen Transistors der Referenzspannungsquelle auf den Kollektorstrom des anderen
Transistors gespiegelt wird und wobei die Emitterflächen der Transistoren und die
Widerstandswerte so festgelegt sind, daß die Referenzspannung von der Temperatur weitgehend
unabhängig ist.
[0002] Die Erfindung geht nun von der Aufgabe aus, die Ausnutzbarkeit solcher Referenzspannungsquellen
zu verbessern. Die Verbeserung betrifft insbesondere Maßnahmen, die sicherstellen,
daß die Referenzspannung unabhängig von der Belastung ihre vorgesehene Größe beibehält.
Bei der Erfindung wird dabei von einer Referenzspannungsquelle gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 ausgegangen, bei der die Referenzspannung an den miteinander verbundenen
Basen zweier Transistoren ansteht, von denen einer als Diode geschaltet ist, während
der andere normal betrieben ist.
[0003] Gemäß der Erfindung ist eine derartige Referenzspannungsquelle dadurch gekennzeichnet,
daß zu der Stromspiegelschaltung eine weiterer in Stromspiegelschaltung angeschlossener
Transistor gehört, der in Reihe mit einem an Bezugspotential gelegten entsprechenden
Transistor geschaltet ist, dessen Basis mit dem Emitter des als Diode geschalteten
Transistors verbunden ist und dab die Referenzspannung am Verbindungspunkt zwischen
Kollektor und Emitter der in Reihe geschalteten Transistoren für eine damit zu beliefernde
Schaltung abgenommen wird. Hierbei kommen Stromspiegelschaltungen infrage, wie sie
an sich bekannt sind (siehe DE-A-24 40 023, 26 42 874; Philips Technische Rundschau
1971/72, Nr. 1, Seiten 4 bis 8; Regelungstechnik, Haft 1, 1969, Seite 13). Dadurch,
daß die Referenzspannung an einem Abgriff der Reihenschaltung der beiden betreffenden
Transistoren abgenommen wird, wird eine Belastung des inneren Referenzschaltungspunktes
der Referenzspannungsquelle vermieden, auch wenn der Abgriff als Stromquelle bzw.
Stromsenke für die Stabilisierung des Arbeitspunktes der belieferten Schaltung ausgenutzt
wird. Damit ist eine besonders große Konstanz der Referenzspannung sichergestellt.
Vorteilhaft ist auch, daß der Spannungsbedarf für die Referenzspannungsquelle sehr
klein ist. Ihre minimale Betriebsspannung liegt nur um die Sättigungsspannung des
Transistors T6 über des an der Basis des Transistors T2 anliegenden Referenzspannung.
[0004] Eine zweckmäßige weitere Ausgestaltung der Referenzspannungsquelle ergibt sich, wenn
zur Stromspiegelschaltung eine zusätzlicher Transistor gehört, der eine weitere Stromspiegelschaltung
speist, welche Transistoren hat, die in Stromkreise der mit der Referenzspannung belieferten
Schaltung eingeschleift sind. Dadurch werden in bequemer Weise Konstantstromeffekte
für die belieferte Schaltung zustande gebracht.
[0005] Die vorstehend angegebenen Effekte werden nun noch an einem Beispiel für eine Referenzspannungsquelle
und eine damit belieferte Schaltung anhand der Figur näher erläutert. In dieser Figur
ist die Referenzspannungsquelle RG und die Verstärkerschaltung VS gezeigt. Der Eingang
der Verstärkerschaltung VS liegt bei den Klemmen E1 und E2. Der Ausgang liegt bei
den Quellen A3 und A4. Bei dieser Verstärkerschaltung handelt es sich um einen Mikrofonverstärker.
Der akustisch-elektrische Wandler, insbesondere eine Piezoelektrische Keramik, ist
bei den Eingangsklemmen E1 und E2 angeschlossen. Über die Ausgangsklemmen A3 und A4
wird die Betriebsspannung +/0 zugeführt, der dann das Ausgangssignal überlagert ist.
An die Eingangsklemme E1 ist nun noch die von der Referenzspannungsquelle RG gelieferte
Referenzspannung angelegt. Mit Ihrer Hilfe wird der Arbeitspunkt des Differenzverstärkers
mit den Transistoren T13 und T14, der zur Verstärkerschaltung gehört, stabilisiert.
[0006] Zur Referenzspannungsquelle selber gehören zunächst der als Diode geschaltete Transistor
T2 und der normal betriebene Transistor T1. Die Basen dieser beiden Transistoren sind
verbunden und ergeben den inneren Referenzspannungspunkt. In die Kollektorstromkreise
der Transistoren T1 und T2 ist die Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T4 und
T5 sowie den Widerständen R1 und R2 eingeschleift. Es gehört noch der Transistor T6
mit dem Widerstand R3 dazu, der in Reihe zu dem Transistor T8 geschaltet ist, der
noch an Bezugspotential 0 gelegt ist. Die Basis des Transistors T8 ist mit dem Emitter
des Transistors T2 und mit dem Abgriff der Reihenschaltung aus den Emitterwiderständen
R6 und R7 verbunden, die als Emitterwiderstände für die Transistoren T1 und T2 dienen.
Der Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors T6 und dem Emitter des
Transistors T8 ist mit der Eingangsklemme E1 verbunden. Hier wird also die Referenzspannung
für die damit belieferte Schaltung VS abgenommen. Die Höhe der Referenzspannung selbar
wird zwar durch die am inneren Referenzspannungspunkt, nämlich den verbundenen Basen
der Transistoren T1 und T2, liegenden Spannung bestimmt. Mit Hilfe der durch die Transistoren
T8 und T6 gebildeten Ausgangsschaltung wird jedoch verhindert, daß dieser innere Referenzspannungspunkt
durch das Abnehmen der Referenzspannung belastet wird. Bei der Lieferung der Referenzspannung
können hier die zur Ausgangsschaltung gehörenden Transistoren T6 und T8 als Stromquelle
bzw. Stromsenke wirken. Eine Belastung des inneren Referenzspannungspunktes ist während
des Betriebes vermieden.
[0007] Die Referenzspannungsquelle RG ist noch durch die Anlaßschaltung aus der Reihenschaltung
des Transistors T3 und seines Emitterwiderstandes R5 ergänzt. An diese Anlaßschaltung
ist die Betriebsspannung +/0 angelegt. Die Basis des Transistors T3 ist mit dem Kollektor
des Transistors T1 verbunden Hierdurch ist sichergestellt, daß beim Anlegen der Betriebsspannung
sich am inneren Referenzschaltungspunkt die vorgesehene Referenzspannung einstellt.
[0008] Bei der Referenzspannungsquelle RG ist die Fläche des Emitters des als Diode geschalteten
Transistors T2 ein Bruchteil der Fläche des Emitters des anderen zugehörigen Transistors
T1. Hierdurch und durch die weiteren vorgesehenen Schaltungsmaßnahmen ergibt sich
eine Temperaturkompensation insofern, als dadurch die erzielte Referenzspannung weitgehend
unabhängig von der Temperatur ist (siehe auch Regelungstechnik, Heft 1, 1969, Seite
13; DE-B-19 440 28, Spalte 1 ). Bei dem in der Figur gezeigten Schaltungsbeispiel
ist die Fläche des Emitters des Transistors T1 fünfmal so groß wie die Fläche des
Emitters des Transistors T2. Dies ist dort auch durch die eingeschrieben Ziffern 5
und 1 angedeutet. Bei den verschiedenen zur Schaltung gehörenden Widerständen ist
auch jeweils die Ohmzahl angeschrieben. Für die Temperaturkompensation ist auch das
Verhältnis der Widerstandswerte der Emitterwiderstände R6 und R7 von Bedeutung. Anhand
der für die Darstellung der Transistoren gewählten Symbole ist auch erkennbar, ob
es sich jeweils um einen pnp-Transistor oder um einen npn-Transistor handelt.
[0009] Wie bereits erwähnt, gehört zur Stromspiegelschaltung noch ein zusätzlicher Transistor,
und zwar der Transistor T7 mit einem Emitterwiderstand R4, der eine weitere Stromspiegelschaltung
speist. Dabei handelt es sich um die Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T9,
T10, T11, T12 und T19. Die letzten drei angeführten Transistoren sind in Stromkreise
der mit der Referenzspannung belieferten Verstärkerschaltung VS eingeschleift. So
ist der Transistor T11 1 in den Emitterstromkreis des Differenzverstärkers mit den
Transistoren T13 und T14, den Emitterwiderständen R12 und R13 sowie den Kollektorwiderständen
R8 und R9 eingeschleift. Der Transistor T12 ist in den Hauptstromkreis des Transistors
T20 eingeschleift, der zu einem Zwischenverstärker der Verstärkerschaltung VS gehört.
Der Transistor T19 ist in einen Stromzweig einer zur Verstärkerschaltung gehörenden
Stromspiegelschaltung eingeschleift, zu der u.a. die Transistoren T17, T18 und T22
sowie die Widerstände R20 und R22 gehören. Durch diese Schaltungstechnik wird eine
bestimmte Stromeinprägung für die Verstärkerschaltung erzielt, wozu Schaltmittel verwendet
sind, die sich bequem an die zur Referenzspannungsquelle gehörenden Schmaltmittel
anfügen lassen. Auch bei den hierfür in Betracht kommenden Transistoren ist jeweils
die Größe der zugehörenden Emitterflächen durch angeschriebene Ziffern angedeutet.
So ist, bei den Transistoren T7, T10 und T19 die Ziffer 1 angeschrieben, während bei
den Transistoren T11 und T12 die Ziffer 2 angeschrieben ist. Dementsprechend führen
die beiden zuletzt genannten Transistoren einen doppelt so großen Hauptstrom als die
in diesem Zusammenhang genannten anderen drei Transistoren. Es ist übrigens auch bei
den übrigen zur Stromspiegelschaltung des Referenzspannungsgebers RG gehörenden Transistoren
T4, T5 und T6 die Größe des Emitterflächen durch angeschriebene Ziffern angegeben.
Demnach hat der Transistor T6 eine dreimal so große Emitterfläche als die Transistoren
T1 und T5. Die Stärke der über die Hauptstromstrecken der genannten Transistoren fließenden
Ströme ist entsprechend der Größe ihrer Emitterflächen gstuft. Dementsprechend ist
auch die Stärke der in denjenigen Stromkreisen fließenden Ströme gestuft, in welche
diese Transistoren eingeschleift sind.
[0010] Zu der Verstärkerschaltung VS gehören außer dem bereits erwähnten Differenzverstärker
mit den Transistoren T13 und T14 und der ebenfalls bereits erwähnten Stromspiegelschaltung
mit den Transistoren T17, T18 und T22 noch die symmetrisch geschaltete Transistorkoppelstufe
mit den Transistoren T15 und T16, über die der Differenzverstärker mit einem zweistufigen
Zwischenverstärker verbunden ist, zu dem die Transistoren T20 und T21 gehören, an
denen dann als Ausgangsstufe ein Darlington-Verstärker mit den Transistoren T23 und
T24 angeschlossen ist. Die Transistoren T15 5 und T16 der Transistorkoppelstufe gehören
auch zur Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T17 und T18. Dadurch und mit Hilfe
der zusätzlichen Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T25 und T26 und den Widerständen
R24 und R25 sowie der bereits erwähnten Stromspiegelschaltung mit den Transistoren
T9, T10, T11, T12 und T19, sind die Koppelstufe und die Eingangsstufe stromsymmetrisch
eingestellt. Dadurch wird eine besonders stabile Arbeitsweise der Verstärkerschaltung
erzielt. Es zeigt sich auch, daß dadurch die Verstärkereigenschaften wenig von den
Speisebedingungen der Schaltung abhängig sind. Wegen des sehr geringen Spannungsbedarfes
der Verstärkerschaltung und der übrigen günstigen Eigenschaften ergibt sich auch eine
sehr große Aussteuerfähigkeit der Verstärkerschaltung. Zwischen dem Ausgang und dem
Eingang ist noch das Spannungsgegenkopplungsnetzwerk mit den Widerständen R19, R18,
R15, R17, R16, R14, R11 und R10 eingefügt. Mit seiner Hilfe wird unteranderem der
Verstärkungsfaktor der Verstärkerschaltung festgelegt (siehe auch Siemens-Datenbuch
1974/75, Bad 2, "Lineare Schaltungen", Seiten 213 bis 215). Bei der Stabilisierung
wirkt dann noch der Gegenkopplungskondensator C1 mit. Die Transistoren T23 und T24
der Ausgangsstufe haben jeweils eigene Kollektorwiderstände, nämlich die Kollektorwiderstände
R21 und RL. Hierdurch ergibt sich eine besonders große Aussteuerfähigkeit der Ausgangsstufe
und ein niedrige Sättigungspannung des Transistores T24. In der Figur sind Schließlich
noch mit "lK" bzw. mit "21K" bezeichnete Pfeile eingezeichnet, welche die Richtung
und die Größe der in den betreffenden Stromzweigen fließenden Ströme angeben. Diese
Ströme ergeben sich vor allem dadurch, daß die beschriebenen Stromspiegelschaltungen
vorgesehen sind.
[0011] Der vorstehend beschriebene Mikrofonverstärker ist auch derart schaltungstechnisch
ausgestaltet, daß er sich bequem innerhalb einer integrierten Schaltung realisieren
läßt. Seine vorteilhaften Eigenschaften bleiben dabei erhalten.
1. Referenzspannungsquelle, insbesondere für Verstärkerschaltungen, bei der die Referenzspannung
an den miteinander verbundenen Basen zweier Transistoren (T1, T2) ansteht, von denen
einer (T2) als Diode geschaltet ist und der andere (T1) normal betrieben wird und
wobei der Emitter des als Diode geschalteten Transistors (T2) an den Abgriff der Reihenschaltung
zweier Emitterwiderstände (R6, R4) des normale betriebenen Transistors (T1) angeschlossen
ist, wobei weiterhin eine Stromspiegelschaltung (T4, T5, R1, R2) so in die Kollektorstromkreise
dieser Transistoren eingeschleift ist, daß der Kollektorstrom des normal betriebenen
Transistors (T1) auf den Kollektorstrom des als Diode geschalteten Transistors (T2)
gespiegelt wird und wobei weiterhin die Emitterflächen der Transistoren und die Widerstandswerte
der Emitterwiderstände so festgelegt, sind, daß die Referenzspannung weitgehend unabhängig
von der Temperatur ist, dadurch gekennzeichnet, daß zu der Stromspiegelschaltung (T4,
T5, R1, R2) ein weiterer in Stromspiegelschaltung angeschlossener Transistor (T6)
gehört, der in Reihe mit einem and Bezugspotential (0) gelegten entsprechenden Transistor
(T8) geschaltet ist, dessen Basis mit dem Emitter des als Diode geschalteten Transistors
(T2) verbunden ist und daß die Referenzspannung am Verbindungspunkt zwischen Kollektor
und Emitter der in Reihe geschalteten Transistoren (T6, T8) für eine damit zu beliefernde
Schaltung (VS) abgenommen wird.
2. Referenzspannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anlaßschaltung
aus der Reihenschaltung eines Transistors (T3) und seines Emitterwiderstandes (R5)
vorgesehen ist, an welche die Betriebsspannung (+/0) angelegt ist, und daß die Basis
des zugehörigen Transistors (T3) mit dem Kollektor des erwähnten normal betriebenen
Transistors (T1) verbunden ist.
3. Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Stromspiegelschaltung ein zusätzlicher Transistor (T7) gehört, der eine weitere
Stromspiegelschaltung (T9, T10, T11, T12, T19) speist, welche Transistoren (T11, T12,
T19) hat, die in Stromkreise der mit der Referenzspannung belieferten Schaltung (VS)
eingeschleift sind.
4. Referenzspannungsquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke
der in den erwähnten Stromkreisen fleißenden Ströme entsprechend der Größe der Emitterflächen
der in Diese Stromkreise eingeschleiften Transistoren (T11, T12, T19) der weiteren
Stromspiegelschaltung gestuft sind.
1. Source de tension de référence, en particulier pour des circuits amplificateurs,
dans laquelle la tension de référence est présente aux bases, reliées entre elles,
de deux transistors (T1, T2) dont l'un (T2) est monté en diode et dont l'autre (T1)
est opéré norlament, l'émetteur du transistor (T2) monté en diode étant relié à la
prise d'un circuit série de deux résistances d'émetteur (R6, R7) d'un transistor (T1)
opéré normalement, alors qu'un circuit dit à courants en rapport géométrique (T4,
T5, R1, R2) est introduit de telle manière dans le circuit de courant de collecteur
de ces transistors que le courant de collecteur du transistor (T1 ) opéré normalement
se reflète sur le courant de collecteur du transistor (T2) monté en diode, et qu'en
outre les surfaces d'émetteur des transistors et les valeurs ohmiques des résistances
d'émetteur sont déterminées de telle façon que la tension de référence est très largement
indépendante de la température, caractérisée par le fait qu'au circuit à courants
en rapport géometrique (T4, T5, R1, R2) appartient un transistor supplémentaire (T6)
branché en circuit à courants en rapport géométrique et qui est relié en série avec
un transistor correspondant (T8) porté au potentiel de référence (0) et dont la base
est reliée à l'émetteur du transistor (T2) monté en diode, et que la tension de référence
est prélevée au point de liaison entre le collecteur et l'émetteur des transistors
(T6, T8), montés en série, pour l'alimentation d'un montage (VS).
2. Source de tension de référence selon la revendication 1, caractérisée par le fait
qu'il est prévu un circuit d'attaque constitué par un montage série d'un transistor
(T3) et de sa résistance d'émetteur (R5), auquel est appliquée la tension de service
(+/0), et que la base du transistor associé (T3) est reliée au collecteur dudit transistor
(T1 ), opérénormaiement.
3. Source de tension de référence selon l'une des revendications précédentes, caractérisée
par le fait qu'au circuit à courants en rapport géometrique appartient un transistor
additionnel (T7) qui alimente un circuit supplémentaire à courants en rapport géométrique
(T9, T10, T11, T12, T19) ayant des transistors (T11, T12, T19) qui sont montés dans
des circuits du montage (VS) alimenté avec la tension de référence.
4. Source de tension de référence selon la revendication 4, caractérisée par le fait
que les intensités des courants passant dans lesdits circuits sont étagées en fonction
de la dimension des surfaces des émetteurs des transistors (T11, T12, T19) dudit circuit
supplémentaire à courants en rapport géométrique, et qui sont montés dans ces circuits.
1. A reference voltage source, in particular for amplifier circuits, wherein the reference
voltage is applied to the mutually connected base electrodes of two transistors (T1,
T2), one (T2) of which is connected as a diode and the other one (T1) of which is
normally connected, and where the emitter electrode of the transistor (T2) which is
connected as a diode is connected to a tapping formed by the junction of two series
connected resistors (R6, R7) in the emitter path of the normally operated transistor
(T1), and wherein furthermore a current reflector circuit (T4, T5, R1, R2) is so looped
into the collector circuits of these transistors that the collector current of the
normally operated transistor (T1) is reflected onto the collector current of the transistor
(T2) which is connected as a diode, and wherein furthermore the emitter surfaces of
the transistors and the resistance values of the emitter resistors are so determined
that the reference voltage is largely independent of temperature, characterised in
that the current reflector circuit (T4, T5, R1, R2) is assigned a further transistor
(T6) in a current reflector circuit connected to the reference potential (0) in series
with a corresponding transistor (T8) whose base electrode is connected to the emitter
electrode of the transistor (T2) which is connected as a diode, and that the connection
point between the collector and emitter electrodes of the series-connected transistors
(T6, T8) provides the reference voltage tapping for a circuit (VS) which is to be
supplied therewith.
2. A reference voltage source as claimed in Claim 1, characterised in that there is
provided a starting-up circuit composed of the series connection of a transistor (T3)
and its emitter resistor (R5), to which starting-up circuit is connected the operating
voltage (+/0), and that the base electrode of the assigned transistor (T3) is connected
to the collector electrode of said normally operated transistor (T1
3. A reference voltage source as claimed in one of the preceding Claims, characterised
in that the current reflector circuit is assigned an additional transistor (T7) which
feeds a further current reflector circuit (T9, T10, T11, T12, T19) which has transistors
(T11, T12, T19) looped into circuit paths of the circuit (VS) which is supplied with
the reference voltage.
4. A reference voltage source as claimed in Claim 4, characterised in that the intensity
of the currents flowing in said circuit paths are graded in accordance with the size
of the emitter surfaces of the transistors (T11, T12, T19) of the further current
reflector circuit which are looped into these circuit paths.