(19)
(11) EP 0 034 730 B1

(12) EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT

(45) Hinweis auf die Patenterteilung:
05.12.1984  Patentblatt  1984/49

(21) Anmeldenummer: 81100734.3

(22) Anmeldetag:  02.02.1981
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)3H04R 17/00, H04R 1/22

(54)

Wandlerplatte für piezoelektrische Wandler

Transducer disk for piezo-electric transducers

Plaque de transducteur pour transducteurs piézo-électriques


(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH FR GB IT LI NL SE

(30) Priorität: 15.02.1980 DE 3005708

(43) Veröffentlichungstag der Anmeldung:
02.09.1981  Patentblatt  1981/35

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Martin, Erwin, Dipl.-Ing.
    D-8000 München 70 (DE)
  • Walliser, Konrad, Dr.
    D-8000 München 71 (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       
    Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen).


    Beschreibung


    [0001] Die Erfindung betrifft eine Wandlerplatte für piezoelektrische Wandler der Fernsprechtechnik mit einer Trägerplatte und einer durch Klebemittel verbundenen einseitig darauf aufgebrachten beidseitig mit Elektroden versehenen Piezokeramik.

    [0002] Innerhalb des Fernsprechübertragungsbereichs von ca. 200 bis 4000 Hz muss der Frequenzgang des Fernsprechwandlers in einem vorgeschriebenen Toleranzschema liegen. Um dieser Bedingung zu genügen, ist es bekannt, die Grundresonanz der Biegeschwingung innerhalb des Fernsprechübertragungsbereiches zu legen, wodurch die Empfindlichkeit des Wandlers auf das notwendige Mass erhöht wird. Zur Verbreiterung des Übertragungsbereiches sowie zur Anhebung der Empfindlichkeit legt man weiterhin die Resonanzfrequenz der durch einen Knotenkreis gekennzeichneten vierten Teilschwingung an den oberen Rand des Übertraungsbereiches. Spezielle Resonatoren haben dann die Aufgabe, die Resonanzüberhöhungen auf ein vorgegebenes Mass abzudämpfen. So ist es bekannt, die Grundresonanz durch im Wandler angeordnete Absorptionsresonatoren zu dämpfen. Zur Dämpfung der vierten Teilschwingung eignen sich diese Resonatoren jedoch nicht, da die dazu erforderlichen kleinen Durchbrüche z. B. im Wandlerboden nur schwer herstellbar bzw. dann leicht verschmutzen können, so dass ein Betrieb mit gleichbleibendem Frequenzgang nicht gewährleistet werden kann. Aus diesem Grund hat man die Wandlerplatte in speziellen Lagerkörpern (DE-PS 1 961 217) gelagert. Weiterhin hat man die piezokeramische Schicht so bemessen, dass der Knotenkreis der vierten Teilschwingung sich innerhalb der Piezoschicht ausbildet.

    [0003] Wie eingangs bereits erwähnt, ist die piezokeramische Schicht der Wandlerplatte mit der Wandlerplatte durch eine Klebung miteinander verbunden. Die Klebeschicht ist als äusserst dünne Schicht ausgebildet (US-A-4 047 060), so dass der Kleber schnell aushärtet und keinen störenden Einfluss auf den Frequenzgang des Wandlers nahm. Es hat sich herausgestellt, dass eine derartige Klebeschicht Probleme hinsichtlich der Festigkeit sowie Probleme hinsichtlich der Einsetzbarkeit in Automaten mit sich brachte.

    [0004] Es ist Aufgabe der Erfindung, eine weitere Möglichkeit zur Dämpfung insbesondere der vierten Teilschwingung aufzuzeigen, durch die gleichzeitig die Nachteile der bisher verwendeten Klebeschicht vermieden werden.

    [0005] Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung dadurch gelöst, dass das Klebemittel einseitig über der gesamten Oberfläche der Trägerplatte aufgebracht ist, dass darauf die Piezokeramik aufgebracht ist, wobei die durch das Klebemittel gebildete Schicht eine derartige Stärke aufweist, dass sie die Resonanzüberhöhungen, insbesondere die der vierten Teilschwingung, dämpfend beeinflusst.

    [0006] Die Klebeschicht wird demnach im Gegensatz zu der bisherigen Ausbildung stärker ausgebildet. Damit können nunmehr Klebemittel Verwendung finden, die wesentlich unproblematischer einsetzbar sind als Klebemittel, durch die eine praktisch vernachlässigbar dünne Schicht erzielt werden soll. Das Spektrum der verfügbaren Klebemittel ist damit um ein Erhebliches erweitert worden, so dass unter anderem die Haftfestigkeit zwischen Piezokeramik und Trägerplatte selbst unter extremen Umweltbedingungen erheblich vergrössert werden konnte. Zur Dämpfung der vierten Teilschwingung bildet eine derartige Ausbildung der Klebeschicht eine äusserst zweckmässige Lösung, da auf weitere diese Schwingung dämpfende Mittel weitgehend verzichtet werden kann, wenn man die Stärke der Klebeschicht exakt daraufhin abstimmt.

    [0007] Durch die EP-A 0 007 036 ist es zwar bekannt, durch Überziehen der Wandlerplatte mit einer Kunststoffschicht das Frequenzverhalten der Wandlerplatte zu beeinflussen. Ähnliches ist durch die US-A 3 846 650 bekannt. Die hier erwähnte Schicht dient jedoch keinesfalls als Klebemittel für die Piezokeramik, so dass ein zusätzlicher Aufwand bei der Herstellung derartiger Wandlerplatten erforderlich ist.

    [0008] Weiterhin ist es durch die US-A 4 047 060 bekannt, eine Zwischenschicht zwischen Piezokeramik und Träger anzuordnen. Hier geht es jedoch um gewisse Festigkeitsprobleme, wobei gezeigt wird, wie sich die Scherung mit der Frequenz ändert. Das Frequenzverhalten mit dieser Schicht zu beeinflussen, ist nicht Aufgabe dieser Anordnung.

    [0009] Im folgenden sei die Erfindung anhand von zwei Figuren erläutert.

    [0010] Es zeigen:

    Fig. 1 eine Wandlerplatte im Schnitt und

    Fig. 2 die Wandlerplatte nach Fig. 1 in Draufsicht.



    [0011] Die in Figur 1 und 2 gezeigte Wandlerplatte besteht aus einer Trägerplatte 1 aus einer Aluminium-Legierung. Auf einer Seite der Trägerplatte ist ganzflächig eine Klebeschicht 2 aufgebracht, die aus einem Copolymer oder dergleichen besteht. An diese Schicht schliesst sich die Piezokeramik 3 an, die beidseitig mit je einer die Piezokeramik überdeckende elektrisch leitfähigen, Elektroden 4, 5 bildenden Schicht überzogen ist. Die Kontaktierung erfolgt über Drähtchen oder Bändchen, wobei in Fig. 2 das Bändchen 6 dargestellt ist, das zwischen Piezokeramik 3 und Klebeschicht 2 geklemmt gehalten ist.


    Ansprüche

    Wandlerplatte für piezoelektrische Wandler der Fernsprechtechnik mit einer Trägerplatte (1) und einer durch Klebemittel (2) verbundenen einseitig darauf aufgebrachten beidseitig mit Elektroden (4, 5) versehenen Piezokeramik (3), dadurch gekennzeichnet, dass das Klebemittel (2) einseitig über der gesamten Oberfläche der Trägerplatte (1) aufgebracht ist, dass darauf die Piezokeramik (3) aufgebracht ist, wobei die durch das Klebemittel (2) gebildete Schicht eine derartige Stärke aufweist, dass sie die Resonanzüberhöhungen, insbesondere die der vierten Teilschwingung, dämpfend beeinflusst.
     


    Claims

    A transducer plate for piezo-electric transducers in telephone technology, having a carrier plate (1) and a piezo-ceramic (3) located at one side thereof and connected thereto by adhesive, and is provided on both sides with electrodes (4, 5), characterised in that the adhesive (2) is applied to one side over the entire surface of the carrier plate (1), that the piezo-ceramic (3) is applied thereon, the layer formed by the adhesive (2) having a thickness such that it influences the resonance peaks, in particular those of the fourth harmonic, in a damping manner.
     


    Revendications

    Plaque de transducteur pour transducteurs pié- zoélectriques de la technique téléphonique, comportant une plaque de support (1) et une céramique piézoélectrique (3) pourvue sur ses deux côtés d'électrodes (4, 5) et montée sur ladite plaque de support unilatéralement par un adhésif (2), caractérisée par le fait que l'adhésif (2) est déposé unilatéralement sur la totalité de la surface de la plaque de support (1), qu'on y monte la céramique piézoélectrique (3), la couche formée par l'adhésif ayant une épaisseur telle qu'elle influence dans le sens de l'amortissement des amplifications de résonance, en particulier celles de la quatrième oscillation partielle.
     




    Zeichnung