[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hohlleiterelement gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Hohlleiterelement für eine gasgefüllte
Mikrowellen-Hohlleiteranordnung vorgegebener NennweLLenLänge, das einen Gasaustausch
zwischen dem Inneren der Hohlleiteranordnung und der äußeren Umgebung ermöglicht.
[0002] Hohlleiteranordnungen für große Mikrowellenleistungen von beispielsweise mehreren
100 kW pro Hohlleiter bei Frequenzen bis wesentlich über 300 MHz werden z.B. in der
PLasmaphysik, bei Fusionsreaktoren, BeschLeunigern und dergl. benötigt. Bei Frequenzen
von etwa 100 GHz haben die HohLLeiter bereits relativ kleine Durchmesser, so daß bei
hohen Mikrowellenleistungen im Inneren der Hohlleiter sehr hohe elektrische Feldstärken
auftreten. Zur Beherrschung der hohen elektrischen FeLdstärken ist es bekannt, Mikrowellen-Hohlleiter
mit einem gut isolierenden, gegebenenfalls unter überdruck stehenden Gas zu füllen.
Trotzdem führen die hohen FeLdstärken gelegentlich zu inneren überschlägen. Bei einem
solchen überschlag entstehen gasförmige Verbindungen, die die Durchschlagsfestigkeit
des Gases im Inneren des Hohlleiters beeinträchtigen. Um diese unerwünschte FoLge
eines inneren überschlages zu vermeiden, ist es erforderlich, das sich im Inneren
des HohLLeiter befindende isolierende Gas Laufend auszutauschen.
[0003] Es ist zwar aus der AT-PS 228 843 ein Hohlraumresonator bekannt, dessen Mantel aus
mindestens einem Ferritring besteht, dessen innere Fläche mit einer dünnen SiLberschicht
überzogen ist. Ferrite werden zwar im allgemeinen durch ein Sinterverfahren hergesteLLt,
sie sind jedoch nicht porös.
[0004] Aus der DE-PS 892 150 ist eine Hohlleiteranordnung (Hohlraumresonator, HohLLeiter)
bekannt, dessen Gehäuse innen mit einer Art von geflochtener Hochfrequenzlitze ausgekleidet
ist. SeLbst wenn diese AuskLeidung gasdurchlässig wäre, würde ein Gasaustausch zwischen
dem Inneren und dem Äußeren des HohLraums durch das undurchlässige Gehäuse verhindert.
[0005] Bisher gibt es jedenfalls noch keine Hohlleiterelemente, die einen Gasaustausch ermöglichen,
ohne gleichzeitig die FortLeitung der Mikrowel lenenergie zu dämpfen oder Mikrowellenenergie
nach außen durchzulassen.
[0006] Der vorliegenden Erfindung Liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, ein Hohlleiterelement
anzugeben, das sowohl einen Austausch des in seinem Inneren befindlichen Gases ermöglicht,
trotzdem keine MikroweLLenenergie in die Umgebung austreten Läßt und die sich in seinem
Inneren ausbreitende Mikrowellenenergie nicht wesentlich dämpft.
[0007] Die Erfindung Löst diese Aufgabe dadurch daß mindestens ein Teil der Wand aus einem
Sinterwerkstoff besteht, der Poren enthält, die von der Innenseite zur Außenseite
der Wand des HohLraumes durchgehen und deren maximale Abmessungen an der Innenseite
der Wand klein gegen die Nenn-Wellenlänge der Mikrowellen-Hohlleiteranordnung ist.
[0008] Das vorliegende Hohlleiterstück oder -element, dessen Wand ganz oder teilweise aus
gasdurchlässigem, zumindest an der Innenseite elektrisch Leitfähigem Sinterwerkstoff,
insbesondere SintermetaLL, besteht, ermöglicht einen schnellen Gasaustauch, ohne die
Mikrowellenenergie nennenswert zu dämpfen. Gleichzeitig wird auch die KühLung der
Wand verbessert.
[0009] Das Hohlleiterelement kann ein Hohlleiterstück mit z.B. rechteckigem, rundem oder
elliptischem Querschnitt sein und an seinen Enden öffnungen und AnschLüsse aufweisen,
die denen der übrigen Hohlleiteranordnung entsprechen. Das Hohlleiterelement kann
also bei einer Hohlleiteranordnung mit rundem Querschnitt kreisrunde öffnungen gleichen
Durchmessers wie die Hohlleiter der übrigen HohLLeiteranordnung aufweisen und bei
Rechteckhohlleitern rechteckige öffnungen gleicher Abmessungen.
[0010] Der Sinterwerkstoff kann aus einem reinen MetaLL oder einer MetaLLegierung bestehen.
Die Wand des Hohlleiterelements kann aber auch aus innen porös metallisierter Sinterkeramik
bestehen. Auch bei Verwendung von SintermetaLL kann die innere Oberfläche des Hohlleiterelements
durch Beschichten mit einem gut Leitendem MetaLL (Metallspritzen, Bedampfen oder galvanisches
Metallisieren) für die FortLeitung von MikroweLLen gewünschter Schwingungsmuster weitgehend
entdämpft werden. Die Leitfähige Beschichtung darf selbstverständlich die öffnungen
der Poren nicht verschließen.
[0011] Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die
Zeichnung näher erläutert.
[0012] Es zeigen:
Fig. 1 einen Axialschnitt eines Mikrowellen-Hohlleiterelements mit rundem Querschnitt
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, und
Fig. 2 eine stark vergrößerte Querschnittsansicht eines TeiLes der Wand des in Fig.
1 dargestellten Hohlleiterelements in einer Ebene II-II mit einer zusätzlichen Innenbeschichtung.
[0013] In Fig. 1 ist ein Hohlleiterelement in Form eines Hohlleiterabschnittes 10 dargestellt,
der ein Hohlleiterstück 12 mit im Querschnitt kreisförmiger Wand enthält, die einen
an beiden Enden offenen langgestreckten HohLraum 16 einschließt und an den Enden mit
Anschlußflanschen 14 versehen ist.
[0014] Das Hohlleiterstück ist außen mit Abstand von einem gasdichten und druckfesten Mantel
11 umgeben, der mit den FLanschen 14 gasdicht verbunden ist. Der Mantel 11 ist über
einen Gasanschlußstutzen mit einem Gaszuführungs- oder GasabLeitungssystem 13 verbunden,
das eine Druckgasquelle oder eine Pumpe sowie ein einstellbares oder beliebig zu öffnenden
oder zu schließenden Ventil zur Druckhaltung und zur Regulierung des Gasaustausches
vom Inneren des Hohlleiterstückes nach außen enthalten kann.
[0015] Die das Hohlleiterstück 12 bildende Wand 18 besteht aus einem Sinterwerkstoff 20,
z. B. SintermetaLL, der offene Poren 22 aufweist, die von der Innenseite zur Außenseite
26 der Wand 18 durchgehen wie in Fig. 2 dargestellt ist. Die Innenseite der Wand kann
eine die öffnungen der Poren im wesentlichen frei Lassende, im Vergleich zur Dicke
der Wand dünne Schicht 28 aus einem elektrisch gut leitenden MetaLL, z.B. Silber tragen,
wie in Fig. 2 dargestellt ist. Die maximalen Abmessungen d der Poren 22 sind zumindest
an der Innenseite 24 der Wand wesentlich kleiner als die Nennwellenlänge der Mikrowellenleiteranordnung,
vorzugsweise kleiner als 1/100 der NennweLLenLänge.
[0016] Der HauptteiL der Wand 18 kann auch aus Sinterkeramik bestehen, in diesem Falle ist
dann die Leitfähige Schicht 28 auf der Innenseite notwendig. Es kann auch nur ein
TeiL der Wand 18 aus porösem Sinterwerkstoff bestehen. Bei einem Rechteckhohlleiter
können z. B. die SchmaLseiten aus porösem Sinterwerkstoff hergestellt werden.
[0017] Eine praktische Ausführungsform des Hohlleiterelements gem. Fig. 1 hat folgende Parameter:

[0018] Das Sinterteil ist aus Edelstahl mit der Bezeichnung X5CrNiMo1810 ("Siperm R" (Wz),
Fa. Deutsche Edelstahlwerke). Der Teilchengrößebereich dieses Materials ist ca. 0,2
bis 1,3 mm und die maximale Porengröße ist 65µm. Die FLansche 14 bestehen aus Kupfer
und dienen zum Anschluß an ein aus Kupfer bestehendes Hohlleitersystem. Der Sintermaterialteil
12 hatte keine zusätzliche Innenbeschichtung.
[0019] Die Erfindung läßt sich auch bei anderen Hohlleiterelementen als dem beschriebenen
geraden Hohlleiterstück anwenden, z.B. Richtungskopp-Lern, Verzweigungen, Hohlraumresonatoren
und dergl. Bei inhomogener StrombeLastung der Innenwand des Hohlleiterelements kann
man die beschriebene Verwendung von Sinterwerkstoff auf die weniger hoch belasteten
WandteiLe beschränken. Das System 13 kann auch an eine andere Stelle des Hohlleitersystems
angeschlossen werden.
1. Hohlleiterelement für eine gasgefüllte Hohlleiteranordnung für MikroweLLen vorgegebener
Nennwellenlänge, welches eine einen Hohlraum (16) begrenzende Wand (18) aufweist,
welche mindestens teilweise aus Sinterwerkstoff und mindestens an ihrer inneren, an
den HohLraum angrenzenden Seite aus einem elektrisch Leitfähigen Material besteht,
dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterwerkstoff (20) Poren (22) enthält, die von der
Innenseite zur Außenseite der Wand des HohLraums (16) durchgehen und deren maximale
Abmessungen (d) an der Innenseite der Wand klein gegen die Nennwellenlänge der Mikrowellen-Hohlleiteranordnung
ist.
2. Hohlleiterelement nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Erzeugen
einer Druckdifferenz zwischen der Innenseite und der Außenseite der Wand.
3. Hohlleiterelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die den HohLraum
(16) begrenzende Wand (18) mit Abstand von einem druckfesten und gasdichten ManteL
(11) umgeben ist, der einen GasanschLuß aufweist.
4. Hohlleiterelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die innere
OberfLäche des aus Sinterwerkstoff bestehenden TeiLes der Wand mit einem elektrisch
gut Leitenden MetaLL beschichtet ist.
5. Hohlleiterelement nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der
Sinterwerkstoff aus einem MetaLL oder einer MetaLLegierung besteht.
6. HohLLeitereLement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterwerkstoff
aus Sinterkeramik besteht.