(19)
(11) EP 0 080 567 B1

(12) EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT

(45) Hinweis auf die Patenterteilung:
02.12.1987  Patentblatt  1987/49

(21) Anmeldenummer: 82108273.2

(22) Anmeldetag:  08.09.1982
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)4G05F 3/20

(54)

Integrierte Stromquellen -Halbleiterschaltungsanordnung

Semiconducter integrated current source

Source de courant intégrée à semiconducteurs


(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IT

(30) Priorität: 16.09.1981 DE 3136780

(43) Veröffentlichungstag der Anmeldung:
08.06.1983  Patentblatt  1983/23

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Kriedt, Hans, Ing. grad.
    D-8000 München 80 (DE)
  • Dietze, Andreas, Dipl.-Ing.
    D-8155 Valley/Grub (DE)
  • Fenk, Josef, Dipl.-Ing.
    D-8057 Eching (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
   
       
    Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen).


    Beschreibung


    [0001] Die Erfindung bezieht sich auf 'eine integrierte Stromquellen-Halbleiterschaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

    [0002] Eine derartige Stromquellen-Halbleiterschaltungsanordnung ist aus der FR-A-2117455 bekannt. Dabei wird jedoch das Sollsignal über einen Kreis erzeugt, welcher mit der Transistorstufe des Stromspiegels gekoppelt ist, die der Steuerstromversorgung des Stromspiegels dient. Damit wird das Sollsignal betriebsspannungsabhängig und der Regelkreis wirkt auf den Lastkreis.

    [0003] Stromquellen, wie sie z. B. in « Philips Technische Rundschau 32 (1971/72) Nr. 1, S.4-8, beschrieben sind, liefern einen Strom, der von der an der Stromquelle anliegenden Spannung möglichst unabhängig ist. Außerdem möchte man die Höhe des abgegebenen Stromes steuern, was z. B. durch die Zuführung eines Referenzstromes geschehen kann. Neben den einfachen Stromquellenschaltungen gibt es auch solche Stromquellen, bei denen ein aus npn-Transistoren zusammengesetzter Stromspiegel mit einem aus pnp-Transistoren zusammengesetzten Stromspiegel kombiniert ist. Ein Schaltbeispiel für einen solchen Stromspiegel ist in Fig. 2 dargestellt, während in Fig. 1 der einfache Stromspiegel gezeigt ist. Ersichtlich kann man mehrere Transistoren desselben Leitungstyps als je einen Ausgang der Stromquelle vorsehen, die dann gemeinsam an einen als Diode geschalteten Transistor vom gleichen Typ über ihre Steuerelektroden angeschlossen sind und ihrerseits zur Stromversorgung je eines Lastelements L vorgesehen sind. Zu bemerken ist schließlich, daß solche Stromspiegelkonstantstromquellen sowohl in Bipolartechnik als auch in MOS-Technik ausgeführt werden können.

    [0004] Bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltung für eine solche Konstantstromquelle hat man zwei Versorgungsanschlüsse + UB und ―UB, von denen der eine, im Beispielsfall der Anschluß - UB geerdet, d. h. also als Bezugspotentialanschluß verwendet ist. Zwei npn-Transistoren T1 und T2 sind mit ihren Basisanschlüssen verbunden, wobei der Kollektor des Transistors T1 ebenfalls an der Basis dieser beiden Transistoren T1 und T2 liegt. Aufgrund dieser Anschaltung wirkt der Transistor T1 als Diode und kann deshalb gegebenenfalls auch durch eine solche ersetzt sein. Die Emitter der beiden npn-Transistoren T1 und T2 liegen entweder unmittelbar oder über einen Widerstand R1 und R2 an dem Bezugspotential UB.

    [0005] Unter Bezug auf Figur 1 ist nun folgendes festzustellen : Wird in dem Knotenpunkt K1 ein Strom 11 eingespeist, so fließt je nach Größe der Emitterfläche des Transistors T2 und des Widerstandes R2 ein proportionaler Strom 12 in den Kollektor des Transistors T2. Wird nun die Konstantstromquelle entsprechend Figur 2 ausgebildet, so wird die in Figur 1 dargestellte Kombination der Transistoren T1 und T2 durch eine komplementäre Anordnung des anderen Leitungstyps so ergänzt, daß der Kollektor des Transistors T', als Stromquelle des Stromes l1, für den Transistor T1 an den Knotenpunkt K1 geschaltet ist. Die Basisanschlüsse der pnp-Transistoren T'1, und T'2 sind mit dem Kollektor des Transistors T'2 zusammengeschaltet und liegen am Kollektor des npn-Transistors T2. Die Emitter der pnp-Transistoren T'1 und T'2 liegen direkt oder über Widerstände vom Versorgungspotential + UB. Wird der den Emitter des npn-Transistors T1 mit dem Bezugspotential - UB verbindende Widerstand R1 durch einen Kurzschluß ersetzt und erhält der npn-Transistor T2 eine n-fache Emittertläche, so ergibt sich die - ebenfalls bekannte - PTC-Stromquelle (PTC = positive temperature currentsource).

    [0006] Die in Figur 2 angedeuteten Lasten L3, ..., Ln bzw. L'3, ..., L'n werden durch die Stromquellentransistoren T3, ..., Tn versorgt, deren Basispotential identisch mit dem Basispotential der npn-Transistoren T1 und T2 bzw. der pnp-Transistoren T'1 und T'2 ist.

    [0007] Der Vorteil einer Schaltung gemäß Fig. 2 zur Stromversorgung einer integrierten Schaltung, die mit der Stromquelle monolithisch zusammengefaßt ist, besteht darin, daß die Schaltung auch bei Betriebsspannungen UB ≦1,5 V noch funktionsfähig ist, was bei normalen aus Konstantspannungsquellen abgeleiteten Stromspiegel-Stromquellen nicht gewährleistet ist. Außerdem weist diese Schaltung einen für viele Anwendungen günstigen positiven Temperaturkoeffizienten auf.

    [0008] Die bekannten Stromquellen auf Stromspiegelbasis, wie sie in Fig. 1 und Fig. 2 dargestellt sind, und bei denen gleichzeitig durch einen Referenzstrom 11 mehrere Ausgangstransistoren T3, ..., Tn bzw. T'3...., T'n gesteuert werden, zeichnen sich erfahrungsgemäß dadurch aus, daß bei stärkeren Beanspruchungen durch die Basisströme der Transistoren T3, ..., Tn bzw. T'3, ..., T'n eine merkliche Beeinflussung der Größe der an den einzelnen Ausgängen der Stromquellen abgegebenen Ströme auftritt. Da ferner produktionsbedingt unterschiedliche Strömverstärkungsfaktoren der einzelnen Ausgangstransistoren des Stromspiegels unvermeidbar sind und sich diese Unterschiede in Unterschieden der Basisströme dieser Transistoren bemerkbar machen, ist eine daraus resultierende Beeinflussung der an den Ausgängen der Konstantstromquelle abgegebenen Ströme ebenfalls bei den bekannten Schaltungen unvermeidlich.

    [0009] Aufgabe der Erfindung ist es nun, die Einwirkung derartiger Abweichungen auf die von der Stromquelle abgegebenen Ströme auszugleichen und für eine Verbesserung der Unabhängigkeit der gelieferten Ströme von der Belastung der Stromquelle zu sorgen.

    [0010] Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine integrierte Stromquellen-Halbleiterschaltungsanordnung der eingangs genannten Art durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruches 1 gekennzeichnet.

    [0011] Da bei der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung der Referenzkreis vom Stromspiegel entkoppelt ist, findet eine Belastung des Referenzkreises durch den Lastkreis nicht statt. Die einzige Belastung des Referenzkreises ist durch einen im Regelkreis befindlichen Operationsverstärker gegeben.

    [0012] Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Fig. bis 5 der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert, wobei diese Figuren jeweils ein Schaltbild der Ausführungsbeispiele zeigen.

    [0013] Bei Betrachtung der in Fig. 3 dargestellten Art der erfindungsgemäßen Schaltung stellt man folgendes fest : Bedingt durch den Strom aus den Stromquellen J0R und Jo stellen sich an den als Dioden geschalteten Transistoren T1R und T, die Spannungen Uref und U1 ein. Wenn viele Verbraucher T2, T3, ..., Tn vorliegen, wird ein - nicht mehr vernachlässigbarer - Basisstrom

    entnommen. Dies führt zu einer Fehlerspannung U1―ΔU. Der Regelverstärker OP erfaßt diese Größe und stellt über das Stellglied SG den Summenstrom Ei bereit. Dabei verbleibt eine Restabweichung entsprechend der Regelverstärkung.

    [0014] Bei der weiter verbesserten und auf Fig.3 3 zurückgehenden Ausgestaltung einer Anlage gemäß der Erfindung, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, stellt sich über die Stromquellen J0R bzw. J0 am Widerstand r bzw. R eine Spannung Uref bzw. U, ein. Wird nun an den Transistoren T1, T2, ..., Tn ein nicht mehr vernachlässigbarer Basisstrom Σi = i1 + i2 + i3 + ... + in entnommen, so erhält man so erhält man am Widerstand R eine Fehlerabweichung von U2―ΔU. Der Regelverstärker OP erfaßt diese Größe und stellt über das Stellglied SG den Summenstrom Σi bereit. Auch hier verbleibt eine Restabweichung entsprechend der Regelverstärkung.

    [0015] Schaltungsmäßig ist zu der Ausgestaltung gemäß Figur 3 festzustellen, daß bei dieser ein zwischen der Referenzstromquelle JOR und einer in Flußrichtung liegenden und durch den npn-Transistor T1R gegebenen Diode liegender Knotenpunkt K zur Beaufschlagung des direkten Eingangs + des zugleich als Komparator dienenden Regelverstärkers OP vorgesehen ist. Der invertierende Eingang des Regelverstärkers liegt am Knoten K1 zwischen dem Transistor T1 und der ihn beaufschlagenden Stromquelle Jo. Diese Beaufschlagung wird durch das Stellglied SG eingestellt.

    [0016] Bei der in Figur 4 dargestellten Ausgestaltung ist die Referenzstromquelle ebenfalls zu einem Stromspiegel ergänzt. Zu diesem Zweck ist der Knoten K in der Schaltung gemäß Figur4 nicht unmittelbar wie bei der Schaltung gemäß Figur 3 sondern über einen npn-Transistor T2R an den +-Eingang des Regelverstärkers OP gelegt. Zu diesem Zweck ist der Knoten K mit der Basis des Transistors T2R verbunden, dessen Kollektor einerseits über einen Widerstand r am Versorgungspotential + UB und andererseits an dem besagten Eingang des Regelverstärkers OP liegt. Der Emitter des Stromspiegelausgangstransistors T 2R ist entweder unmittelbar oder über einen Widerstand ro an das Bezugspotential ―UB geschaltet. Zur Beaufschlagung des anderen Eingangs des Regelverstärkers ist bei der Schaltung gemäß Figur 4 in Abweichung von der Schaltung gemäß Figur 3 nicht der Knotenpunkt K1 zwischen dem Transistor T1 und der Stromquelle Jo sondern ein Knotenpunkt vorgesehen, der zwischen dem Kollektor des Transistors T2 und einem diesen mit dem Versorgungspotential + UB liegenden Lastwiderstand R liegt und mit K3 bezeichnet ist. Wie bei der Schaltung gemäß Figur 3 wirkt das vom Ausgang des Regelverstärkers OP gesteuerte Stellglied auf den Stromfluß am Eingang K1 des zu regelnden Stromspiegels ein.

    [0017] Die Ausgestaltung gemäß Figur 5 geht auf die Struktur der in Figur 2 dargestellten komplementären Konstanstromquelle T1, T2, t1. t2 zurück. Gemäß der Erfindung ist nun als Sollwertgeber ebenfalls ein aus zwei zueinander komplementären Stromspiegeln zusammengesetzter Referenzschaltungsteil in Form einer sog. « PTC »-Anlage vorgesehen. Dieser besteht aus den beiden zu einem npn-Stromspiegel zusammengefaßten npn-Transistoren T1R, T2R sowie aus den beiden zu einem pnp-Stromspiegel zusammengefaßten pnp-Transistoren t1R und t2R, die in der - bereits aus Figur 2 ersichtlichen Weise-aneinander und an die beiden Versorgungsanschlüsse + UB und - UB gelegt sind. Zur Beaufschlagung des Referenzeinganges des Regelverstärkers OP dient ein Schaltungspunkt UR zwischen dem als Diode geschalteten npn-Transistor T1R und dem nicht als Diode geschalteten pnp-Transistor T2R. Dabei kann zwischen dem genannten Schaltungspunkt UR und dem als Diode geschalteten npn-Transistor T2R noch ein Widerstand Rr vorgesehen sein, auf den noch näher eingegangen wird.

    [0018] Der andere Signaleingang - des Regelverstärkers OP liegt an einem Schaltungspunkt P zwischen dem als Diode geschalteten npn-Transistor T1 und dem nicht als Diode geschalteten pnp-Transistor T'2' dessen Emitter-Kollektorstrecke mit der des npn-Transistors T1 in Reihe geschaltet ist. Auch hier kann zwischen dem Anschlußpunkt P der zum Regelverstärker OP führenden Abzweigung und dem als Diode geschalteten npn-Transistor ein dem Widerstand Rr entsprechender Widerstand Rs vorgesehen sein.

    [0019] Bei der in Figur 5 dargestellten Schaltung dient die Kombination der beiden Stromspiegel T1. T2 und T'1, T'2 als Istwertgeber als auch als Regler, wobei die Beaufschlagungsstelle des Reglers durch die Basisanschlüsse der den pnp-Stromspiegel bildenden Transistoren T', und T'2 gegeben ist.

    [0020] Hinsichtlich der Wirkung der Schaltung läßt sich nun folgendes feststellen :

    [0021] Die Schwellenspannung des als Diode geschalteten npn-Transistors T1R im Referenzstromspiegel wird mit der Schwelle des als Diode geschalteten npn-Transistors T, vermittels des Regelverstärkers OP verglichen. Stellt sich dabei heraus, daß die Schwelle des Transistors T1 infolge der Basisstrombelastung in der Stromquelle, d. h. also in den Transistoren T3, ..., Tn bzw. T'3, ..., T'm kleiner als die des npn-Transistors T1R ist, so wird über den als Differenzstromverstärker ausgebildeten Regelverstärker OP ein zusätzlicher Strom in den pnp-Transistor T'1 der Stromquelle eingespeist und über den pnp-Transistor T'2 gespiegelt. Dieser Regelprozeß wird automatisch solange durchgeführt, bis die Schwellspannung des als Diode geschalteten npn-Transistors T1 wieder so groß wie die des als Diode geschalteten npn-Transistors T1R in der unbelasteten Referenzstromquelle geworden ist. Dadurch ist das angestrebte Ziel der Aufhebung einer Abweichung der über die Stromausgänge T'2, T'3, ..., T'm und T2, T3, ..., Tn der Stromquelle fließenden Ströme zu den Lastelementen L' bzw. L von dem über die Diode T1R fließenden Referenzstrom erreicht.

    [0022] In Figur 5 sind in gestrichelter Form zwei weitere Ausgestaltungen der Schaltung angedeutet:

    1) Durch die bereits erwähnte Einführung der beiden Widerstände Rr und Rs, die z. B. gleichgroß bemessen sind, erreicht man eine Versteilerung der Regelung und damit ein verbessertes Ausregelverhalten.

    2) Eine Vereinfachung der Schaltung kann man erreichen, wenn man den npn-Stromspiegel als 1 : 1 Stromspiegel ausgestaltet, was den Verzicht auf den zwischen dem npn-Transistor T2 und dem Versorgungspotential + UB vorgesehenen Widerstand R im Hauptversorgungskreis bedeutet. Zusätzlich kann auch auf die Transistorflächen-Übersetzung von T1 auf T2 verzichtet werden.

    3) Eine an einen der Kollektoren der beiden pnp-Transistoren T'1 oder T'2 im Referenzkreis gelegte Anlaufschaltung AS kann das Einschaltverhalten der Stromstabilisierung für die Ausgänge der zu regelnden Stromquelle sicherstellen.



    [0023] Hinsichtlich der Figur 5 ist noch festzustellen, daß die Anlaufschaltung AS ein in üblicher Weise ausgestalteter Schaltungsteil ist, der gewährleistet, daß nach dem Anlegen der Versorgungsspannung UB sich die erforderlichen Ströme im Sollwertgeber aufbauen können. Zum Beispiel kann die Anlaufschaltung AS im einfachsten Fall aus einem Widerstand bestehen, der eine unmittelbare Verbindung zwischen der Basis des npn-Transistors T1R zum Versorgungspotential + UB bildet. Weiter ist zu bemerken, daß der Sollwertstrom durch das Verhältnis der Emitterflächen der beiden Transistoren T1R und T2R bestimmt ist, was durch die Beschriftung angedeutet ist.

    [0024] Schließlich ist im Hinblick auf den bei einer Schaltung gemäß der Erfindung anzuwendenden Regelverstärker noch folgendes festzustellen : Der Regelverstärker besteht aus dem Operationsverstärker OP (der u. a die Funktion des Komparators zur Feststellung der Regelabweichung hat) und dem von ihm beaufschlagten Stellglied. Er ist in bekannter Weise so ausgestaltet, daß am Eingang des Regelverstärkers eine Differenz zwischen den Istwertströmen und den Sollwertströmen (ggf. nach Umsetzung der Differenz der Stromwerte in eine Spannungsdifferenz) abgetastet und so umgesetzt wird, daß am Summationspunkt der Istwert-Stromquelle mit dem Regelverstärkerausgang der Istwertstrom mit dem Sollwertstrom übereinstimmt. Im allgemeinen handelt es sich bei der Ausgestaltung des Regelverstärkers um übliche Maßnahmen, so daß sich weitere diesbezügliche Ausführungen erübrigen.

    [0025] Zu bemerken ist schließlich noch, daß bei den gezeigten Ausführungsbeispielen anstelle der npn-Transistoren pnp-Transistoren und anstelle der pnp-Transistoren npn-Transistoren bei entsprechender Abänderung der Polarität von Bezugspotential und des anderen Versorgungspotentials möglich ist. Anstelle der Bipolartransistoren können auch MOS-Feldeffekttransistoren vom selbstsperrenden Typ verwendet werden, indem z. B. in den Ausführungsbeispielen die npn-Transistoren durch n-Kanal-MOS-FET's und die pnp-Transistoren durch p-Kanal-MOS-FET's ersetzt werden.


    Ansprüche

    1. Integrierte Stromquellen-Halbleiterschaltungsanordnung in Form eines Stromspiegels mit mehreren der Stromversorgung jeweils einer Last (R, L) dienenden, durch jeweils eine Transistorstufe (T2, T3, ..., Tn ; T'3, ..., T'm) gebildeten Ausgangsstufen und mit einer die Ausgangsstufen (Tε, T3, ..., Tn; T'3, ..., T'm) mit einem Steuerstrom (i1, ..., in) versorgenden Transistorstufe (T, ; T'1), bei welcher ein Regelkreis (OP, SG) vorgesehen ist, in dem ein Signal (V, ― ΔV), das ein Maß für den von der Steuerstromversorgungs-Transistorstufe (T1 ; T'1) aufgenommenen Strom (i0 ± Δi) ist, mit einem von einem Referenzkreis (J0R, T1R ; JoR, T1R' T2R; T1R, T2R' t1R, t2R) gelieferten Sollsignal (Uref; UR) verglichen und ein daraus gebildetes Vergleichssignal zur Regelung des von der Steuerstromversorgungs-Transistorstufe (T, ; T'1) dient, dadurch gekennzeichnet, daß der Referenzkreis (J0R, T1R ; JOR, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R) eine über den Regelkreis (OP, SG) vom Stromspiegel entkoppelte Konstantstromquelle ist.
     
    2. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den Referenzkreis (JOR, T1R ; JOR, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R) bildende Konstantstromquelle durch eine einen Referenzstrom (lref) liefernde Stromquelle (J0A) und eine dazu in Reihe liegende, das Sollsignal (Uref ; UR) erzeugende Stufe (T1R ; T1R, T2R) gebildet ist.
     
    3. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die das Sollsignal (Uref) erzeugende Stufe durch einen als Diode geschalteten Transistor (T1R) gebildet ist.
     
    4. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die das Sollsignal (Uref) erzeugende Stufe durch einen Stromspiegel (T1R, T2R) gebildet ist.
     
    5. Halbleiterschaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die den Referenzstrom liefernde Stromquelle als Stromspiegel (t1R, T2R) ausgebildet ist.
     


    Claims

    1. An integrated semiconductor current source circuit arrangement in the form of a current reflector comprising a plurality of output stages, each of which provides current to at least one load (R, L) and is in each case formed by a transistor stage (T2, T3, ..., Tn; T'3, ..., T'm), with a transistor stage (T1 ; T'1) to supply the output stages (T2, T3, ..., Tn; T'3, ..., T'm) with a control current (i1, ..., in), and a regulating circuit (OP, SG) provided to compare a signal (V1 ― ΔV), which represents the current (i0±Δi) received from the control current supply transistor (T1 ; T'1}, with a theoretical signal (Uref; Ur) supplied by a reference circuit (JOR, T1R; J0R, T1R, T2R; T1R, T2R, t1R, t2R), and form a comparison signal that regulates the control current supply transistor stage (T1 ; T'1), characterised in that the reference circuit (J0R' T1R; J0R, T1R, T2R; T1R, T2R, t1R, t2R) is a constant current source decoupled from the current reflector via the regulating circuit (OP, SG).
     
    2. A semiconductor circuit arrangement as claimed in Claim 1, characterised in that the constant current source which forms the reference circuit (JOR, T1R ; J0R, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R) is formed by a current source (J0R), that supplies a reference current (lref), and a series- connected stage (T1R; T1R, T2R) that generates the theoretical signal (Uref ; UR).
     
    3. A semiconductor circuit arrangement as claimed in Claim 1 and 2, characterised in that the theoretical signal (Uref) is formed by a transistor stage (T1R) connected as a diode.
     
    4. A semiconductor circuit arrangement as claimed in Claim 1 and 2, characterised in that the theoretical signal (Uref) is formed by a current reflector stage (T1R, T2R)-
     
    5. A semiconductor circuit arrangement as claimed in Claims 1 to 4, characterised in that the current source wich supplies the reference current is a current reflector (t1R, t2R).
     


    Revendications

    1. Source de courant intégrée à semi-conducteurs, sous forme d'un circuit de courant dit à miroir, avec plusieurs étages de sortie servant chacun à l'alimentation en courant d'une charge (R, L) et constitués chacun par un étage à transistor (T2, T3, ..., Tn ; T'3, ..., T'm), et avec un étage à transistor (T1 ; T'1) alimentant les étages de sortie (T2, T3, .. , Tn ; T'3, ..., T'm) avec un courant de commande (i1, ..., in), dans laquelle est prévu un circuit de régulation (OP, SG) dans lequel un signal (V1 ‾ ΔV), qui est une mesure du courant (i0±Δi) absorbé par l'étage à transistor d'alimentation en courant de commande (T1 ; T'1), est comparé avec un signal de consigne (Uref ; UR) fourni par un circuit de référence (JOR, T1R ; J0R, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R), et dans laquelle un signal de comparaison formé à partir de cette comparaison sert à la régulation de l'étage à transistor d'alimentation en courant de commande (T, ; T'1), caractérisée en ce que le circuit de référence (J0R, T1R ; J0R, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R) est une source de çourant constant qui est découplé du circuit de courant à miroir par le circuit de régulation (OP, SG).
     
    2. Source de courant selon la revendication 1, caractérisée en ce que la source de courant constant formant le circuit de référence (JOR, T1R ; JOR, T1R, T2R ; T1R, T2R, t1R, t2R) est constituée par une source de courant (JOR) fournissant un courant de référence (lref) et par un étage (T1R ; T1R' T2R) monté en parallèle avec elle et produisant le signal de consigne (Uref; UR).
     
    3. Source de courant selon les revendications 1 et 2, caractérisée en ce que l'étage produisant le signal de consigne (Uref) est formé par un transistor (T1R) monté en diode.
     
    4. Source de courant selon les revendications 1 et 2, caractérisée en ce que l'étage produisant le signal de consigne (Uref) est formé par un circuit de courant à miroir (T1R, T2R).
     
    5. Source de courant selon les revendications 1 à 4, caractérisée en ce que la source de courant fournissant le courant de référence est réalisée comme un circuit de courant à miroir (t1R, t2R).
     




    Zeichnung