(57) Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektronik/­Mikroelektronik und betrifft Präzisions-Widerstands-Dünn­schichten, wie sie z.B. in Hybridschaltkreisen, Sensoren oder integrierten Schaltungen Anwendung finden.
Die Aufgabe der Erfindung, die Zusammensetzung der Schichten und ihre Struktur bezüglich der Heterogenität zu verändern, wird durch Präzisions-Widerstands-Dünnschichten auf der Basis von CrSiO mit 10 bis 50 Stoffmengenanteilen Sauer­stoff und einem Atomverhältnis Si:Cr zwischen 1 und 10 sowie mit einem oder mehreren hochschmelzenden Metallen (x) von 0 bis 10 Stoffmengenanteilen und 0 bis 50 Stoffmengen­anteilen Al bezogen auf das Gesamtsystem CrSiXAl erfindungs­gemäß dadurch gelöst, daß die Schicht zwischen 2 und 20 Stoffmengenanteile Wasserstoff, bezogen auf das Gesamt­system CrSiCAlOH, enthält, daß ein Teil des Wasserstoffs in Form von OH-Gruppen abgebunden ist, und daß die Schicht eine Entmischung in O-reiche und O-arme Cluster aufweist, die mit einer Säulenstruktur gekoppelt ist.
Durch die Erfindung ist es möglich, Widerstands-Dünnschich­ten mit Präzisionseigenschaften anzugeben.