(57) Es wird ein PCVD-Verfahren zur Herstellung eines auf der Innen- und/oder Außenfläche mit einem dielektrischen und/oder metallischen Schichtsystem versehenen annähernd kalottenförmigen Substrats (1), insbesondere eines Reflektors mit innenseitiger dielektrischer Kaltlichtspiegelbeschichtung, beschrieben. Des weiteren werden für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens besonders geeignete Vorrichtungen beschrieben. Nach der Erfindung wird mit Hilfe eines Verdrängungskörpers (6) die Dicke der zu reagierenden Gasschicht über der zu beschichtenden Fläche so eingestellt, daß das Ausmaß der in der Gasschicht während einer Plasmaphase auftretenden Homogenreaktion ("Glasrußbildung") für die gewünschte Schichtqualität unschädlich bleibt. Durch Anwendung eines PCVD-Verfahrens können nahezu beliebig geformte, stark gewölbte, großflächige Substrate ohne komplizierte Substratbewegung auf ihrer Innen-und/oder Außenfläche mit einer gleichmäßigen Beschichtung von höchster optischer Qualität sowie mechanischer, thermischer und chemischer Stabilität versehen werden. Bei Anwendung eines PICVD-Verfahrens können durch entsprechende Formgebung des Verdrängungskörpers in an sich bekannter Weise vorgegebene axiale und azimutale Schichtdickenprofile aufgeprägt werden.