Source de vapeurs et d'ions

Description

[0001] La présente invention concerne une source de vapeurs et d'ions selon la première partie de la revendication 1, et notamment une source de vapeurs et d'ions métalliques.

[0002] Une telle source est connue de l'article Instruments and Experimental Techniques, volume 30, n° 1, partie 2, janvier-février 1987, pages 168-170, V.A. Saenko et al. Cet article décrit une source d'ions métalliques à cathode creuse chaude. Dans ce document, la pression de vapeur est très faible et la cathode doit être chauffée au moins intialement. Il en résulte également une limitation de la durée de vie de la source.

[0003] Dans l'art antérieur, les sources de vapeurs et d'ions métalliques résultent classiquement du bombardement d'une cible par un faisceau d'électrons. Ceci exige un appareil complexe et délicat, fonctionnant sous un vide élevé (de l'ordre de 10⁻³ Pascals) et de durée de vie limitée.

[0004] Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir un autre type de source de vapeurs et d'ions de structure particulièrement simple et à durée de vie longue.

[0005] Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit une source de vapeurs et d'ions selon la revendication 1.

[0006] Pour faire fonctionner cette source d'ions, on dispose initialement dans l'enceinte, et notamment dans la cavité de la cathode, un gaz porteur à basse pression et la cathode est portée à un potentiel négatif de l'ordre de quelques centaines de volts par rapport à l'anode (la masse). Il en résulte une ionisation du gaz porteur et un échauffement de la cathode. Par suite, le maté-riau à ioniser disposé dans la cathode se volatilise et est ionisé. Les vapeurs métalliques et les ions du matériau peuvent ensuite être projetés vers une cible disposée à un potentiel négatif par rapport au potentiel du plasma. Une fois le phénomène amorcé, on peut procéder à un pompage pour réduire la proportion de gaz porteur qui devient inutile.

[0007] Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec la figure jointe.

[0008] Comme l'illustre la figure, la présente invention prévoit d'utiliser une cathode 10 munie d'une cavité interne et d'une ouverture de sortie 11. Cette cathode est enfermée dans une enceinte, par exemple une enceinte conductrice M à la masse que l'on appelera ci-après tantôt masse tantôt anode puisqu'elle constitue une anode par rapport à la cathode 10. Cette enceinte est munie de moyens de pompage 13 et de moyens 14 d'introduction d'un gaz, ce gaz étant par exemple de l'hélium, de l'argon, etc.

[0009] Un aimant ou autre moyen d'application de champ magnétique A est prévu pour appliquer un champ magnétique B au niveau de l'ouverture 11 de la cathode orthogonalement au plan de celle-ci. Dans la cavité 10 est disposé un matériau à ioniser, par exemple un métal 15 sous forme de poudre, de barreaux, de copeaux etc.

[0010] Initialement, on évacue l'enceinte M et on y introduit un gaz porteur sous une pression de l'ordre de quelques dixièmes à quelques dizaines de pascals. Quand la cathode est portée à un potentiel négatif de quelques centaines de volts, un champ électrique apparaît et, du fait de l'existence de la cavité, les lignes de champ électriques 16 s'incurvent vers l'intérieur de la cavité au niveau de l'ouverture, comme cela est représenté dans la figure. Ainsi, il existe des zones où le champ électrique E, du fait de la courbure des lignes de champ, est perpendiculaire au champ magnétique appliqué B. Il en résulte la création d'un plasma pour des pressions gazeuses beaucoup plus faibles qu'en l'absence de tels champs électrique et magnétique croisés. En effet, ce sont les effets de bord (courbure du champ électrique due à la présence de l'ouverture dans la cavité) conjugués avec le champ magnétique croisé en certains emplacements qui sont à l'origine de la création du plasma. Il se forme ainsi pour des pressions de gaz porteur supérieures à quelques dixièmes de pascal une zone de plasma sensiblement telle que délimitée par des pointillés dans la figure, au voisinage de l'ouverture 11. Pour que ce phénomène se produise, il faut, comme cela est connu, que l'ouverture ait une dimension suffisante, par exemple une fente de plus de 4 mm de large, et soit ménagée dans une surface ou plaque sensiblement plane perpendiculaire à la direction du champ magnétique.

[0011] Il résulte de l'apparition de ce plasma un échauffement des parois de la cavité 10 et donc du matériau 15 qui se sublime ou s'évapore (selon qu'il se liquéfie ou non). Il y a alors création de vapeurs de ce matériau. Ces vapeurs émergent par l'orifice 11 de la cavité et une proportion notable de celles-ci est ionisée par les électrons du plasma : il y a donc création d'ions du matériau 15 qui peuvent être collectés par une plaque 20 disposée en regard de l'ouverture de la cavité et portée à un potentiel négatif par rapport à la masse. Cette plaque reçoit donc les ions et les vapeurs du matériau tandis que les électrons sont repoussés par le potentiel négatif vers la masse.

[0012] On notera que le potentiel du plasma n'est pas le potentiel de la cathode 10 mais que, si le potentiel de cette cathode est par exemple de -500 volts, le potentiel du plasma pourra être de quelques dizaines de volts. Ainsi, selon l'énergie d'impact que l'on veut conférer aux ions sur la plaque 20, celle-ci sera portée à un potentiel variable entre une centaine et un millier de volts environ.

[0013] Si la pression de vapeur du matériau dans la cavité atteint une pression de l'ordre du Pascal, on peut interrompre l'arrivée des gaz 14 qui provoquent la création initiale du plasma tout en continuant le pompage par la pompe 13. La décharge se maintient puisque, dans ces conditions, ce sont les vapeurs du matériau 15 qui jouent le rôle du gaz initial. Il existe donc un plasma auto-maintenu à l'intérieur de la cavité.

[0014] On obtient ainsi une source de vapeurs et d'ions auto-entretenue par la présence du matériau 15, cette source fonctionnant sous un vide de l'ordre du dixième à la dizaine de pascals.

[0015] Le matériau 15 sera par exemple un métal. Dans le cas où la cathode est à un potentiel de -500 volts et la plaque 20 à un potentiel de l'ordre de -1200 volts, on a obtenu avec du cuivre 3 ampères d'ions Cu⁺ accélérés à 1200 volts sur une surface de 50 cm². La vitesse de dépôt des atomes de cuivre sur la plaque 20 était de 20 micromètres/mn, d'où l'on peut déduire que 25 pour cent des atomes de cuivre évaporés étaient ionisés.

[0016] Cette possibilité d'obtenir une source auto-entretenue par la présence d'un métal et fonctionnant sous vide (en l'absence de gaz porteur) se présente pour environ 60 % des métaux (ceux dont la pression de vapeur saturante est supérieure à quelques pascals à des températures inférieures à 1600-1700°C, qui sont des températures existant normalement à l'intérieur de la cavité de cathode).

[0017] Le procédé selon la présente invention présente de nombreux avantages parmi lesquels on peut mentionner :

• une grande vitesse de dépôt équivalente à celle que l'on atteint par évaporation sous vide,
• un taux d'ionisation élevé des vapeurs métalliques (jusqu'à 25 % alors que les techniques classiques de dépôt ionique atteignent des taux d'ionisation de l'ordre de 1 à 2 %),
• la possibilité de fonctionner en l'absence de gaz porteur pour 60 % des métaux, ce qui réduit le taux de pollution.

[0018] Il résulte du nombre d'ions important que l'on peut implanter sur une cible 20 une excellente adhérence du dépôt.

[0019] En raison de sa grande simplicité le dispositif selon la présente invention peut présenter une durée de vie longue. En outre, aucune considération fondamentale ne limite les dimensions du dispositif et l'on peut envisager de bombarder la cible 20 sur une grande longueur si l'ouverture 12 est une fente de grande étendue.

[0020] La présente invention est susceptible de nombreuses variantes. Le matériau constituant la cathode et l'enceinte de masse sera choisi non réactif aux températures de fonctionnement, ce qui est par exemple le cas du tungstène. L'enceinte pourra prendre diverses formes et pourra par exemple être associée à une grille de masse disposée en face de l'ouverture 11 pour favoriser la formation initiale du plasma. Divers systèmes de grilles ou d'ouvertures portés à des potentiels différents pourront être prévus pour accélérer et/ou focaliser les ions projetés sur la cible.

Revendications

1. Source de vapeurs et d'ions comprenant dans une enceinte à basse pression une anode (M), une cathode (K) constituée d'une cavité équipotentielle (10) munie d'une ouverture (11) et des moyens d'application d'un champ magnétique (B) orthogonal au plan de l'ouverture, un matériau (15) à ioniser étant disposé dans la cavité de cathode, caractérisée en ce que :

- la cathode (K) est non chauffée, et

- l'ouverture a une dimension suffisante pour qu'il se crée lors de l'application d'un champ anode/cathode des lignes de champ recourbées vers l'intérieur de la cavité.

2. Source d'ions selon la revendication 1, caractérisée en ce que le matériau (15) à ioniser est un métal.

3. Source d'ions selon la revendication 1, caractérisée en ce que la pression dans l'enceinte est de l'ordre de quelques dixièmes de Pascal, cette pression étant initialement assurée par un gaz porteur et ensuite par le matériau à ioniser lui-même.

4. Source d'ions selon la revendication 1, caractérisée en ce que la cathode est à un potentiel négatif de quelques centaines de volts.

5. Source d'ions selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que ladite ouverture est une fente de grande longueur.

Claims

1. A vapor and ion source comprising, in a low pressure chamber, an anode (M), a cathode (K) made of an equipotential cavity (10) provided with an aperture (11) and means for applying a magnetic field (B) orthogonal to the aperture plane,
   a material to be ionized (15) being arranged inside the cathode cavity, characterized in that:

- the cathode (K) is not heated, and

- the aperture has a sufficient dimension for the creation, when applying an anode/cathode field, of field lines curved towards the interior of the cavity.

2. An ion source according to claim 1, characterized in that the material (15) to be ionized is a metal.

3. An ion source according to claim 1, characterized in that the chamber pressure is in the range of some tenths of pascals, this pressure being initially provided by a carrier gas and then by the material to be ionized itself.

4. An ion source according to claim 1, characterized in that the cathode is at a negative potential of some hundreds volts.

5. An ion source according to claim 1, characterized in that said aperture is an elongated slot.

Ansprüche

1. Dampf- und Ionenquelle, die in einen Niederdruckbehälter eine Anode (M) und eine Kathode (K), die durch einen Äquipotentialehohlraum (10) mit einer Öffnung (11) gebildet ist, sowie Mittel zum Anlegen eines magnetischen Feldes (B) orthogonal zur Ebene der Öffnung aufweist, wobei in dem Hohlraum der Kathode ein zu ionisierendes Material (15) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß

- die Kathode (K) nicht geheizt ist und

- die Öffnung eine Größe aufweist, die ausreichend ist, daß sich während des Anlegens eines Anoden/Kathoden-Feldes Feldlinien ergeben, die gegen das Innere des Hohlraumes gekrümmt sind.

2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zu ionisierende Material (15) ein Metall ist.

3. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in dem Behälter in der Größenordnung einiger Zehntel Pascal liegt, wobei dieser Druck anfangs durch ein Trägergas und anschließend durch das zu ionisierende Material selbst sichergestellt wird.

4. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode auf einem negativen Potential von einigen hundert Volt liegt.

5. Ionenquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung ein länglicher Schlitz ist.

Dessins