Procédé de fabrication micromécanique de buses ou jets de liquide

Description

Domaine technique

[0001] La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication micromécanique de buses pour jets de liquide. Elle s'applique à tous les systèmes utilisant des jets de liquide de grande précision dans le domaine médical, le domaine de la biologie ou encore de l'imprimerie, par exemple. L'invention s'applique en particulier à la fabrication de buses pour des têtes d'imprimantes à jet d'encre goutte à goutte ou à jet continu.

Etat de la technique antérieure

[0002] Dans la fabrication de têtes d'imprimantes, la réalisation des buses de jet d'encre est une étape décisive dans la mesure où elle conditionne la qualité de l'impression. Aussi, pour réaliser les buses a-t-on recours à des techniques connues en microélectronique.

[0003] A titre d'exemple, le document (1) référencé à la fin de la présente description, décrit un procédé de fabrication précis de buses circulaires en gravant des trous dans une tranche de silicium d'orientation cristalline 〈100〉. Le document (2), référencé à la fin de la présente description, concerne un procédé similaire pour la fabrication sur un même substrat d'une pluralité de buses. Ces buses permettent la formation de jets de liquide perpendiculairement au plan du substrat dans lequel elles sont formées.

[0004] Les méthodes d'usinage de fines rainures à la surface d'une tranche de silicium d'orientation cristalline 〈100〉 et 〈110〉, présentées dans le document (1) peuvent aussi être mises à profit pour la fabrication de buses dont l'axe d'éjection de liquide est parallèle à la tranche de substrat.

[0005] Ceci apparaît, par exemple, dans le document (3) également référencé à la fin de la présente description.

[0006] La figure 1, annexée, permet de comprendre le fonctionnement et la fabrication de telles buses.

[0007] Une ou plusieurs rainures 10 sont gravées à la surface 12 d'un premier substrat 14. Un deuxième substrat 16 est scellé sur le premier substrat 14 de façon à recouvrir les rainures 10 et former ainsi des canaux. L'ensemble du premier et second substrats est ensuite découpé perpendiculairement aux rainures 10 pour ouvrir les canaux et former des buses 18 qui débouchent sur la face 20 découpée représentée par une ligne discontinue.

[0008] Un ou plusieurs réservoirs 22 sont également prévus, en connexion avec une ou plusieurs buses 18 pour les alimenter avec un liquide, tel que de l'encre par exemple. Une tête d'impression comporte également des éléments actifs tels que des électrodes ou des éléments piézoélectriques de commande de l'impression qui pour des raisons de simplification n'apparaissent pas sur la figure.

[0009] La gravure des rainures dans le substrat 14 et le scellement du deuxième substrat sur le premier substrat sont des opérations bien maîtrisées actuellement et ne posent donc pas de problème particulier.

[0010] L'opération de découpe ou de sciage pour ouvrir les canaux restent cependant un point particulièrement délicat de la fabrication.

[0011] La découpe des substrats est, de façon connue, réalisée au moyen de lames usinant les substrats, en l'occurrence le silicium, par arrachement de matière. La découpe des substrats pose deux problèmes majeurs illustrés à la figure 2 qui est une vue, à plus grande échelle, de la face 20 après découpe.

[0012] Le premier problème est dû à des poussières 22 qui résultent de la découpe et qui viennent polluer l'intérieur des buses 18 et qui peuvent, dans certains cas, former un bouchon obstruant les buses 18. Un nettoyage délicat des buses, après découpe, s'avère ainsi nécessaire.

[0013] Un second problème est dû à la formation d'écailles 24 sur les arêtes d'intersection 26 du plan de découpe de la face 20 et les buses 18. Ces écailles ont des effets néfastes sur la qualité des jets.

[0014] En effet, les écailles entraînent des dispersions dans la direction des jets ainsi que des instabilités pouvant modifier le comportement dynamique des jets.

[0015] La taille des écailles dépend des conditions de découpe. Le document (4) référencé à la fin de la présente description décrit à ce sujet un procédé pour minimiser la taille des écailles.

[0016] D'après le document (4) les écailles plus grandes que 2µm ne sont pas acceptables pour des imprimantes thermiques. Pour éviter de telles écailles, la face de sortie au niveau des buses est obtenue par une première découpe avec une lame à base de résine d'une épaisseur de 100 à 250µm (4 à 10 mils) et ayant une vitesse de rotation de 32000 à 45000 tr/min. La découpe complète des deux substrats est réalisée avec une lame standard, mais plus fine que la précédente. Dans ce document sont également décrits tous les paramètres de découpe. Il persiste cependant des écailles de la taille de l'ordre du micron sur les arêtes des buses. Pour certaines applications, l'amélioration proposée par le document n'est donc pas suffisante. Ceci est par exemple le cas des imprimantes à jets d'encre continus.

[0017] Des opérations de polissage de la face de découpe peuvent éventuellement être envisagées.

[0018] D'autres procédés de fabrication de buses ont été envisagés pour éviter le problème des écailles. Dans le document (5), par exemple, référence à la fin de la présente description, le plan de sortie des buses correspond à un plan cristallin 〈111〉 du silicium usiné par gravure chimique anisotrope d'un substrat orienté selon 〈110〉. Un deuxième substrat prédécoupé est ensuite aligné sur le plan de sortie des buses. Cette solution présente l'avantage de ne pas réaliser le plan de sortie des buses par sciage. En raison des lois de gravure du silicium, il est cependant impossible dans ce cas d'avoir des jets perpendiculaires au plan de sortie des buses si celles-ci sont réalisées par une attaque anisotrope. Dans l'article précédemment cité, les buses sont réalisées par une gravure isotrope dont on sait que la qualité est inférieure à celle d'une gravure anisotrope.

[0019] On connaît également par le document JP-A-60 032673 un procédé de fabrication de buses dans lequel les buses sont remplies avec un matériau de remplissage avant d'être découpées, ce matériau étant ensuite éliminé.

[0020] Un but de la présente invention est, par conséquent, de proposer un procédé de fabrication micromécanique de buses de grande précision qui ne présente pas les inconvénients mentionnés des procédés connus.

[0021] Un autre but de l'invention est de proposer un procédé qui permette la fabrication de buses dont les arêtes avec la face d'éjection du liquide sont dépourvues d'écailles.

Exposé de l'invention

[0022] Pour atteindre les buts évoqués, l'invention propose un procédé comportant les étapes suivantes :

a) formation d'au moins une rainure à la surface d'un premier substrat,

b) assemblage du premier substrat avec un second substrat recouvrant la rainure pour former au moins un canal,

c) formation d'un revêtement de protection intérieur du canal par oxydation thermique des parois du canal,

d) découpe du premier et du second substrats perpendiculairement au canal pour former au moins une buse pour jet de liquide,

e) élimination du revêtement de protection intérieur.

[0023] Grâce à l'invention, les imperfections et les écailles qui surviennent lors de l'opération de découpe se produisent dans le revêtement de protection intérieur et sont éliminés en même temps que ce revêtement en laissant une buse nette.

[0024] Le procédé de l'invention permet donc de fabriquer des buses avec une qualité de jet parfaite quel que soit le mode de découpe. Le mode de découpe et/ou l'épaisseur du revêtement sont choisis de sorte que la taille des écailles soit plus petite que l'épaisseur du revêtement; Le revêtement remplit ainsi son rôle de protection de la buse.

[0025] Selon un aspect particulier de l'invention, le premier substrat est une tranche d'orientation cristalline 〈100〉 et, lors de l'étape a) du procédé, on forme des rainures par gravure anisotrope avec arrêt sur des plans 〈111〉 du réseau cristallin du premier substrat.

[0026] Le premier et le second substrats peuvent être choisis en des matériaux identiques ou différents. Toutefois, selon une mise en oeuvre préférentielle du procédé, le premier et le second substrat sont en silicium.

[0027] Dans le cas où les substrats sont en silicium, le revêtement, en oxyde de silicium, peut être éliminé dans un bain d'acide fluorhydrique.

[0028] Selon un autre aspect particulier on peut réaliser en outre un orifice et/ou un réservoir d'alimentation de chaque buse, avantageusement, dans au moins l'un des premier et second substrats.

Brève description des figures.

[0029] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif, en référence aux dessins annexés, sur lesquels :

• la figure 1, déjà décrite, est une coupe longitudinale schématique d'un détail d'une tête d'imprimante, lors de la fabrication de buses pour jets de liquide,
• la figure 2, déjà décrite, est une vue schématique partielle, à plus grande échelle, d'une face où débouche une buse fabriquée selon des techniques connues,
• la figure 3 est une coupe longitudinale d'un premier substrat illustrant une étape de fabrication d'une buse conformément à l'invention,
• la figure 4 est une coupe longitudinale d'un détail d'une tête d'imprimante, lors de la fabrication d'une buse conformément au procédé de l'invention et présentant un revêtement intérieur de protection de la buse,
• la figure 5 est une vue schématique partielle, à plus grande échelle, d'une face où débouche une buse fabriquée conformément au procédé de l'invention et pourvue d'un revêtement intérieur de protection,
• la figure 6 est une vue schématique partielle d'une face où débouche une buse fabriquée conformément au procédé de l'invention après élimination du revêtement intérieur de protection.

Description détaillée de modes particuliers de mise en oeuvre du procédé de l'invention

[0030] Lors de la description des figures 3 à 5, des références auxquelles on a ajouté 100 sont utilisées pour des éléments correspondants, identiques ou similaires, à des éléments des figures 1 ou 2. Par ailleurs, les différentes parties des figures ne sont, pour des raisons de clarté, pas représentées à une même échelle. Enfin, pour des raisons de simplification, les figures ne représentent qu'une seule rainure et/ou une seule buse. Le procédé permet toutefois la fabrication simultanée d'une pluralité de buses. Ainsi, la description se réfère-t-elle à une pluralité de buses dont une seule est chaque fois représentée.

[0031] Comme le montre la figure 3, après nettoyage de sa surface, on forme sur un premier substrat 114 de silicium, d'orientation 〈100〉, une couche 130 de nitrure de silicium dans laquelle on pratique des ouvertures longitudinales 132 orientées suivant la direction 〈110〉 et définissant un emplacement pour des rainures.

[0032] On soumet cette structure par exemple à un bain d'hydroxyde de potassium, symbolisé par des flèches, pour réaliser une gravure anisotrope de rainures 110.

[0033] Le temps de gravure est choisi suffisant pour obtenir des rainures par arrêt sur deux plans cristallographiques 〈111〉 du réseau cristallin de silicium. Ceci permet d'exploiter la parfaite qualité géométrique des orientations cristallines.

[0034] Le procédé met à profit la différence de vitesse d'attaque de gravure sur les différents plans cristallographiques du substrat. On peut se référer à ce sujet également au document 1.

[0035] Selon un procédé analogue, on grave dans un deuxième substrat 116, visible à la figure 4, un réservoir 122 pour alimenter la (ou les) buse(s) par exemple en encre. Le réservoir peut selon une variante être également réalisé directement dans le premier substrat.

[0036] Après gravure des substrats, la couche 130 de nitrure de silicium est éliminée et les surfaces 112, 112' à sceller respectivement des substrats subissent un bain qui les rend hydrophiles.

[0037] Après rinçage et séchage, les deux substrats sont scellés directement. Ils sont positionnés puis pressés l'un contre l'autre pour obtenir la structure représentée à la figure 4 où le second substrat recouvre les rainures pour former des canaux.

[0038] Un premier traitement thermique est effectué pour créer des liaisons chimiques à l'interface 112, 112' entre les deux substrats 114 et 116 et pour assurer ainsi un bon comportement mécanique de l'ensemble.

[0039] Vient ensuite la formation d'un revêtement de protection dans le canal. Il s'agit dans l'exemple décrit d'une couche d'oxyde de silicium 138 obtenue par un traitement thermique sous un flux d'oxygène. Un tel traitement d'oxydation permet un contrôle précis de l'épaisseur de la couche 138. Pour permettre cette oxydation, un orifice d'accès aux canaux doit être prévu. Il s'agit par exemple d'un orifice 140 du réservoir 122. L'épaisseur de la couche 138 doit être suffisante pour permettre d'éviter les écailles dans le silicium. Une épaisseur de l'ordre de 1 à 4 µm convient dans l'exemple décrit.

[0040] Le procédé se poursuit par la découpe des substrats assemblés, perpendiculairement aux canaux, pour former des buses 118 qui débouchent sur une face 120.

[0041] Cette surface et la ligne de découpe sont représentées en trait discontinu sur la figure 4. La découpe est opérée par exemple par une lame en résine diamantée. Cette opération permet de définir également la longueur des buses qui, selon l'application envisagée, résulte d'un compromis entre les problèmes de pertes de charge hydraulique des jets de liquide et les problèmes de stabilité et de précision dans la direction des jets.

[0042] La figure 5 montre la face 120 des substrats après découpe. On distingue sur cette figure une buse 118 et la couche d'oxyde 138 qui forme le revêtement de protection intérieur. La couche s'étend sur la face 112' du substrat 116 délimitant la buse et sur les faces correspondant aux plans cristallographiques 〈111〉 du substrat 114. Comme on le constate sur la figure 5, des écailles 124 se forment sur la couche 138 et des poussières 122 d'oxyde de silicium se déposent dans la buse 118.

[0043] La structure découpée est enfin plongée dans un bain d'acide fluorhydrique qui non seulement supprime la couche d'oxyde 138 mais aussi toutes les poussières 122. On obtient, comme le montre la figure 6, une buse 118 dont l'orifice sur la face 120 est parfaitement net.

[0044] On peut noter que, comparativement à la buse représentée à la figure 2, les angles de la buse sont plus arrondis.

[0045] Par ailleurs, la profondeur initiale des rainures et l'épaisseur de la couche de revêtement sont déterminés de façon à obtenir, après élimination de cette couche une buse dont le diamètre hydraulique correspond à l'application envisagée.

[0046] Ce diamètre hydraulique est par exemple de l'ordre de quelques dizaines de micromètres.

[0047] Finalement, grâce au procédé de l'invention, il est possible de réaliser des buses compatibles avec les exigences de qualité géométrique des buses et donc de précision de jet pour les imprimantes et en particulier les imprimantes à jet d'encre continu.

DOCUMENTS CITES DANS LA PRESENTE DESCRIPTION

[0048] 

(1)
"Fabrication of Novel Three-Dimensional Microstructures by the Anisotropic Etching of 〈100〉 and 〈110〉 Silicon" de Ernest Bassous IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, vol. 25, n° 10, pages 1178-1184

(2)
US-A-4 106 976

(3)
US-A-4 639 748

(4)
US-A-4 878 992

(5)
"Fabrication of an integrated, Planar Silicon,
Ink-jet Structure" de Kurt E. Petersen, IEEE Transactions of Electron Devices, vol. Ed-26, n°12, pages 1918-1920

Revendications

1. Procédé de fabrication micromécanique de buses pour jets de liquide comportant les étapes suivantes :

a) formation d'au moins une rainure (110) à la surface (112) d'un premier substrat (114),

b) assemblage du premier substrat (114) avec un second substrat (116) recouvrant la rainure (110) pour former au moins un canal, et, dans l'ordre :

c) la formation d'un revêtement de protection (138) intérieur du canal,

d) la découpe du premier (114) et du second (116) substrats perpendiculairement au canal pour former au moins une buse (118) pour jet de liquide,

e) l'élimination du revêtement de protection (138) intérieur,

caractérisé en ce que la formation du revêtement de protection (138) a lieu par oxydation thermique des parois du canal.

2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on réalise en outre un orifice (140) et/ou un réservoir (122) d'alimentation de chaque buse (118) dans au moins un des premier et second substrats.

3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier substrat étant une tranche d'orientation 〈100〉 on forme des rainures (110) lors de l'étape a) par gravure anisotrope avec arrêt sur des plans 〈111〉 du réseau cristallin du premier substrat (114).

4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier (114) et le second (116) substrats sont en silicium.

5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le revêtement de protection intérieur (138) étant de l'oxyde de silicium, on élimine le revêtement (138) dans un bain d'acide fluorhydrique.

6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lors de l'étape a), on forme sur une surface (112) du premier substrat une couche (130) de nitrure de silicium, on pratique dans la couche des ouvertures longitudinales (132) orientées suivant la direction 〈110〉 définissant un emplacement pour les rainures (110), on soumet le premier substrat à un bain d'hydroxyde de potassium pour réaliser une gravure anisotrope puis, après gravure, on élimine la couche de nitrure de silicium.

Claims

1. Process for the micromechanical fabrication of nozzles for ink jets comprising the following stages:

a) formation of at least one groove (110) on the surface (112) of a first substrate (114),

b) assembly of the first substrate (114) with a second substrate (116) covering the groove (110) in order to form at least one channel and, in order:

c) formation of a protective coating (138) within the channel,

d) cutting the first (114) and second (116) substrates perpendicular to the channel to form at least one nozzle (118) for a liquid jet,

e) elimination of the protective coating (138),

characterized in that the formation of the protective coating (138) takes place by thermal oxidation of the channel walls.

2. Process according to claim 1, characterized in that formation also takes place of an orifice (140) and/or a reservoir (122) for the supply of each nozzle (118) in at least one of the first and second substrates.

3. Process according to claim 1, characterized in that the first substrate is a wafer of orientation 〈100〉, so that grooves (110) are formed during stage a) by anisotropic etching with stopping on planes 〈111〉 of the crystal lattice of the first substrate (114).

4. Process according to claim 1, characterized in that the first (114) and the second (116) substrates are made from silicon.

5. Process according to claim 1, characterized in that the internal protective coating (138) is of silicon oxide, so that said coating (138) is eliminated in a hydrofluoric acid bath.

6. Process according to claim 1, characterized in that, during stage a), formation takes place on a surface (112) of the first substrate of a silicon nitride coating (130), in said coating are made longitudinal openings (132) oriented in direction 〈110〉 defining a location for the grooves (110), the first substrate being subject to a potassium hydroxide bath in order to bring about an anisotropic etching and then, after etching, the elimination of the silicon nitride coating.

Ansprüche

1. Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Düsen für Flüssigkeitsstrahlen, folgende Schritte umfassend:

a) Bilden von wenigstens einer Rinne (110) in der Oberfläche (112) eines ersten Substrats (114),

b) Zusammenfügen des ersten Substrats (114) mit einem die Rille (110) überdeckenden zweiten Substrat (116), um wenigstens einen Kanal zu bilden, und, der Reihe nach:

c) Bilden eines Innenschutzüberzugs (138) des Kanals,

d) Durchschneiden des ersten (114) und des zweiten (116) Substrats senkrecht zum Kanal, um wenigstens eine Düse (118) für einen Flüssigkeitsstrahl zu bilden,

e) Entfernen des Innenschutzüberzugs (138).

dadurch gekennzeichnet,
daß die Bildung des Schutzüberzugs (138) durch thermische Oxidation der Kanalwände erfolgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem eine Öffnung (140) und/oder einen Speicher (122) zur Versorgung jeder Düse (118) in wenigstens einem der genannten Substrate (116, 118) herstellt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man, wobei das erste Substrat eine Scheibe der Orientierung 〈100〉 ist, während des Schritts a) Rinnen (110) bildet, durch anisotrope Ätzung mit Anhalten auf den Flächen 〈111〉 des Kristallgitters des ersten Substrats (114).

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste (114) und das zweite (116) Substrat aus Silicium sind.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Innenschutzüberzug (138), der durch Siliciumoxid gebildet wird, in einem Fluorwasserstoffsäure-Bad entfernt.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man während des Schritts a) auf einer Fläche (112) des ersten Substrats eine Schicht (130) aus Siliciumnitrid bildet, in dieser Schicht entsprechend der Richtung 〈110〉 orientierte, die Lage der Rillen (110) definierende Längsöffnungen (132) herstellt, das erste Substrat einem Kaliumhydroxid-Bad unterzieht, um eine anisotrope Ätzung durchzuführen, und dann nach der Ätzung die Siliciumnitridschicht entfernt.

Dessins