(19)
(11) EP 1 583 157 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
19.04.2006  Patentblatt  2006/16

(43) Veröffentlichungstag A2:
05.10.2005  Patentblatt  2005/40

(21) Anmeldenummer: 05005879.1

(22) Anmeldetag:  17.03.2005
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 31/105(2006.01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA HR LV MK YU

(30) Priorität: 31.03.2004 DE 102004015832
11.05.2004 DE 102004023303

(71) Anmelder: Osram Opto Semiconductors GmbH
93049 Regensburg (DE)

(72) Erfinder:
  • Reill, Wolfgang
    93080 Pentling (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) Pin-Photodiode


(57) Die Erfindung betrifft eine pin-Photodiode, mit einer photodetektierenden Schicht (3) aus einem Halbleitermaterial mit kleinerer Bandlücke, die einen p-dotierten Bereich aufweist und von einer Mantelschicht (4) aus einem Halbleitermaterial mit größerer Bandlücke bedeckt ist, wobei die Mantelschicht (4) über dem p-dotierten Bereich (7) der photodetektierenden Schicht (3) Ausnehmungen (5) aufweist.
Die pin-Photodiode ist dabei vor allem geeignet Licht eines möglichst großen Wellenlängenbereichs mit einer möglichst hohen Signalempfindlichkeit zu detektieren.







Recherchenbericht