| (19) |
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(11) |
EP 2 095 696 B1 |
| (12) |
EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT |
| (45) |
Hinweis auf die Patenterteilung: |
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19.11.2014 Patentblatt 2014/47 |
| (22) |
Anmeldetag: 06.09.2007 |
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| (51) |
Internationale Patentklassifikation (IPC):
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| (86) |
Internationale Anmeldenummer: |
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PCT/EP2007/007767 |
| (87) |
Internationale Veröffentlichungsnummer: |
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WO 2008/064728 (05.06.2008 Gazette 2008/23) |
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| (54) |
KREISBESCHLEUNIGER MIT EINSTELLBARER ELEKTRONEN-ENDENERGIE
CIRCULAR ACCELERATOR WITH ADJUSTABLE ELECTRON FINAL ENERGY
ACCÉLÉRATEUR CIRCULAIRE AVEC ÉNERGIE FINALE D'ÉLECTRONS RÉGLABLE
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| (84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT RO
SE SI SK TR |
| (30) |
Priorität: |
28.11.2006 DE 102006056018
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| (43) |
Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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02.09.2009 Patentblatt 2009/36 |
| (73) |
Patentinhaber: Smiths Heimann GmbH |
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65205 Wiesbaden (DE) |
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| (72) |
Erfinder: |
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- BERMUTH, Jörg
55122 Mainz (DE)
- GEUS, Georg
65201 Wiesbaden (DE)
- HESS, Gregor
65205 Wiesbaden (DE)
- VIEHBÖCK, Urs
64297 Darmstadt (DE)
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| (74) |
Vertreter: Greif, Thomas et al |
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Thul Patentanwaltsgesellschaft mbH
Rheinmetall Platz 1 40476 Düsseldorf 40476 Düsseldorf (DE) |
| (56) |
Entgegenhaltungen: :
EP-A- 0 412 190 US-A- 5 319 314
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EP-A- 0 481 864
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- ROSE M F: "High energy density capacitors for space power conditioning" IEEE AEROSPACE
AND ELECTRONICS SYSTEMS MAGAZINE USA, Bd. 4, Nr. 11, November 1989 (1989-11), Seiten
17-22, XP002460113 ISSN: 0885-8985
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| Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die
Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen
das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich
einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr
entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen). |
[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Betatron zur Erzeugung von Pulsen beschleunigter
Elektronen, insbesondere in einer Röntgenprüfanlage.
[0002] Bei der Überprüfung von großvolumigen Gegenständen wie Containern und Fahrzeugen
auf unzulässige Inhalte wie Waffen, Sprengstoff oder Schmuggelware werden bekannterweise
Röntgenprüfanlagen eingesetzt. Dabei wird Röntgenstrahlung erzeugt und auf den Gegenstand
gerichtet. Die von dem Gegenstand abgeschwächte Röntgenstrahlung wird mittels eines
Detektors gemessen und von einer Auswerteeinheit analysiert. Somit kann auf die Beschaffenheit
des Gegenstandes geschlossen werden. Eine solche Röntgenprüfanlage ist beispielsweise
aus der Europäischen Patentschrift
EP 0 412 190 B1 bekannt. Zur besseren Unterscheidung verschiedener Stoffe ist es vorteilhaft, den
Gegenstand sukzessive mit Röntgenstrahlung-verschiedener Energie zu untersuchten.
[0003] Zur Erzeugung von Röntgenstrahlung mit der für die Überprüfung notwendigen Energie
von mehr als 1 MeV werden Betatrons eingesetzt. Dabei handelt es sich um Kreisbeschleuniger,
in denen Elektronen in eine evakuierte Betatronröhre injiziert und durch ein von einer
Hauptfeldspule erzeugtes, ansteigendes Magnetfeld auf einer Kreisbahn beschleunigt
werden. Die beschleunigten Elektronen werden auf ein Target gelenkt, wo sie beim Auftreffen
eine Bremsstrahlung erzeugen, deren Spektrum unter anderem von der Energie der Elektronen
abhängig ist. Die Beschleunigung der Elektronen erfolgt zyklisch wiederholt, sodass
sich eine gepulste Röntgenstrahlung ergibt.
[0004] Die Elektronen werden beispielsweise mittels einer Elektronenkanone in die Betatronröhre
injiziert und der Strom durch die Hauptfeldspule und damit die Stärke des Magnetfeldes
erhöht. Durch das sich verändernde Magnetfeld wird ein elektrisches Feld erzeugt,
das die Elektronen auf ihrer Kreisbahn mit dem Radius r
s beschleunigt. Gleichzeitig erhöht sich mit der Magnetfeldstärke die Lorentzkraft
auf die Elektronen. Dadurch werden die Elektronen auf einem im Wesentlichen konstanten
Bahnradius gehalten. Ein Elektron bewegt sich auf einer Kreisbahn, wenn sich die zum
Mittelpunkt der Kreisbahn gerichtete Lorentzkraft und die entgegengesetzte Zentripetalkraft
aufheben. Daraus folgt die Wideröesche Bedingung

[0005] <B(r
s)> ist demnach der gemittelte magnetische Fluss durch die vom Radius r
s begrenzte Kreisfläche, B(r
s) der magnetische Fluss an diesem Sollbahnradius r
s.
[0006] Das
US-Patent 5,319,314 beschreibt ein Betatron zur Erzeugung von Pulsen beschleunigter Elektronen, das eine
Hauptfeldspule, eine Expansions-Spule zum Ausschleusen der beschleunigten Elektronen
auf ein Target, sowie eine Ansteuerelektronik der Expansions-Spule zur Beaufschlagung
der Expansions-Spulen mit einem Expansions-Puls aufweist. Um eine optimale Energiekonversion
zu erreichen, wird der Zeitpunkt des Expansions-Pulses angepasst. Dazu wird der Zeitpunkt
des Trigger-Signals so variiert, dass die Expansion während des Maximums des Hauptfelds
stattfindet.
[0007] Zur Verbesserung des Detektionsergebnisses ist es wünschenswert, das zu untersuchende
Objekt mit Röntgenstrahlung unterschiedlicher Energie zu durchdringen. Es ist daher
die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Betatron zur Erzeugung von Pulsen beschleunigter
Elektronen bereitzustellen, bei dem die Endenergie der beschleunigten Elektronen einstellbar
ist.
[0008] Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs
1. Vorteilhafte Ausgestaltungsformen sind den abhängigen Patentansprüchen 2 bis 9
zu entnehmen. Patentanspruch 10 betrifft eine Röntgenprüfanlage unter Verwendung eines
erfindungsgemäßen Betatrons.
[0009] Ein erfindungsgemäßes Betatron gemäß Patentanspruch 1 besteht zumindest aus mindestens
einer Hauptfeldspule, einer Expansion-Spule zum Ausschleusen der beschleunigten Elektronen
auf ein Target sowie einer Ansteuerelektronik der Expansion-Spule zur Beaufschlagung
der Expansion-Spule mit einem Expansion-Puls. Dabei ist die Ansteuerelektronik der
Expansion-Spule derart ausgestaltet, dass der Zeitpunkt des Expansion-Pulses zur Einstellung
der Endenergie der Elektronen relativ zum Hauptfeld variabel ist. Das bedeutet, dass
der Einschaltzeitpunkt des Expansion-Pulses in Relation zum Strompuls durch die Hauptfeldspule(n)
zeitlich verschiebbar ist. Durch diese Variabilität des Expansion-Pulses lässt sich
exakt festlegen, zu welchem Zeitpunkt die Elektronen auf das Target gelenkt werden.
Dadurch wird gleichzeitig festgelegt, welche Energie das Hauptfeld den Elektronen
zwischen der Injektion in die Betatronröhre und dem Ausschleusen zugeführt hat. Dies
ist gleichbedeutend mit einer Einstellung der Maximalenergie der Röntgenstrahlung,
die die Elektronen beim Auftreffen auf das Target erzeugen.
[0010] In einer Ausgestaltungsform der Erfindung ist der Zeitpunkt des Expansion-Pulses
relativ zum Hauptfeld von Puls zu Puls variabel. Das bedeutet, dass in jedem Beschleunigungszyklus
die Endenergie der Elektronen unabhängig von den vorhergehenden Beschleunigungszyklen
einstellbar ist. Dadurch ergibt sich der Vorteil, dass in einem Röntgenprüfgerät mit
einem erfindungsgemäßen Betatron zwei Messungen eines Objekts mit unterschiedlichen
Strahlungsenergien innerhalb kurzer Zeit durchgeführt werden können.
[0011] Die freie Wählbarkeit des Zeitpunkts des Expansion-Pulses wird bevorzugt dadurch
erreicht, dass die Ansteuerelektronik der Expansion-Spule einen abschaltbaren Halbleiterschalter,
insbesondere einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder einen MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), aufweist. Derartige Schalter vermögen
auch große Ströme in Abhängigkeit von einem Steuerimpuls schnell und zu beliebigen
Zeitpunkten ein- und/oder auszuschalten.
[0012] In vorteilhafter Weise ist die Expansion-Spule über den Halbleiterschalter mit einer
unabhängigen Energiequelle wie einer Strom- oder Spannungsquelle zu einem Stromkreis
verbunden. Eine Spannungsquelle kann auch beispielsweise ein Kondensator oder eine
Kondensatorbank sein. Ist der Halbleiterschalter geschlossen, so bewirkt die Energiequelle
einen Stromfluss durch die Expansion-Spule. Während dieses Stromflusses, dem Expansion-Puls,
werden die Elektronen von ihrer Sollbahn auf das Target abgelenkt. Der Begriff unabhängig
bedeutet, dass die Energiequelle von anderen Energiequellen, beispielsweise der für
die Hauptfeldspulen, möglichst entkoppelt ist. Daraus folgt eine stabilere Energieversorgung
der Expansion-Spule und somit ein präziser regelbarer Expansion-Puls.
[0013] Bevorzugt weist ein erfindungsgemäßes Betatron eine Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule
auf, die derart ausgestaltet ist, dass der Strom durch die Hauptfeldspule zu beliebigen
Zeitpunkten ein- und ausschaltbar ist. Dies ermöglicht, dass der Strom durch die Hauptfeldspule
beispielsweise spätestens dann abgeschaltet wird, wenn alle Elektronen auf das Target
aufgetroffen sind. Dadurch wird vermieden, dass die Hauptfeldspule auch dann noch
Energie aufnimmt, wenn sich bereits keine Elektronen mehr in der Betatronröhre befinden,
mithin wird also die Verlustleistung des Betatrons minimiert. Darüber hinaus wird
dadurch die Möglichkeit eröffnet, die Repetitionsfrequenz der Elektronen- und damit
der Röntgenpulse zu variieren.
[0014] Eine Ansteuerschaltung einer Hauptfeldspule in einem Betatron weist beispielsweise
einen Energiespeicher, zwei Leistungsschalter und zwei Dioden auf. Dabei sind
- ein erster Anschluss des ersten Leistungsschalters mit einem ersten Anschluss des
Energiespeichers,
- ein zweiter Anschluss des ersten Leistungsschalters mit einem ersten Anschluss der
ersten Diode,
- ein zweiter Anschluss der ersten Diode mit einem zweiten Anschluss des Energiespeichers
- ein erster Anschluss der zweiten Diode mit dem ersten Anschluss des Energiespeichers,
- ein zweiter Anschluss der zweiten Diode mit einem ersten Anschluss des zweiten Leistungsschalters,
- ein zweiter Anschluss des zweiten Leistungsschalters mit dem zweiten Anschluss des
Energiespeichers,
- ein erster Anschluss der Hauptfeldspule mit dem zweiten Anschluss des ersten Leistungsschalters,
- ein zweiter Anschluss der Hauptfeldspule mit dem zweiten Anschluss der zweiten Diode
und
- die Steueranschlüsse der Leistungsschalter mit einer Steuerelektronik verbunden.
[0015] Die Ansteuerschaltung entspricht dabei einer Halbbrücke aus einem ersten Zweig mit
einem ersten Leistungsschalter und einer ersten Diode sowie einem dazu parallelen
zweiten Zweig mit einer zweiten Diode und einem zweiten Leistungsschalter. Die Hauptfeldspule
bildet die Brücke zwischen den beiden Zweigen. Die Enden der beiden Zweige sind mit
den Anschlüssen eines Energiespeichers verbunden.
[0016] Bevorzugt, sind die Anschlüsse des Energiespeichers mit einer Spannungsquelle verbunden.
Die Spannungsquelle lädt den Energiespeicher nach und versorgt die Ansteuerschaltung
mit der für die Beschleunigung der Elektronen benötigten Leistung. Bei der erfindungsgemäßen
Ansteuerschaltung kann die Spannungsquelle dauerhaft mit dem Energiespeicher verbunden
sein, da der Energiespeicher mit gleichbleibender Polarität betrieben wird.
[0017] In vorteilhafter Weise handelt es sich bei den Leistungsschaltern um abschaltbare
Leistungshalbleiter wie beispielsweise IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Derartige Schalter können,
im Gegensatz beispielsweise zu Thyristoren, ohne aufwändige Beschaltung zu beliebigen
Zeitpunkten abgeschaltet werden. Dadurch werden schnelle Schaltzeiten erreicht, die
eine exakt steuerbare Stromflusszeit durch die Hauptfeldspule ermöglichen.
[0018] Bevorzugt handelt es sich bei dem Energiespeicher um einen bipolaren Kondensator
wie einen Folienkondensator. Derartige Kondensatoren weisen eine hohe Strombelastbarkeit
und eine hohe Lebensdauer auf.
[0019] Ein erfindungsgemäßes Betatron wird vorteilhaft in einer Röntgenprüfanlage zur Sicherheitsüberprüfung
von Objekten eingesetzt. Es werden Elektronen in das Betatron injiziert und beschleunigt,
bevor sie auf ein beispielsweise aus Tantal bestehendes Target gelenkt werden. Dort
erzeugen die Elektronen Röntgenstrahlung mit einem bekannten Spektrum. Die Röntgenstrahlung
wird auf das Objekt, vorzugsweise einen Container und/oder ein Fahrzeug, gerichtet
und dort beispielsweise durch Streuung oder Transmissionsdämpfung modifiziert. Die
modifizierte Röntgenstrahlung wird von einem Röntgendetektor gemessen und mittels
einer Auswerteeinheit analysiert. Aus dem Ergebnis wird auf die Beschaffenheit oder
den Inhalt des Objekts geschlossen.
[0020] Die vorliegende Erfindung soll anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert
werden. Dabei zeigen
- Figur 1
- eine schematische Schnittdarstellung eines Betatrons,
- Figur 2
- eine Ansteuerschaltung für eine Expansion-Spule und
- Figur 3
- eine Ansteuerschaltung für zwei Hauptfeldspulen.
[0021] Figur 1 zeigt den schematischen Aufbau eines Betatrons 1 im Querschnitt. Es besteht
unter anderem aus einem rotationssymmetrischen Innenjoch aus zwei beabstandet angeordneten
Teilen 2a, 2b, vier Ronden 3 zwischen den Innenjochteilen 2a, 2b, wobei die Längsachse
der Ronden 3 der Rotationssymmetrieachse des Innenjochs entspricht, einem die beiden
Innenjochteile 2a, 2b verbindenden Außenjoch 4, einer zwischen den Innenjochteilen
2a, 2b angeordneten, Torus-förmigen Betatronröhre 5, zwei Hauptfeldspulen L1 und L2
sowie einer Expansion-Spule 6. Die Expansion-Spule 6 besteht aus zwei in Helmholtz-Konfiguration
gruppierten, in elektrischer Hinsicht seriell geschalteten Teilspulen, die jeweils
im Bereich der Stirnseiten der Innenjochteile 2a und 2b angeordnet sind. Die beiden
Hauptfeldspulen L1 und L2 sind elektrisch ebenfalls in Serie geschaltet.
[0022] Die Mittelachse der Expansion-Spule 6 fällt mit der Rotationssymmetrieachse des Innenjochs
zusammen. Aufgrund dieser Anordnung und der Größe der Expansion-Spule 6 durchsetzt
das von ihr erzeugte Magnetfeld eine Kreisfläche, deren Radius größer ist als der
Radius der Ronden 3 und etwa im Bereich des Sollbahnradius r
S der Elektronen liegt.
[0023] Das von den Hauptfeldspulen L1 und L2 erzeugte Magnetfeld durchsetzt die Innenjochteile
2a und 2b, wobei der magnetische Kreis durch das Außenjoch 4 geschlossen wird. Die
Form des Innen- und/oder Außenjochs kann vom Fachmann je nach Anwendungsfall gewählt
werden und von der in Figur 1 angegeben Form abweichen. Auch können nur eine oder
mehr als zwei Hauptfeldspulen vorhanden sein. Eine andere Anzahl und/oder Form der
Ronden ist ebenfalls möglich. Zwischen den Stirnseiten der Innenjochteile 2a und 2b
verläuft das Magnetfeld teilweise durch die Ronden 3 und ansonsten durch einen Luftspalt.
In diesem Luftspalt ist die Betatronröhre 5 angeordnet. Dabei handelt es sich um eine
evakuierte Röhre, in der die Elektronen beschleunigt werden. Die Stirnseiten der Innenjochteile
2a und 2b weisen eine Form auf, die so gewählt ist, dass das Magnetfeld zwischen ihnen
die Elektronen auf eine Kreisbahn fokussiert. Die Ausgestaltung der Stirnflächen ist
dem Fachmann bekannt und wird daher nicht näher erläutert. Die Elektronen treffen
am Ende des Beschleunigungsvorgangs auf ein Target und erzeugen dadurch eine Röntgenstrahlung,
deren Spektrum unter anderem von der Endenergie der Elektronen und dem Material des
Targets abhängt.
[0024] Zur Beschleunigung werden die Elektronen mit einer Anfangsenergie in die Betatronröhre
5 eingeschossen. Während der Beschleunigungsphase wird das Magnetfeld im Betatron
1 durch die Hauptfeldspulen L1 und L2 fortlaufend erhöht. Dadurch wird ein elektrisches
Feld erzeugt, das eine beschleunigende Kraft auf die Elektronen ausübt. Gleichzeitig
werden die Elektronen aufgrund der Lorentzkraft auf eine Sollkreisbahn innerhalb der
Betatronröhre 5 gezwungen.
[0025] Die Beschleunigung der Elektronen erfolgt zyklisch wiederholt, wodurch sich eine
gepulste Röntgenstrahlung ergibt. In jedem Zyklus werden in einem ersten Schritt die
Elektronen in die Betatronröhre 5 injiziert. In einem zweiten Schritt werden die Elektronen
durch einen steigenden Strom in den Hauptfeldspule L1 und L2 und somit ein ansteigendes
Magnetfeld im Luftspalt zwischen den Innenjochteilen 2a und 2b in Umfangsrichtung
ihrer Kreisbahn beschleunigt. In einem dritten Schritt wird die Expansion-Spule mit
einem Expansion-Puls beaufschlagt, wodurch die Widerröe'-Bedingung verändert wird
und die beschleunigten Elektronen zur Erzeugung der Röntgenstrahlung auf das Target
ausgeschleust werden. Anschließend erfolgt eine optionale Pause, bevor erneut Elektronen
in die Betatronröhre 5 injiziert werden.
[0026] Figur 2 zeigt schematisch und stark vereinfacht eine Ansteuerschaltung 7 für die
Expansion-Spule 6. Die Expansion-Spule 6 wird über von einer Steuerelektronik 8 ansteuerbare
IGBT 9 mit einer Spannungsquelle 10 verbunden. Die Schaltzeitpunkte der IGBT sind
beliebig und einzig von den Steuersignalen der Steuerelektronik 8 abhängig, sodass
der Zeitpunkt des Expansion-Pulses relativ zum Stromfluss durch die Hauptfeldspulen
L1 und L2 frei wählbar ist. Dadurch lässt sich die Beschleunigungsdauer und somit
die Endenergie der Elektronen in jedem Puls einstellen.
[0027] Figur 3 zeigt eine Ansteuerschaltung 11 für die in Serie geschalteten Hauptfeldspulen
L1 und L2. Die Schaltung besteht aus einem Kondensator C, zwei IGBT TR1 und TR2 sowie
zwei Dioden D1 und D2. Der erste IGBT TR1 und die erste Diode D1 sind derart in Serie
geschaltet, dass ein erster Anschluss 14 des Kondensators C mit dem Kollektor 16 des
ersten IGBT TR1, der Emitter 17 des ersten IGBT TR1 mit der Kathode 19 der ersten
Diode D1 und die Anode 20 der ersten Diode D1 mit einem zweiten Anschluss 15 des Kondensators
C verbunden ist. Der zweite IGBT TR2 und die zweite Diode D2 sind derart in Serie
geschaltet, dass die Kathode 21 der zweiten Diode D2 mit dem ersten Anschluss 14 des
Kondensators C, die Anode 22 der zweiten Diode D2 mit dem Kollektor 23 des zweiten
IGBT TR2 und der Emitter 24 des zweiten IGBT TR2 mit dem zweiten Anschluss 15 des
Kondensators C verbunden ist.
[0028] Die Basisanschlüsse 18 und 25 der IGBT TR1 und TR2 sind mit der Steuerelektronik
8 verbunden. Ein Anschluss 26 der Hauptfeldspule L1 ist mit dem Emitter 17 des ersten
IGBT TR1, ein Anschluss 27 der Hauptfeldspule L2 mit dem Kollektor 23 des zweiten
IGBT TR2 verbunden. Über die Klemmen 12 und 13 ist der Kondensator C und damit die
Ansteuerschaltung 11 optional an eine Spannungsquelle angeschlossen.
[0029] Der Aufbau der Ansteuerschaltung 7 für die Expansion-Spule 6 entspricht dem der Ansteuerschaltung
11 für die Hauptfeldspulen L1 und L2 aus Figur 3.
[0030] Zu Beginn eines Beschleunigungszyklus werden Elektronen in die Betatronröhre 5 injiziert
und die Steuerelektronik 8 steuert die IGBT TR1 und TR2 derart an, dass diese durchschalten.
Dadurch fließt ein ansteigender Strom I in der in Figur 3 eingetragenen Richtung vom
Kondensator C durch die beiden IGBT TR1 und TR2 sowie die Hauptfeldspulen L1 und L2.
Dabei wird Energie vom Kondensator C in die Hauptfeldspulen L1 und L2 transferiert
und die Elektronen werden in der Betatronröhre 5 beschleunigt.
[0031] Zu einem von der gewünschten Endenergie der Elektronen abhängigen Zeitpunkt schaltet
die Steuerelektronik 8 die IGBT 9 der Ansteuerschaltung 7 der Expansion-Spule 6 durch
und beginnt damit den Expansion-Puls. Dadurch werden die Elektronen von der Sollbahn
abgebracht und auf ein Target gelenkt. Sind alle Elektronen ausgeschleust, so endet
der Expansion-Puls.
[0032] Sobald die Steuerelektronik 8 die beiden IGBT TR1 und TR2 in einen nicht leitenden
Zustand versetzt, wird das von den Hauptfeldspulen L1 und L2 erzeugte Magnetfeld wieder
abgebaut. Das sich abbauende Magnetfeld generiert einen Stromfluss I mit fallender
Stromstärke über die Dioden D1 und D2 zum Kondensator C, bis die noch in den Hauptfeldspulen
L1 und L2 gespeicherte Energie in den Kondensator C zurückgeflossen ist. Die Stromrichtung
durch die Hauptfeldspulen L1 und L2 ist gleich wie beim Aufbau des Magnetfeldes, am
Kondensator C jedoch entgegengerichtet.
[0033] Zu Beginn des folgenden Beschleunigungszyklus werden wieder Elektronen in die Betatronröhre
5 injiziert und die IGBT TR1 und TR2 durchgeschaltet. Soll die Endenergie beispielsweise
geringer sein als im vorhergehenden Zyklus, werden die IGBT 9 der Ansteuerschaltung
7 der Expansion-Spule 6 von der Steuerelektronik 8 früher angesteuert. Das führt zu
einem früheren Ausschleusen der Elektronen auf das Target. Dabei haben die Elektronen
weniger Energie aufgenommen als im vorhergehenden Beschleunigungszyklus, weshalb die
maximale Energie der erzeugten Röntgenstrahlung ebenfalls geringer ist.
[0034] Aufgrund des früheren Expansion-Pulses kann auch der Stromfluss I vom Kondensator
C in die Hauptfeldspulen L1 und L2 früher beendet werden. Durch diese zeitnahe Abschaltung
des Stromflusses werden der Energiebedarf des Betatrons 1 und die abzuführende Verlustwärme
reduziert.
1. Betatron (1) zur Erzeugung von Pulsen beschleunigter Elektronen, insbesondere in einer
Röntgenprüfanlage, mit mindestens einer Hauptfeldspule (L1, L2), einer Expansion-Spule
(6) zum Ausschleusen der beschleunigten Elektronen auf ein Target sowie einer Ansteuerelektronik
(7) der Expansion-Spule (6) zur Beaufschlagung der Expansion-Spule (6) mit einem Expansion-Puls,
dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuer-elektronik (7) der Expansion-Spule (6) derart ausgestaltet ist, dass
der Zeitpunkt des Expansion-Pulses zur Einstellung der Endenergie der Elektronen relativ
zum Hauptfeld variabel ist.
2. Betatron (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zeitpunkt des Expansion-Pulses relativ zum Hauptfeld von Puls zu Puls variabel
ist
3. Betatron (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuerelektronik (7) der Expansion-Spule (6) einen abschaltbaren Halbleiterschalter
(9), insbesondere einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), aufweist.
4. Betatron (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Expansion-Spule (6) über den Halbleiterschalter (9) mit einer unabhängigen Energiequelle
(10) zu einem Stromkreis verbunden ist.
5. Betatron (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule (L1, L2), die derart ausgestaltet ist,
dass der Strom durch die Hauptfeldspule (L1, L2) zu beliebigen Zeitpunkten ein- und ausschaltbar ist.
6. Betatron (1) nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule (L1, L2) einen Energiespeicher (C), zwei
Leistungsschalter (TR1, TR2) und zwei Dioden (D1, D2) aufweist, wobei
- ein erster Anschluss (16) des ersten Leistungsschalters (TR1) mit einem ersten Anschluss
(14) des Energiespeichers (C),
- ein zweiter Anschluss (17) des ersten Leistungsschalters (TR1) mit einem ersten
Anschluss (19) der ersten Diode (D1),
- ein zweiter Anschluss (20) der ersten Diode (D1) mit einem zweiten Anschluss (15)
des Energiespeichers (C),
- ein erster Anschluss (21) der zweiten Diode (D2) mit dem ersten Anschluss (14) des
Energiespeichers (C),
- ein zweiter Anschluss (22) der zweiten Diode (D2) mit einem ersten Anschluss (23)
des zweiten Leistungsschalters (TR2),
- ein zweiter Anschluss (24) des zweiten Leistungsschalters (TR2) mit dem zweiten
Anschluss (15) des Energiespeichers (C),
- ein erster Anschluss (26) der Hauptfeldspule (L1, L2) mit dem zweiten Anschluss
(17) des ersten Leistungsschalters (TR1),
- ein zweiter Anschluss (27) der Hauptfeldspule (L1, L2) mit dem zweiten Anschluss
(22) der zweiten Diode (D2) und
- die Steueranschlüsse (18, 25) der Leistungsschalter (TR1, TR2) mit einer Steuerelektronik
verbunden sind.
7. Betatron (1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlüsse des Energiespeichers (C) in der Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule
(L1, L2) mit einer Spannungsquelle verbunden sind.
8. Betatron (1) nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Leistungsschaltern (TR1, TR2) in der Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule
(L1, L2) um abschaltbare Halbleiterschalter, insbesondere um IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistor), handelt.
9. Betatron (1) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Energiespeicher (C) in der Ansteuerschaltung der Hauptfeldspule (L1,
L2) um einen bipolaren Kondensator wie einen Folienkondensator handelt.
10. Röntgenprüfanlage zur Sicherheitsüberprüfung von Objekten, aufweisend ein Betatron
(1, 21) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ein Target zur Erzeugung von Röntgenstrahlung,
einen Röntgendetektor und eine Auswerteeinheit.
1. Betatron (1) for generating pulses of accelerated electrons, in particular in an x-ray
inspection system, having at least one main field coil (L1, L2), an expansion coil
(6) for ejecting the accelerated electrons onto a target, and drive electronics (7)
of the expansion coil (6) for subjecting the expansion coil (6) to an expansion pulse,
characterized in that the drive electronics (7) of the expansion coil (6) are configured such that the
point of time of the expansion pulse is variable relative to the main field for setting
the final energy of the electrons.
2. Betatron (1) according to Claim 1, characterized in that the point of time of the expansion pulse relative to the main field is variable from
pulse to pulse.
3. Betatron (1) according to Claim 1 or 2, characterized in that the drive electronics (7) of the expansion coil (6) have a semiconductor switch (9)
which can be switched off, in particular an IGBT (insulated gate bipolar transistor).
4. Betatron (1) according to Claim 3, characterized in that the expansion coil (6) is connected via the semiconductor switch (9) to an independent
energy source (10) to form a current circuit.
5. Betatron (1) according to one of Claims 1 to 4, characterized by a drive circuit of the main field coil (L1, L2) which is configured such that the
current through the main field coil (L1, L2) can be switched on and off at any point
in time.
6. Betatron (1) according to Claim 5,
characterized in that the drive circuit of the main field coil (L1, L2) has an energy storage device (C),
two power switches (TR1, TR2) and two diodes (D1, D2), wherein
- a first terminal (16) of the first power switch (TR1) is connected to a first terminal
(14) of the energy storage device (C),
- a second terminal (17) of the first power switch (TR1) is connected to a first terminal
(19) of the first diode (D1),
- a second terminal (20) of the first diode (D1) is connected to a second terminal
(15) of the energy storage device (C),
- a first terminal (21) of the second diode (D2) is connected to the first terminal
(14) of the energy storage device (C),
- a second terminal (22) of the second diode (D2) is connected to a first terminal
(23) of the second power switch (TR2),
- a second terminal (24) of the second power switch (TR2) is connected to the second
terminal (15) of the energy storage device (C),
- a first terminal (26) of the main field coil (L1, L2) is connected to the second
terminal (17) of the first power switch (TR1),
- a second terminal (27) of the main field coil (L1, L2) is connected to the second
terminal (22) of the second diode (D2), and
- the control terminals (18, 25) of the power switches (TR1, TR2) are connected to
an electronic control system.
7. Betatron (1) according to Claim 6, characterized in that the terminals of the energy storage device (C) in the drive circuit of the main field
coil (L1, L2) are connected to a voltage source.
8. Betatron (1) according to one of Claims 6 and 7, characterized in that the power switches (TR1, TR2) in the drive circuit of the main field coil (L1, L2)
are semiconductor switches which can be switched off, in particular IGBT (insulated
gate bipolar transistor).
9. Betatron (1) according to Claim 8, characterized in that the energy storage device (C) in the drive circuit of the main field coil (L1, L2)
is a bipolar capacitor, such as a film capacitor.
10. X-ray inspection system for the security inspection of objects, having a betatron
(1, 21) according to one of Claims 1 to 9, a target for generating x-rays, an x-ray
detector and an evaluation unit.
1. Bêtatron (1) destiné à générer des impulsions d'électrons, notamment dans un système
de test par rayons X, comportant au moins une bobine de champ principale (L1, L2),
une bobine d'expansion (6) destinée à déclencher le passage d'électrons accélérés
vers une cible, ainsi qu'une électronique de commande (7) de la bobine d'expansion
(6) destinée à appliquer à la bobine d'expansion (6) une impulsion d'expansion, caractérisé en ce que l'électronique de commande (7) de la bobine d'expansion (6) est conçue de manière
à ce que l'instant de l'impulsion d'expansion soit variable afin de régler l'énergie
finale des électrons par rapport au champ principal.
2. Bêtatron (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'instant de l'impulsion d'expansion par rapport au champ principal est variable
d'impulsion à impulsion.
3. Bêtatron (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'électronique de commande (7) de la bobine d'expansion (6) comprend un commutateur
à semi-conducteur (9) pouvant être désactivé, notamment un IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor).
4. Bêtatron (1) selon la revendication 3, caractérisé en ce que la bobine d'expansion (6) est reliée par l'intermédiaire du commutateur à semi-conducteur
(9) à une source d'énergie (10) indépendante d'un circuit électrique.
5. Bêtatron (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par un circuit de commande de la bobine de champ principale (L1, L2) qui est conçu de
manière à ce que le courant passant à travers la bobine de champ principale (L1, L2)
puisse être activé et désactivé à des instants quelconques.
6. Bêtatron (1) selon la revendication 5,
caractérisé en ce que le circuit de commande de la bobine de champ principale (L1, L2) comprend un accumulateur
d'énergie (C), deux commutateurs de puissance (TR1, TR2) et deux diodes (D1, D2),
dans lequel
- une première borne (16) du premier commutateur de puissance (TR1) est connectée
à une première borne (14) de l'accumulateur d'énergie (C),
- une seconde borne (17) du premier commutateur de puissance (TR1) est connectée à
une première borne (19) de la première diode (D1),
- une seconde borne (20) de la première diode (D1) est connectée à une seconde borne
(15) de l'accumulateur d'énergie (C),
- une première borne (21) de la seconde diode (D2) est connectée à la première borne
(14) de l'accumulateur d'énergie (C),
- une seconde borne (22) de la seconde diode (D2) est connectée à une première borne
(23) du second commutateur de puissance (TR2),
- une seconde borne (24) du second commutateur de puissance (TR2) est connectée à
la seconde borne (15) de l'accumulateur d'énergie (C),
- une première borne (26) de la bobine de champ principale (L1, L2) est connectée
à la seconde borne (17) du premier commutateur de puissance (TR1),
- une seconde borne (27) de la bobine de champ principale (L1, L2) est connectée à
la seconde borne (22) de la seconde diode (D2) et
- les bornes de commande (18, 25) des commutateurs de puissance (TR1, TR2) sont connectées
à une électronique de commande.
7. Bêtatron (1) selon la revendication 6, caractérisé en ce que les bornes de l'accumulateur d'énergie (C) sont connectées à une source de tension
dans le circuit de commande de la bobine de champ principale (L1, L2).
8. Bêtatron (1) selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que les commutateurs de puissance (TR1, TR2) présent dans le circuit de commande de la
bobine de champ principale (L1, L2) sont des commutateurs à semi-conducteurs pouvant
être désactivés, notamment des IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
9. Bêtatron (1) selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'accumulateur de puissance (C) présent dans le circuit de commande de la bobine
de champ principale (L1, L2) est un condensateur bipolaire tel qu'un condensateur
à film.
10. Système de test par rayons X destiné à inspecter la sécurité d'objets, comprenant
un bêtatron (1, 21) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, un cible destinée
à générer un rayonnement X, un détecteur de rayons X et une unité d'évaluation.
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