[0001] Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltvorrichtung, insbesondere für Mittel-
und/oder Hochspannungsanwendungen, aufweisend wenigstens zwei über eine Bewegungseinrichtung
beabstandbare, kontaktierbare Leiterelemente und ein eine Schaltkammer definierendes
Gehäuse aus einem oder mehreren Isolator/en, wobei Teile der Schaltkammer aus Metall
ausgeführt sein können, üblicherweise in der Nähe des Kontaktspaltes und zwei das
Gehäuse axial abschließenden, bevorzugt metallenen, Kappen.
[0002] Bei Mittel- und/oder Hochspannungsanwendungen, allgemein gesagt also bei Spannungen,
die größer als 1 kV sind, werden aufgrund der hohen Spannungen komplexere Schaltvorrichtungen
benötigt, die den auftretenden elektrischen Feldern standhalten können, möglichst
resistent gegen Degradierungseffekte sind und auch Überschläge außerhalb der eigentlichen
Schaltkammer vermeiden sollen.
[0003] Ein klassisches Beispiel hierfür sind die Vakuum-Leistungsschalter (vacuum circuit
breakers - VCB), die Kernkomponenten bei der Energieübertragung und Verteilung sind,
insbesondere in deren Schaltsystemen. Sie decken einen großen Teil der Mittelspannungs-Schaltanwendungen
ab, also der Schaltanwendungen beispielsweise im Bereich von 1 kV bis 52 kV, sowie
einen relevanten Teil in Niedrigspannungssystemen. Auch ihre Nutzung in Hochspannungs-Transmissionssystemen,
beispielsweise bei Spannungen größer als 52 kV, nimmt zu. Während ein VCB die meiste
Zeit geschlossen ist, mithin eine Kontaktierung der Leiterelemente vorsieht, ist seine
hauptsächliche Aufgabe die Unterbrechung von Strömen in Wechselstrom-Systemen bei
Nennbedingungen, insbesondere also zum An- und Ausschalten von Nennströmen, oder aber
bevorzugt zum Unterbrechen von Strömen bei Fehlerbedingungen, insbesondere um Kurzschlüsse
zu unterbrechen und das Systemen zu schützen. Andere Anwendungen umfassen das reine
Schalten von Lastströmen unter Verwendung von kontaktierenden Leiterelementen, das
meist in Niedrig- und Mittelspannungssystemen verwendet wird.
[0004] Der Vakuum-Interruptor (VI, auch Vakuumschaltröhre) ist das Kernelement eines VCB.
Eine Vakuumschaltröhre weist meist ein Paar von Kontakten auf, die durch entsprechende
Leiterelemente gebildet werden, von denen wenigstens eines mittels einer Bewegungseinrichtung
bewegt werden kann, um die geöffneten und geschlossenen Zustände der Schaltvorrichtung
herbeiführen zu können. Üblicherweise wird dabei ein Leiterelement axial bezüglich
des anderen fixierten Leiterelements bewegt. Die Kontakte können aus stromleitenden,
insbesondere aus Metall bestehenden Bolzen gefertigt sein, welche sowohl Strom- als
auch Wärmeleitung zur Verfügung stellen sowie die mechanischen Mittel, um die Kontakte
zu halten und/oder zu bewegen.
[0005] Ein VI umfasst ferner ein vakuumdichtes Gehäuse und die erwähnte Bewegungseinrichtung
und kann zudem einen Metall-Balg umfassen, welcher auf einer Seite mit dem Gehäuse,
auf der anderen Seite mit dem bewegten Leiterelement, insbesondere dem bewegten Bolzen,
verbunden ist. Das Gehäuse wird im Wesentlichen durch ein isolierendes Bauteil, also
einen Isolator, gebildet, beispielsweise ein keramisches Rohr, welches über Verbindungselemente
mit den Leiterelementen verbunden ist, wobei beispielsweise Metallkappen oder dergleichen
genutzt werden, die zur Bildung der Schaltkammer das isolierende Bauteil in axialer
Richtung abschließen. Innerhalb der Schaltkammer herrscht ein permanentes Hochvakuum
kleiner als, 10^-4 hPa oder 10^-4 mbar. Das Vakuum ist notwendig, um die "make-break-Operationen"
zuzusichern und die Isolationseigenschaften der Schaltvorrichtung im offenen Zustand
zu gewährleisten.
[0006] Wenn die Schaltvorrichtung in einem offenen Zustand ist, muss zum einen die Nennspannung
des Systems isoliert werden, zum anderen aber auch Stoßspannungen hoher Amplituden,
die beispielsweise durch einen Blitzeinschlag in das System ausgelöst werden können.
Wenn die Schaltvorrichtung vom geschlossenen in den offenen Zustand übergeht, mithin
die Kontakte der Leiterelemente beabstandet werden, müssen Nennströme oder Kurzschlussströme
unterbrochen werden, die zum Auftauchen vorübergehender Spannungsspitzen über den
VI führen, die deutlich höher als die Nenn-Wechselspannungen des Systems sind.
[0007] Hohe Spannungen in Vakuumsystemen erzeugen üblicherweise freie Elektronen durch Feldemissionsprozesse,
wenn die elektrische Feldstärke hinreichend hoch ist. Die Beschleunigung der Elektronen
in den hohen elektrischen Feldern erhöht die kinetische Energie dieser Elektronen,
beispielsweise bis hin zu Energien, die einige zehn oder sogar hunderte von KeV überschreiten.
Die Interaktion dieser hochenergetischen Elektronen mit den Gehäusestrukturen führt
zur Produktion hochenergetischer Röntgenstrahlung, die die Vakuumschaltröhre verlassen
kann. Während unter üblichen Bedingungen der Fehlerstrom innerhalb der Vakuumschaltröhre
minimal ist und keine nennenswerten Röntgenstrahlungsanteile erzeugt, können Umstände
auftreten, beispielsweise wenn vorübergehende Spannungsspitzen hoher Amplitude auftreten,
in denen die entstehende Röntgenstrahlung freie Elektronen an und/oder nahe der äußeren
Oberfläche des Isolators erzeugt. Diese Elektronen können durch die elektrischen Felder
auf der Isolatoroberfläche und in ihrer Nähe beschleunigt werden, die elektrische
Feldverteilung in empfindlichen Bereichen stören und zu Gasdurchschlag führen, was
zu einem Fehler im Betrieb der Vakuumschaltröhre führt.
[0008] Auch in Fällen, in denen keine feststellbare Röntgenstrahlung existiert, beispielsweise
in Niedrig- und Mittelspannungsanwendungen, können die hohen elektrischen Felder in
kritischen Bereichen der Vakuumschaltröhre, beispielsweise an der Verbindung des Isolators
und der Metallkappen durch Löten (Hartlöten), zum Ausstoß von Elektronen führen, was
zu einer nennenswerten Menge an Feldemission führt. Auch diese Elektronen können lokal
das elektrische Feld stören und zu weiterer Feldverstärkung und/oder zur Ladungsvervielfachung
durch Elektronenlawinen führen, welche wiederum den Verlust der Isolationsstärke und/oder
des Spannungswiderstands der Vakuumschaltröhre zur Folge haben können.
[0009] Auf den inneren Oberflächen der Vakuumschaltröhre existieren ähnliche Herausforderungen,
während ein zusätzliches Problem gelöst werden muss. Durch die Unterbrechung des Stroms
(Nennstrom wie auch Kurzschlussstrom) werden Teile des Kontaktmaterials verdampft
und innerhalb der Schaltkammer als heißer Metalldampf verteilt. Dieser Metalldampf
kann sich auf der Isolatoroberfläche absetzen und baut mit der Zeit eine leitfähige
Metallschicht auf. Diese Metallschicht, auch wenn sie nur schwach leitfähig ist, kann
ebenso das elektrische Feld außerhalb und innerhalb der Vakuumschaltröhre stören und
mithin über die Zeit die Spannungswiderstandsfähigkeit der Vakuumschaltröhre verschlechtern.
Zwar wurde in diesem Kontext vorgeschlagen, im Kontaktierungsbereich der Leiterelemente
ein Schirmelement, welches ebenso aus Metall bestehen kann, zum Abfangen freier Metallpartikel
der Leiterelemente vorzusehen, welches jedoch auch einen Einfluss auf die Feldverteilung
innerhalb der Schaltkammer, aber auch am Isolator hat.
[0010] Aus den genannten Gründen muss das Gehäuse der Schaltkammer, insbesondere auch der
meist aus Keramik realisierte Isolator in der Lage sein, hohen Spannungen über der
jeweiligen Oberfläche Stand zu halten, auch wenn Röntgenstrahlung und freie Elektronen
vorliegen oder, in einigen Fällen, sogar dann, wenn der Isolator durch Staubpartikel
verschmutzt ist, die elektrostatisch an der äußeren Oberfläche des Isolators angelagert
werden. Nachdem der Isolator nennenswert zu den Kosten einer Vakuumschaltröhre (oder
sonstigen Schaltvorrichtungen) beiträgt und auch die Kosten anderer struktureller
Elemente der Vakuumschaltröhre (oder sonstigen Schaltvorrichtungen) negativ beeinflusst,
ist es notwendig, das Gehäuse im Hinblick auf maximale dielektrische Stärke bei minimaler
Bauteilgröße zu optimieren.
[0011] Diese Problemstellung wurde bislang dadurch gelöst, dass die innere und die äußere
Geometrie der Vakuumschaltröhre derart gewählt wurde, dass die erwarteten elektrischen
Feldstärken nicht empirisch abgeleitete Grenzen für eine bestimmte Geometrie der Vakuumschaltröhre
überschreiten. Nachdem diese Begrenzungen nicht präzise vorhergesagt werden können,
insbesondere für Tripelpunkt-Bereiche und/oder scharfe Metallkanten, hängt die Auslegung
von Vakuumschaltröhren nicht nur von Berechnungen zum elektrischen Feld während des
Entwicklungsprozesses ab, sondern benötigt auch eine große Menge empirischer Optimierung.
Dies bezieht sich auch auf den Aufbau von metallischen Schichten aus den inneren Oberflächen
des Isolators, welche, wie bereits erwähnt, heute üblicherweise durch Verwendung von
Schirmstrukturen (Schirmelemente) innerhalb der Schaltkammer vermieden werden sollen.
Dennoch können heutzutage die Ablagerungen des Metalldampfes und ihr Einfluss auf
die dielektrische Stärke des Vakuum-Interruptors VI nicht quantitativ in einer hinreichend
genauen Art vorhergesagt werden.
[0012] Ferner ist anzumerken, dass die genannten Designprozesse allesamt zu einer Reduzierung
der Isolationseigenschaften der Außenstruktur der Vakuumschaltröhre deutlich unter
die dielektrische Stärke von Luft oder anderen Gasen, die die Vakuumschaltröhre umgeben,
führt, so dass Gehäuse- und/oder Isolatorgrößen - bezüglich der Länge und/oder dem
Durchmesser - benötigt werden, die hinsichtlich der Kosten und des Bauraums nicht
optimal sind. Die Hinzufügung von Schirmelementen bezüglich der Metalldämpfe führt
zu Verzerrungen der im Betrieb auftretenden elektrischen Felder am Isolator, was zu
starken Feldern an bestimmten Stellen und mithin zu einer Überbelastung des Isolators
führen kann, die durch sich dort aufbauende Ladungen entstehen. Doch auch andere Ursachen
führen, wie bereits dargestellt wurde, zu derartig lokalen hohen Feldern am Isolator
des Gehäuses der Vakuumschaltröhre, wobei die hier dargelegten Probleme auch bei anderen
Schaltvorrichtungen, wie z.B. Gasschalter neben der beispielhaft genannten Vakuumschaltröhre
gelten.
[0013] In der Regel sind die bekannten VIs zwar oft weitgehend symmetrisch zu einer -gedachten
- Mittelebene der Röhre aufgebaut, um die Zahl unterschiedlicher Bauteile und die
Komplexität des Aufbaus zu minimieren. Die reale Umgebung der Röhre verzerrt jedoch
das elektrische Feld im Allgemeinen stark, so dass Bereiche der Röhre stark elektrisch
- im Sinne einer hohen mittleren elektrischen Feldstärke - sind.
[0014] Es besteht daher der Bedarf, die unterschiedlichen Anforderungen an die Spannungsfestigkeit,
wie hohe Blitzstoßspannungen mit stark transienten Schaltflanken - beispielsweise
1,2µm Anstiegszeit und einer exponentiell abfallenden Rückflanke mit einer Zeitkonstanten
von 50ps, Nennspannungen von 50Hz oder 60Hz Grundfrequenz mit harmonischen Anteilen
bis in den kHz-Bereich, sowie so genannte Nenn-Stehwechselspannung 50/60Hz bei bis
zum Doppelten der Nennspannungsamplitude, für bis zu einer Minute Belastungsdauer,
durch die Konzeption der Schaltvorrichtung zu beherrschen.
[0015] Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Schaltvorrichtung mit einem
einen - bevorzugt zylinderförmigen - Isolator und axiale Abschluss-Kappen umfassenden
Gehäuse anzugeben, die eine erhöhte Spannungsfestigkeit bei minimaler Baugröße sowie
Herstellkosten der Schaltvorrichtung zeigt, insbesondere eine Schaltvorrichtung, die
besonders in den stark elektrisch belasteten Bereichen - wie oben erklärt - des Gehäuses
eine verbesserte Spannungsfestigkeit zeigt.
[0016] Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der vorliegenden Erfindung, wie er in der
Beschreibung, den Figuren und den Ansprüchen offenbart ist, gelöst.
[0017] Dementsprechend ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung eine elektrische Schaltvorrichtung
mit zumindest zwei über eine Bewegungseinrichtung beabstandbaren, kontaktierbaren
Leiterelementen und einem, eine Schaltkammer definierenden, Gehäuse, das die Leiterelemente
wenigstens teilweise umgibt, wobei das Gehäuse einen Isolatorkörper und Bereiche eines
elektrischen Kontaktes hat und wobei das Gehäuse außen zumindest teilweise eine refraktiv-steuernde
Beschichtung aufweist, die eine dielektrisch isolierende Matrix, gegebenenfalls Füllstoff
enthaltend, mit einer Permittivität ε
r >/= 2 hat.
[0018] Als "Permittivität" wird die Polarisationsfähigkeit eines Materials durch elektrische
Felder bezeichnet. Die Permittivität ist eine Materialeigenschaft von elektrisch isolierenden
polaren oder unpolaren Verbindungen, die sich nur zeigt, wenn diese Verbindungen einem
elektrischen Feld ausgesetzt sind.
[0019] Das Matrixmaterial kann aus der Gruppe umfassend Elastomere, Duroplaste, Thermoplaste
und/oder Glas gewählt werden. Entsprechend können die verschiedenen Beschichtungsverfahren
zur Herstellung der Beschichtung gewählt werden.
[0020] Das Matrixmaterial wird bevorzugt als Lack, insbesondere in Form eines Nasslacks
oder Pulverlacks, aufgetragen. Andere Aufbringungsmethoden, wie Sprühen, Tauchbad,
Verguss etc. sind denkbar, sie allerdings stehen beim momentanen Stand der Erforschung
der Technik nicht im Vordergrund.
[0021] Großer Vorteil der Aufbringung als Pulverlack und/oder Nasslack ist die Porenfreiheit
der hergestellten refraktiv-steuernden Beschichtung. Eine derartige Porenfreiheit
wird zwar durch Verguss auch erhalten, allerding leidet dabei in der Regel die Homogenität
der Beschichtung, insbesondere an den Kanten.
[0022] Bei der Aufbringung als Nasslack umfasst dieser in der Regel Lösungsmittel, die nach
der Trocknung des Lackes nicht oder in nur geringen Mengen noch im Matrixmaterial
vorhanden sind.
[0023] Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Matrix aus einem polymeren Matrixmaterial,
beispielsweise einem polymeren Harz, das in Form eines polymeren Binders vorliegt.
[0024] Als "polymere Matrix" wird ein Polymer oder ein polymeres Bindemittel bezeichnet.
Die polymere Matrix umfasst insbesondere ein Harz oder ein Harzgemisch, wie Epoxidharz,
Silikonelastomer, Siloxanharz, Silikonharz, Polyvinylalkohol, Polyesterimid und ähnliche
duroplastische, thermoplastische Kunststoffe, sowie beliebige Kombinationen, Copolymere,
Blends und Mischungen der oben genannten Harze und/oder Kunststoffe. Die polymere
Matrix kann als Beschichtung einer Permittivität von ε
r >/= 2 gefüllt oder ungefüllt vorliegen.
[0025] Vorzugsweise befinden sich in der Matrix Füllstoffe mit gegenüber Luft hoher Permittivität,
insbesondere refraktivdielektrisch isolierende Füllstoffe, wie keramische Füllstoffe,
die polar und/oder im elektrischen Feld leicht polarisierbar sind.
[0026] Vorzugsweise werden die Materialien für den oder die Füllstoff(e) ausgewählt aus
den Keramikmaterialien Klasse 1, die hohen Anforderungen an die Stabilität genügen
und deren Permittivitäten eine geringe Temperatur- und Feldstärkeabhängigkeit aufweisen.
Dazu gehören beispielsweise Verbindungen wie ausgewählte Titanate, die reproduzierbar
geringe Temperaturkoeffizienten und geringe dielektrische Verluste zeigen. Ihre Permittivität
ist weitgehend Feldstärke-unabhängig, was für die hier in Rede stehende Anwendung
Vorteile aufweist.
[0027] Die hier insbesondere in Betracht kommenden Keramikmaterialien für den oder die Füllstoff(e)
haben relative Permittivitäten ε
r im Bereich von
ε
r >/= 2 bis ε
r </= 200, vorzugsweise von
ε
r >/= 10 bis ε
r </= 100.
[0028] Bevorzugt werden Füllstoffe aus einem Material, das aus dem Bereich der Kondensatorkeramik
handelsüblich und daher vergleichsweise billig und in ausreichenden Mengen erhältlich
ist. Insbesondere kommen dabei die Materialien in Betracht, die einen nahezu linearen
Temperaturverlauf der Kondensator-Kapazität zeigen. Beispielsweise liegen diese in
Form einer oder mehrere Keramik(en), insbesondere Keramik(en) mit Metallnitrid, Metallcarbid,
Metallborid und/oder Metalloxide wie Titandioxid, Aluminiumoxid, ausgewählte Verbindungen
von Titanat umfassender Keramik, sind ebenfalls wegen ihrer feldstärkeunabhängigen
Permittivität geeignet. Insbesondere geeignet sind - neben Mischoxiden - wie dem Titanat
und/oder Mischungen aus verschiedenen Metalloxiden, auch Oxide von Metalllegierungen
in beliebiger Kombination mit allen vorgenannten Materialien für weitgehend feldstärkeunabhängige
Permittivität zeigende Füllstoffe.
[0029] Beispielsweise ist als Material für einen derartigen Füllstoff ein Gemisch aus feingemahlenen
Paraelektrika wie Titandioxid mit Beimengungen von Magnesium (Mg), Zink (Zn), Zirkon
(Zr), Niob (Nb), Tantal (Ta), Cobalt (Co) und/oder Strontium (Sr) geeignet. Folgende
Verbindungen seien hier beispielhaft genannt: MgNb
2O
6, ZnNb
2O
6, MgTa
2C>
6, ZnTa
2O
6, wie beispielsweise (ZnMg)TiO
3, (ZrSn)TiO
4 und/oder Ba
2Ti
9O
20, sowie beliebige Kombinationen und Gemische der genannten Verbindungen.
[0030] Bei der Aufbringung in Form von Pulverlack sind übliche Additive, wie Härter, Beschleuniger
und/oder Zusatzstoffe möglicher weise in den herkömmlich als vorteilhaft erkannten
Mengen enthalten. Sowohl Duroplaste als auch Thermoplaste können in Form eines Pulverlacks
aufgebracht werden.
[0031] Dabei liegt ein Härter vor, wenn eine additive Polymerisation stattfindet. Ein Beschleuniger,
Initiator und/oder Katalysator wird in allen Fällen, in denen Harz gehärtet wird,
eingesetzt.
[0032] Das Matrixmaterial wird in der Regel vor, während, aber bevorzugt nach der Herstellung
des Gehäuses aufgebracht. Beispielsweise wird die refraktiv-steuernde Schicht, die
durch Beschichten mit dem Matrixmaterial erzeugt wird, durch Besprühen, Aufrakeln,
Eintauchen, Bepinseln und/oder sonstige Methoden, die die Herstellung einer dünnen
homogenen - insbesondere möglichst homogen und möglichst porenfreien - Beschichtung
erlauben, aufgebracht.
[0033] Die Aufbringungsmethode wird dabei bevorzugt automatisiert durchgeführt.
[0034] Die refraktiv-steuernde Beschichtung ist bevorzugt eine gefüllte Beschichtung aus
einem oder mehreren Matrixmaterialien, die organisch, beispielsweise in Form eines
Polymers, oder anorganisch, beispielsweise als Glas, ausgebildet sein können, in dem
der Füllstoff eingebracht ist.
[0035] Die Füllstoffmenge in der refraktiv-steuernden Beschichtung kann in weiten Grenzen
variieren. So kann eine Füllstoffkonzentration 1 Vol% - also dem fast ungefüllten
Matrixmaterial mit einer relativ geringen Refraktion, die fast nur durch dielektrische
Barriere, die das Matrixmaterial bildet, bewirkt wird, bis hin zu einer Füllung von
70 Vol.-% in der Beschichtung vorliegen. Der bevorzugte Bereich an Füllstoffmenge
liegt dabei zwischen 20 bis 60 Vol.-%, insbesondere von 30 Vol% bis 40 Vol% Füllung
im Matrixmaterial.
[0036] Die Füllstoffpartikel der refraktiv-steuernden Beschichtung haben keine bevorzugte
Form, sie können in beliebigen Formen und Größen in der Matrix eingebettet vorliegen.
Beispielsweise liegen die Füllstoff-Partikel nach entsprechender Mahlung irregulär
vor.
[0037] Zur Verarbeitung eignen sich gefüllte Lacke, deren Partikel möglichst einer sphärischen
Form angenähert sind, besser als andere Formen, weil dabei die spezifische Oberfläche
am geringsten ist und somit bei gleichem Füllgrad eine kleinstmögliche Verarbeitungsviskosität
erreicht wird.
[0038] Die Größe der Füllstoffe kann variieren. Es können verschiedene Füllstofffraktionen
im Füllstoff vorliegen. Das Gehäuse kann in verschiedenen Bereichen mit verschieden
gefüllten Beschichtungen versehen sein.
[0039] Bei dickeren Beschichtungen und/oder bei bestimmten Materialkombinationen kommt es
zu einer stärkeren Brechung der Feldlinien als bei anderen. Die Höhe der Permittivität
und die Dicke der aufgebrachten refraktiv-steuernden Beschichtung bestimmen dabei,
wie stark das elektrische Feld vergleichmässigt wird.
[0040] Im Rahmen der vorliegenden Erfindung haben sich Dicken der refraktiv-steuernden Beschichtung
von 10pm bis 5mm liegen, bevorzugt im Bereich zwischen 100pm und 3mm, insbesondere
bevorzugt im Bereich zwischen 500µm und 2 mm als zweckmäßig erwiesen.
[0041] Vorliegend wird die Permittivität der Beschichtung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung - gefüllt oder ungefüllt - eingesetzt, damit durch die gegenüber der unbeschichteten
Oberfläche erhöhte Permittivität das elektrische Feld an der Oberfläche des Gehäuses
der Schaltkammer weggedrückt wird und so lokale Feldüberhöhungen reduziert werden.
Dies wird in Figur 2 nochmal erläutert und schematisch dargestellt.
[0042] Ohne die refraktiv-steuernde Schicht wäre an der Oberfläche des Gehäuses üblicherweise
ein isolierendes Gas wie Stickstoff, Luft oder Schwefelhexafluorid. All diese Gase
besitzen eine vergleichsweise kleine Permittivität. Luft beispielsweise hat die Permittivität
ε
r = 1,00059. Eine Beschichtung aus einem Kunststoff wie einem Harz hat dagegen eine
Permittivität von zumindest dem doppelten Wert ε
r = 2 - Beispiel Silikonharz - bis etwa ε
r = 9 - Beispiel Polyvinylalkohol. Das bezieht sich auf die gehärteten Harze.
[0043] Durch die hier vorgeschlagene refraktiv-steuernde Beschichtung werden die austretenden
Feldlinien gemäß der refraktiven Feldsteuerung gebrochen - Brechung = Refraktion -,
weil durch Feldverdrängung aus dem Material mit höherer Dielektrizitätszahl in das
Material mit niedrigerer Dielektrizitätszahl das Eindringen des Feldes in das Höherpermittive
erschwert wird, da das elektrische Feld von der Kante oder dem Tripelpunkt weggedrängt
wird.
[0044] Als Triplepunkt wird z.B. der Bereich des Gehäuses in dem eine Metallelektrode, ein
fester Isolator und ein gasförmiger Isolator - also hier das umgebende Gas - zusammenkommen,
bezeichnet.
[0045] Nach einer vorteilhaften Ausführungsform ist die refraktiv-steuernde Beschichtung
zumindest auf einer der kontaktierenden Seiten des Gehäuses zumindest teilweise aufgebracht.
Dies insbesondere deshalb, weil die refraktiv-steuernde Beschichtung gleichzeitig
noch eine dielektrische Barriere ist, die, auf den Metallelektroden aufgebracht, dafür
sorgt, dass es Elektronen deutlich schwerer haben, aus dem Metall heraus zu kommen.
Oder, mit anderen Worten, der elektrische Überschlag zwischen den Elektroden wird
durch die dielektrische Barriere hin zu höheren Spannungen verschoben. Durch die refraktive
Feldverschiebung dann eben noch mal zusätzlich zu noch höheren Spannungen hin.
[0046] Vorzugsweise ist die refraktiv-steuernde Beschichtung auf beiden metallischen Kappen
des Gehäuses, die den - vorzugsweise zylindrischen Isolatorkörper zur Bildung der
Schaltkammer axial abschließen, ganz oder teilweise zusätzlich zu der Aufbringung
auf dem Isolatorkörper, vorgesehen.
[0047] Die refraktiv-steuernde Beschichtung bedeckt so das Gehäuse ganz oder teilweise oder
in ausgewählten Bereichen. Die refraktiv-steuernde Beschichtung ist beispielsweise
direkt auf der Gehäuseoberfläche aufgebracht oder beispielsweise aber auch auf einer
unteren Schicht, wie beispielsweise einer resistive Schicht nach dem
EP 3146551 B1.
[0048] Eine untere Schicht, auf der die refraktiv-steuernde Beschichtung aufgebracht wird,
kann sowohl eine weitere refraktiv-steuernde Schicht als auch eine andere, insbesondere
eine resistive Schicht nach dem
EP 3146551 B1, bevorzugt aber auch, abweichend davon eine resistiv-kapazitive Schicht, sein.
[0049] Bevorzugt ist die untere Schicht dabei eine dünnere Schicht als die obere, so dass
sich die Schichtdicken von innen nach außen auf der Gehäuse-Außenoberfläche steigern.
[0050] Bei einer Beschichtung auf einer resistiven unteren Schicht ist insbesondere vorgesehen,
dass die Matrixmaterialien der jeweiligen Beschichtungen miteinander kompatibel sind.
Bevorzugt ist beispielsweise, dass die Matrixmaterialien zumindest zueinander inert
sind, aber vorteilhafterweise sind sie beliebig miteinander und/oder ineinander mischbar.
Ganz bevorzugt ist, dass die Matrixmaterialien verschiedener Schichten - also beispielsweise
das Matrixmaterial einer refraktiv steuernden Beschichtung nach einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und das Matrixmaterial einer resistiven Beschichtung gemäß
der
EP 3146551 B1 - gleiche oder ähnliche chemische Zusammensetzung aufweisen.
[0051] Die Beschichtungen können auch in Form von Schichtstapel kombiniert vorgesehen sein,
wobei eine resistive Beschichtung gemäß der
EP 3146551 B1 vorzugsweise auf den isolierenden Bereichen des Gehäuses der Schaltvorrichtung, wie
beispielsweise auf einem keramischen Zylinder vorgesehen ist, wohingegen die refraktiv
steuernde Beschichtung insbesondere auf den Kappen des Gehäuses, also den kontaktierenden
Bereichen vorgesehen ist. Beide Beschichtungen können sich aber beliebig übereinander
und insbesondere auch über alle Bereiche des Gehäuses außen erstrecken.
[0052] Alle Schichten der Gesamt-Beschichtung des Gehäuses bedecken die jeweiligen Teile
des Gehäuses ganz oder teilweise, allerdings außen.
[0053] Als besonders geeignet genannt seien hier beispielsweise die Ausführungsformen, bei
denen die refraktiv-steuernde Beschichtung nicht vollflächig auf dem Gehäuse aufgetragen
ist, sondern nur teilweise das Gehäuse bedeckt. Dabei ist es insbesondere bevorzugt,
wenn die refraktiv-steuernde Beschichtung auf den Kappen, insbesondere auf den metallenen
Kappen und/oder auf den Kanten, die die Kappen mit dem Isolatorkörper bilden, aufgetragen
ist.
[0054] Hier ist wiederum insbesondere bevorzugt vorgesehen, dass sich die refraktiv-steuernde
Beschichtung noch - einen Rand bildend - über die Kante hinaus erstreckt, beispielsweise
auch auf die Oberfläche des Isolatorkörpers.
[0055] Dabei ist es unerheblich, ob der Isolatorkörper selbst noch beschichtet, beispielsweise
mit einer resistiven Beschichtung versehen, vorliegt, oder nicht.
[0056] Es sind alle möglichen Schicht-Kombinationen von Beschichtungen auf dem Gehäuse,
insbesondere von Beschichtungen der hier in Rede stehenden resistiven Beschichtung
nach dem
EP 3146551 B1 einerseits und einer refraktiv-steuernden Beschichtung gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung andererseits denkbar, z.B.
- dass die untere - resistive Schicht komplett das ganze Gehäuse bedeckt und die obere
refraktiv-steuernde Schicht die untere Schicht nur teilweise abdeckt;
- dass die untere Schicht die Gehäuse-Außenoberfläche nur teilweise bedeckt, insbesondere
dass die untere Schicht in Form einer resistiv-kapazitiven Schicht aufgebracht ist
und die obere refraktiv-steuernde Schicht die untere Schicht und die gesamte Gehäuse-Außenoberfläche
ganz oder teilweise bedeckt;
- dass die untere Schicht teilweise von der oberen Schicht unbedeckt bleibt;
- dass resistiv-kapazitive Bereiche der unteren Schicht mit der refraktiv-steuernden
oberen Schicht abgedeckt sind;
- dass zwei oder mehr Schichten einer Art verschiedene Gehäusebereiche bedecken und
sich dabei eine oder keine Überlappung ergibt;
- etc...
[0057] Gemäß dem
EP 3146551 B1 ist die resistive Schicht ganzflächig auf der Gehäuse-Außenoberfläche aufgetragen,
gemäß der vorliegenden Erfindung kann sie im Unterschied dazu auch nur teilweise das
Gehäuse außen bedecken, insbesondere kann sie auch in Form einer resistiv-kapazitiven
Schicht mit einem nicht galvanisch - also nicht über einen Kontakt - elektrisch leitend
verbunden Bereich, aufgetragen sein.
[0058] Grundsätzlich ist es vorteilhaft, wenn die untere Schicht dünner als die obere Schicht
ist.
[0059] Grundsätzlich ist es vorteilhaft, wenn die refraktiv-steuernde Schicht auf der resistiven
Schicht liegt.
[0060] Eine Schaltvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Figur 1 dargestellt.
Figur 1 zeigt eine Schaltvorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
als Vakuumröhre und
Figur 2 zeigt schematisch die Wirkung einer refraktiv steuernden Beschichtung auf
einer Gehäuse-Oberfläche eines Gehäuses einer Schaltvorrichtung nach einer beispielhaften
Ausführungsform der Erfindung.
[0061] Figur 1 zeigt in Form einer Prinzip-Skizze ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Schaltvorrichtung 1, hier eine Vakuumschaltröhre. Ein hier aus zwei röhrenförmigen
Keramikteilen, also Isolatorkörper, 2, zusammengesetztes Gehäuse 3 wird durch metallene
Kappen 4, die Bereiche mit elektrischen Kontakten bilden, abgeschlossen und definiert
eine Schaltkammer 5, in die zwei beispielsweise als Bolzen ausgebildete Leiterelemente
6 mit Kontakten 7 geführt sind.
[0062] Das in Fig. 1 untere der Leiterelemente 6 ist gemäß dem Pfeil 8 und der angedeuteten
Bewegungseinrichtung 9 beweglich ausgestaltet und kann in Erstreckungsrichtung 10
der Leiterelemente 6, welche auch die Symmetrieachse der Schaltvorrichtung 1 bildet,
verschoben werden, um die Kontakte 7 in Kontakt zu bringen oder zu beabstanden, wobei
vorliegend ein geöffneter, also beabstandeter Zustand der Schaltvorrichtung 1 gezeigt
ist. Aufgrund der Beweglichkeit des unteren Leiterelements 6 ist dieses über einen
Metallbalg 11 an die Metallkappe 4 angekoppelt; auf beiden Seiten sind also die Metallkappen
4 leitend mit den Leiterelementen 6 verbunden.
[0063] Innerhalb der Schaltkammer 5 herrscht Vakuum, vorliegend mit einem Druck als < 10
-4 hPa.
[0064] Die Erfindung bezieht sich jedoch auch auf Gasschalter, bei denen das Gas innerhalb
der Schalter vorliegt. Bei den hier auch umfassten Gasschaltern sind die gemeint,
bei denen Gas zum einen als Schaltmedium und zum anderen -nach erfolgreicher Abschaltung-
als Isoliermedium dient. Üblicherweise wird dabei heutzutage SF6 verwendet. Da SF6
als starkes Treibhausgas ersetzt werden soll, sind in Zukunft auch Schalter mit CO2,
Fluornitril oder anderen alternativen Gasen denkbar.
[0065] Um beispielsweise beim Öffnen der Schaltvorrichtung 1 entstehende Metalldämpfe nicht
auf die innere Oberfläche des Isolators 2, hier Keramik, kommen zu lassen, ist vorliegend
in der Schaltkammer 5 ein metallenes Schirmelement 12 (Dampfschirm) im Kontaktierungsbereich
vorgesehen. Dieses Schirmelement 12 sorgt nun jedoch auch für eine Verzerrung des
elektrischen Feldes, so dass in einem Bereich hinter den Schirmelementen ein geringeres
elektrisches Feld im Betrieb vorliegen würde, als in den "un-abgeschirmten" Bereichen,
wo sich beispielsweise Ladungen ansammeln können und somit für weitere Feldverzerrungen
sorgen können, die die Funktionsfähigkeit der Schaltvorrichtung 1 in Frage stellen
könnten.
[0066] Um dem entgegen zu wirken, ist bei dem hier skizzierten Ausführungsbeispiel vorgesehen,
dass sich auf der Außenoberfläche des Gehäuses 3, also sowohl auf den Isolatorkörper
3 als auch auf Bereichen der elektrischen Kontakte - also den Kappen 4 - eine refraktiv-steuernde
Beschichtung 13 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung befindet.
[0067] Die refraktiv-steuernde und - hier vollflächig - aufgetragene Beschichtung 13 der
hier gezeigten Ausführungsform umfasst eine polymere Matrix, die mit einem hoch-permittiven
Füllstoff, aus einem keramischen Material ε
r im Bereich von größer/gleich 2 bis 200, vorzugsweise von 10 bis 100, gefüllt ist.
Der Füllstoff ist mit 30 Vol% in der Matrix enthalten. Es handelt sich um eine Mischung
aus Titandioxid und Aluminiumoxid-Partikel.
[0068] Die refraktiv-steuernde Beschichtung 13 ist relativ günstig im Materialpreis und
relativ einfach - auch automatisiert - aufsprühbar. Ihr Vorhandensein kann mit einer
Rasterelektronenmikroskop und einer Elementaranalyse relativ einfach nachgewiesen
werden.
[0069] Die Figur 2 zeigt schematisch die Wirkung einer refraktiv-steuernden Beschichtung
auf einer Gehäuse-Außenoberfläche wie dem in Figur 1 gezeigten Gehäuse 3.
[0070] Figur 2 zeigt schematisch den Verlauf der Feld- und Äquipotentiallinien 15, 14 an
jeweils an einem Triplepunkt, rechte Hälfte mit einer refraktiv-steuernden Beschichtung
13 und links zum Vergleich ohne eine derartige Beschichtung, gemäß dem Stand der Technik.
Wie zu erkennen ist, verlaufen die Feldlinien 15 links ungebrochen von der Metallkappe
4 in das umgebende Gas, z.B. Luft. Dadurch können sich Blitzentladungen 16 ergeben.
Rechts, wo die Beschichtung 13 zwischen Metallkappe 4 und Umgebungsluft liegt, werden
die Feldlinien 15 beim Übergang von der Beschichtung mit hoher Permittivität in die
umgebende Luft mit niedriger Permittivität gebrochen - siehe Bereich 17 - dadurch
werden sowohl die Äquipotentiallinien 14 als auch die Feldlinien 15 weit auseinandergezogen,
damit keine Lichtbögen auftreten.
[0071] Durch die refraktiv-steuernde Beschichtung 13, wie sie für diese Anwendung erstmals
vorliegend vorgeschlagen wird, kann die Länge des Gehäuses 3 einer Schaltvorrichtung
1 reduziert werden und somit die Gesamtlänge der elektrischen Schaltvorrichtung 1.
Dadurch werden Materialkosten eingespart. Es könnte zum Beispiel ein Gehäuse 3 für
eine bestimmte Spannungsebene hergestellt werden. Exakt dieses Gehäuse 3 könnte dann
mit der refraktiv steuernden Beschichtung 13 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung beschichtet werden, und so für die nächsthöhere Spannungsebene einsetzbar
sein. Das ergibt sich damit prozesstechnisch ein Design, das für zwei Spannungsebenen
nutzbar ist, wobei die gleichen beiden Gehäuse 3 für zwei Schaltvorrichtungen 1, unterschiedlicher
Spannungsebenen nutzbar sind!
[0072] Die beiden Gehäuse unterscheiden sich lediglich durch die zusätzliche refraktiv-steuernde
Beschichtung 13.
[0073] Der besondere Vorteil der hier erstmals vorgestellten Anwendung einer refraktiv-steuernden
Beschichtung ist auch, dass dadurch, dass durch diese Beschichtung kaum Strom fließt,
diese sehr alterungsbeständig ist und länger und zuverlässiger hält.
[0074] Durch die Erfindung wird erstmals vorgeschlagen, eine Beschichtung mit hoher oder
zumindest relativ zur Umgebungsluft ε
r = 1 hoher Permittivität aus einem Kunststoff ε
r >/= 2, insbesondere ε
r >/= 3 insbesondere einem gefüllten Kunststoff, auf die Gehäuseoberfläche einer Vakuumschaltröhre
ganz oder teilweise aufzubringen, damit in kritischen Bereichen, insbesondere an Triplepunkten,
die Feldlinien gebrochen und Lichtbögen soweit wie möglich auseinandergezogen und
damit Blitze verhindert werden.
[0075] Die hier vorliegende Erfindung ist nicht auf Vakuumröhren beschränkt, sondern bezieht
sich auf andere Schalter, beispielsweise gasisolierte - beispielsweise solche mit
SF6 und/oder Clean Air -als Schaltgas. Bei Gasschalter mit Clean Air wird dieses in
der Regel nur als Isolationsmedium verwendet und befindet sich nicht in der Unterbrechereinheit,
wo der Lichtbogen entsteht und die Schalthandlung vorgenommen wird.
Bezugszeichenliste
[0076]
- 1
- Schaltvorrichtung
- 2
- Isolator
- 3
- Gehäuse
- 4
- Kappe
- 5
- Schaltkammer
- 6
- Leiterelement
- 7
- Kontakt
- 8
- Pfeil
- 9
- Bewegungseinrichtung
- 10
- Erstreckungsrichtung
- 11
- Metallbalg
- 12
- Schirmelement
- 13
- refraktiv-steuernde Beschichtung
- 14
- Äquipotentiallinien
- 15
- Feldlinien
- 16
- Blitz
- 17
- Bereich in dem Feldlinien refraktiv gebrochen werden
1. Elektrische Schaltvorrichtung (1) mit zumindest zwei über eine Bewegungseinrichtung
(9) beabstandbaren, kontaktierbaren Leiterelementen (6) und einem, eine Schaltkammer
(5) definierenden, Gehäuse (3), das die Leiterelemente (6) wenigstens teilweise umgibt,
wobei das Gehäuse (3) einen Isolatorkörper (2) und Bereiche eines elektrischen Kontaktes
(4) hat und wobei das Gehäuse (3) außen zumindest teilweise eine refraktiv-steuernde
Beschichtung (13) aufweist, die eine dielektrisch isolierende Matrix aus einem Material
einer Permittivität εr >/= 2 umfasst.
2. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Matrix der refraktiv-steuernden Beschichtung
(13) füllstoffhaltig vorliegt.
3. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv-steuernde
Beschichtung zumindest in einem Bereich eines elektrischen Kontaktes (4) vorliegt.
4. Schaltvorrichtung nach dem Anspruch 1, wobei das Material der Füllstoff-Partikel der
zumindest einen Füllstofffraktion eine Keramik mit einer Permittivität εr >/= 3 und εr </= 200 ist.
5. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Material der Füllstoff-Partikel
der zumindest einen Füllstofffraktion eine Keramik mit zumindest einem Metalloxid,
einem Metall-Mischoxid und/oder einem Titanat umfasst.
6. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei in der Matrix eine
Gesamtmenge an Füllstoff-Partikel im Bereich von 1 Vol% bis 70 Vol% vorliegt.
7. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Harz ausgewählt
ist aus der Gruppe der Elastomere, Duroplaste, Thermoplaste und/oder Glas.
8. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Matrix ein polymeres
Harz und/oder ein polymeres Harzgemisch ist.
9. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das polymere Harz oder
das polymere Harzgemisch zumindest eine Verbindung ausgewählt aus der Gruppe folgender
Verbindungen: Epoxidharz, Silikonelastomer, Siloxanharz, Silikonharz, Polyvinylalkohol,
Polyesterimid, sowie beliebige Mischungen und/oder Kombinationen der vorstehenden
Verbindungen umfasst.
10. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv-steuernde
Beschichtung in Kombination mit zumindest einer weiteren Beschichtung auf der Außenoberfläche
des Gehäuses (13) vorgesehen ist.
11. Schaltvorrichtung nach Anspruch 10, wobei die weitere Beschichtung eine resistive
Beschichtung ist.
12. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die resistive Beschichtung
die Gehäuse-Außenoberfläche ganz oder teilweise bedeckt.
13. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche die refraktiv-steuernde Beschichtung
(13) zumindest zum Teil über der resistiven Beschichtung vorgesehen ist.
14. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv-steuernde
Beschichtung mit einer Schichtdicke kleiner/gleich 5mm, vorliegt.
15. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv-steuernde
Beschichtung mit einer Schichtdicke kleiner/gleich 2mm vorliegt.
16. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv steuernde
Beschichtung als Nasslack applizierbar ist.
17. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die refraktiv-steuernde
Beschichtung als Pulverlack applizierbar ist.
18. Schaltvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei es sich bei der Schaltvorrichtung
um einen Vakuumschalter oder einen Gasschalter handelt.